公开(公告)号：CN103219378B

公开(公告)日：2016-01-13

申请号：CN201310098173.7

申请日：2013-03-25

Applicant: 复旦大学

Inventor： 张卫 ,  刘晓勇 ,  王鹏飞

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335

Abstract: 本发明属于射频功率器件技术领域，具体涉及一种低寄生电阻射频功率器件及其制备方法。本发明的低寄生电阻射频功率器件，利用栅极侧墙来实现栅极与源极位置的自对准，减小了产品参数的漂移，同时，由于栅极被钝化层保护，可以在栅极形成之后通过外延工艺来形成器件的源极与漏极，降低了源、漏寄生电阻，增强了射频功率器件的电学性能。

公开(公告)号：CN103219379B

公开(公告)日：2015-10-28

申请号：CN201310098546.0

申请日：2013-03-25

Applicant: 复旦大学

Inventor： 周鹏 ,  刘晓勇 ,  王鹏飞 ,  张卫

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/423 ,  H01L21/335 ,  H01L21/28

Abstract: 本发明属于高电子迁移率器件技术领域，具体涉及一种采用先栅工艺的高电子迁移率器件及其制备方法。本发明采用先栅工艺制备高电子迁移率器件，利用栅极侧墙来实现栅极与源极位置的自对准，减小了产品参数的漂移，同时，由于栅极被钝化层保护，可以在栅极形成之后通过合金化工艺来形成器件的源极与漏极，降低了源、漏接触电阻，增强了高电子迁移率器件的电学性能。

公开(公告)号：CN104269395A

公开(公告)日：2015-01-07

申请号：CN201410433978.7

申请日：2014-08-29

Applicant: 复旦大学

Inventor： 王鹏飞 ,  刘晓勇 ,  张卫

IPC: H01L23/528 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明属于半导体器件技术领域，具体涉及使用一种低介电常数介质刻蚀与铜互连的结构及集成方法。本发明的铜互连的结构包括至少一条金属导线，以及位于所述金属导线之下的绝缘体支撑结构；并且，在多条金属导线之间有多孔低介电常数介质；在绝缘体支撑结构之间也有多孔低介电常数介质。采用铜互连与气隙结合起来降低电容，用特定支撑结构来支撑铜导线以在去除介质后维持铜导线的形状。本发明可以实现全气隙结构而不使铜导线短路或断路并且可实现较长导线的全气隙结构，使RC延迟减小。

公开(公告)号：CN103219379A

公开(公告)日：2013-07-24

申请号：CN201310098546.0

申请日：2013-03-25

Applicant: 复旦大学

Inventor： 周鹏 ,  刘晓勇 ,  王鹏飞 ,  张卫

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/423 ,  H01L21/335 ,  H01L21/28

Abstract: 本发明属于高电子迁移率器件技术领域，具体涉及一种采用先栅工艺的高电子迁移率器件及其制备方法。本发明采用先栅工艺制备高电子迁移率器件，利用栅极侧墙来实现栅极与源极位置的自对准，减小了产品参数的漂移，同时，由于栅极被钝化层保护，可以在栅极形成之后通过合金化工艺来形成器件的源极与漏极，降低了源、漏接触电阻，增强了高电子迁移率器件的电学性能。

公开(公告)号：CN103219376A

公开(公告)日：2013-07-24

申请号：CN201310098145.5

申请日：2013-03-25

Applicant: 复旦大学

Inventor： 王鹏飞 ,  刘晓勇 ,  孙清清 ,  周鹏 ,  张卫

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335

Abstract: 本发明属于高电子迁移率器件技术领域，具体涉及一种氮化镓射频功率器件及其制备方法。本发明采用先栅工艺制备氮化镓射频功率器件，利用栅极侧墙来实现栅极与源极位置的自对准，减小了产品参数的漂移。同时，由于栅极被钝化层保护，使得源极与漏极能够在栅极形成之后通过合金化工艺来形成，降低了源、漏接触电阻，增强了氮化镓射频功率器件的电学性能。

