公开(公告)号：CN1744299A

公开(公告)日：2006-03-08

申请号：CN200410103275.4

申请日：2004-11-18

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 许胜籐 ,  张风燕

IPC: H01L21/82 ,  H01L27/10 ,  H01L43/12 ,  H01L43/08 ,  G11C11/15

CPC classification number: H01L27/105 ,  G11C13/0007 ,  G11C2213/31 ,  G11C2213/52 ,  H01L27/1052 ,  H01L27/112 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/147 ,  H01L45/1675

Abstract: 提供一种非对称区域存储单元，和一种用于形成非对称区域存储单元的制造方法。所述方法包括：形成具有一区域的底部电极；形成覆盖所述底部电极的CMR存储薄膜，其具有非对称区域；并且，形成覆盖所述CMR薄膜具有一区域的顶部电极，所述区域小于所述底部电极区域。在一种情况下，所述CMR薄膜具有第一区域和第二区域，其中所述第一区域与所述顶部电极相邻，所述第二区域大于所述第一区域且与所述底部电极相邻。典型地，所述CMR薄膜第一区域近似等于所述顶部电极区域，尽管所述CMR薄膜第二区域可能小于所述底部电极区域。

公开(公告)号：CN1641881A

公开(公告)日：2005-07-20

申请号：CN200410010430.8

申请日：2004-11-19

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 许胜籐 ,  潘威 ,  张风燕 ,  庄维佛 ,  李延凯

IPC: H01L27/108 ,  H01L21/8242

CPC classification number: G11C13/0007 ,  G11C2213/31 ,  G11C2213/77 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1253 ,  H01L45/147 ,  H01L45/1675

Abstract: 在其中具有工作结而其上具有金属栓的硅衬底上形成的RRAM存储单元，包括第一抗氧化层、第一难熔金属层、CMR层、第二难熔金属层以及第二抗氧化层。制造多层电极RRAM存储单元的方法包括准备硅衬底；在衬底上形成从N+结和P+结组成的结组中选出的结；在该结上沉积金属栓；在金属栓上沉积第一抗氧化层；在该第一抗氧化层上沉积第一难熔金属层；在该第一难熔金属层上沉积CMR层；在该CMR层上沉积第二难熔金属层；在该第二难熔金属层上沉积第二抗氧化层；以及完成该RRAM存储单元。

公开(公告)号：CN100423233C

公开(公告)日：2008-10-01

申请号：CN200410039794.9

申请日：2004-03-17

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 许胜藤 ,  庄维佛 ,  潘威 ,  张风燕

IPC: H01L21/822 ,  H01L27/10 ,  G11C11/00

CPC classification number: G11C13/0007 ,  G11C2213/31 ,  G11C2213/77 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/147 ,  H01L45/1683

Abstract: 本发明提供了一种交叉点型存储器阵列，包含：硅基底；在该基底之上形成的绝缘层；在该绝缘层中形成的纳米级沟槽；在该纳米级沟槽中在该硅基底之上形成的厚度为100nm-200nm的硅外延层；在该硅外延层之上形成的第1连接线；在该第1连接线之上形成的庞磁电阻层；在该庞磁电阻层的一部分之上形成的氮化硅层；以及与该氮化硅层邻接而在该庞磁电阻层之上形成的第2连接线。

公开(公告)号：CN1581435A

公开(公告)日：2005-02-16

申请号：CN200410056667.X

申请日：2004-08-13

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 张风燕 ,  庄维佛 ,  D·R·埃文斯 ,  许胜籐

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/82

CPC classification number: G11C13/0007 ,  G11C2213/31 ,  H01L21/31691 ,  H01L28/20 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/147 ,  H01L45/1608

Abstract: 形成用于RRAM的、具有双极电脉冲切换特性的PCMO薄膜。本发明的在RRAM器件上形成PCMO薄膜的方法包括：在衬底上的金属隔离层上形成底部电极；利用PCMO前体，在底部电极上旋转涂布Pr1－xCaxMnO3层；在1道或以上的焙烤工序中焙烤该PCMO薄膜；在各旋转涂布工序之后，在第1退火工序中退火该PCMO薄膜；反复进行旋转涂布工序、焙烤工序及第1退火工序，直到使该PCMO薄膜达到期望的厚度；在第2退火工序中退火该PCMO薄膜，由此生成具有0.2≤X≤0.5的、Pr1－xCaxMnO3结晶构造的PCMO薄膜。

公开(公告)号：CN1571140A

公开(公告)日：2005-01-26

申请号：CN200410039794.9

申请日：2004-03-17

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 许胜藤 ,  庄维佛 ,  潘威 ,  张风燕

IPC: H01L21/822 ,  H01L27/10 ,  G11C11/00

CPC classification number: G11C13/0007 ,  G11C2213/31 ,  G11C2213/77 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/147 ,  H01L45/1683

Abstract: 制造纳米级阻抗交叉点型存储器阵列的方法包括：准备硅基底；在该基底上沉积氧化硅直到所规定的厚度；在该氧化硅内形成纳米级沟槽；在沟槽内沉积第1连接线；在沟槽内在该第1连接线之上沉积存储器阻抗层；在沟槽内在存储器阻抗层之上沉积第2连接线；然后完成存储器阵列。交叉点型存储器阵列，包括：硅基底；在该硅基底上形成的第1连接线；在该第1连接线上形成的特大磁阻层；在一部分该特大磁阻层上形成的氮化硅层；以及与该氮化硅层相邻而在该特大磁阻层上形成的第2连接线。