公开(公告)号：CN102185003A

公开(公告)日：2011-09-14

申请号：CN201110094530.3

申请日：2011-04-15

Applicant: 复旦大学

Inventor： 王鹏飞 ,  林曦 ,  王玮 ,  刘晓勇 ,  张卫

IPC: H01L31/105 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/1804 ,  G02B6/42 ,  G02B6/4214 ,  H01L27/2454 ,  H01L27/304 ,  H01L31/02327 ,  H01L31/113 ,  H01L31/1136 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明属于光互连技术领域，具体涉及一种由隧穿场效应晶体管（TFET）组成的光探测器。本发明将隧穿场效应晶体管和光纤整合在一起，采用垂直沟道的隧穿场效应晶体管作为探测器来对光进行检测，所需偏压低，降低了能耗，并且提高了光探测器的输出电流和灵敏度。同时，本发明还公开了一种采用自对准工艺来制造由隧穿场效应晶体管组成的光探测器的方法，使得制程更加稳定，降低了生产成本。

公开(公告)号：CN104167450B

公开(公告)日：2017-01-11

申请号：CN201410403932.0

申请日：2014-08-17

Applicant: 复旦大学

Inventor： 王鹏飞 ,  刘晓勇 ,  黄泓帆 ,  张卫

IPC: H01L29/788 ,  H01L29/423 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明属于半导体功率器件技术领域，具体为一种半浮栅功率器件。该半浮栅功率器件包括一个氮化镓高电子迁移率晶体管或碳化硅场效应晶体管；一个二极管，该二极管的阳极与所述氮化镓高电子迁移率晶体管或碳化硅场效应晶体管的栅极连接，该二极管的阴极与所述氮化镓高电子迁移率晶体管或碳化硅场效应晶体管的源极或沟道区连接；一个电容器，该电容器的一端与所述氮化镓高电子迁移率晶体管或碳化硅场效应晶体管的栅极连接，该电容器的另一端与外部电压信号连接。本发明的半浮栅功率器件结构简单，适合高压、高速操作并且具有很高的可靠性。

公开(公告)号：CN104183651A

公开(公告)日：2014-12-03

申请号：CN201410402668.9

申请日：2014-08-17

Applicant: 复旦大学

Inventor： 王鹏飞 ,  刘晓勇 ,  黄泓帆 ,  张卫

IPC: H01L29/788 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66446 ,  H01L29/42324 ,  H01L29/42336 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/788

Abstract: 本发明属于氮化镓功率器件技术领域，具体为一种氮化镓半浮栅功率器件及其制造方法。本发明的氮化镓半浮栅功率器件包括氮化镓沟道层中的第一凹槽和第二凹槽，栅介质层覆盖第一凹槽的内表面并将第二凹槽暴露出来，浮栅覆盖第一凹槽和第二凹槽并且在第二凹槽内与氮化镓沟道层接触形成肖特基二极管。本发明的氮化镓半浮栅功率器件结构简单、易于制造，而且本发明的双凹槽结构能够提高氮化镓半浮栅功率器件在工作状态时的阈值电压，使其能够更好地作为功率开关管使用。

公开(公告)号：CN103325671A

公开(公告)日：2013-09-25

申请号：CN201310199694.1

申请日：2013-05-25

Applicant: 复旦大学

Inventor： 王鹏飞 ,  刘晓勇 ,  张卫

IPC: H01L21/28

Abstract: 本发明属于半导体器件制造技术领域，具体涉及一种在半导体表面制造T形栅极的方法。本发明采用两层不同的导电材料来作为栅极材料并仅仅依靠这两种导电材料的不同的湿法刻蚀速率来实现T形栅极的制造，工艺过程简单，而且T形栅极的窄的颈部的宽度还能够得到精确的控制。本发明所提出的在半导体表面制造T形栅极的方法特别适用于高电子迁移率器件等半导体器件的栅极的制造中。

公开(公告)号：CN103219378A

公开(公告)日：2013-07-24

申请号：CN201310098173.7

申请日：2013-03-25

Applicant: 复旦大学

Inventor： 张卫 ,  刘晓勇 ,  王鹏飞

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335

Abstract: 本发明属于射频功率器件技术领域，具体涉及一种低寄生电阻射频功率器件及其制备方法。本发明的低寄生电阻射频功率器件，利用栅极侧墙来实现栅极与源极位置的自对准，减小了产品参数的漂移，同时，由于栅极被钝化层保护，可以在栅极形成之后通过外延工艺来形成器件的源极与漏极，降低了源、漏寄生电阻，增强了射频功率器件的电学性能。