公开(公告)号：CN1398426A

公开(公告)日：2003-02-19

申请号：CN99816011.3

申请日：1999-12-14

Applicant: 塞姆特里克斯公司 ,  松下电器产业株式会社

Inventor： 林慎一郎 ,  拉里·D·麦克米伦 ,  卡洛斯·A·帕斯·德阿劳约

IPC: H01L21/316 ,  B05D1/34

CPC classification number: C23C18/1216 ,  C23C18/1291 ,  C23C18/14 ,  H01L21/02197 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02348 ,  H01L21/31691

Abstract: 混合多种液体，每个液体的流量由体积流量控制器(515，535)控制，以形成最终的前体，最终的前体被雾化后淀积在基片上。通过调整体积流量控制器(515，535)来调整液态前体的物理特性，以使在前体被涂敷到基片并被处理时，最终的固体材料薄膜(30，50，236，489，492)具有平滑且平坦的表面(31，51，235，488，493)。通常情况下，该物理特性是前体的粘度，它被选择得相当低，在1－2厘泊范围内。

公开(公告)号：CN1329750A

公开(公告)日：2002-01-02

申请号：CN99812156.8

申请日：1999-09-21

Applicant: 塞姆特里克斯公司 ,  松下电子工业株式会社

Inventor： 科吉·阿里塔 ,  林慎一郎 ,  约瑟夫·D·库奇阿罗 ,  卡洛斯·A·帕斯·德阿劳约

IPC: H01L21/316

CPC classification number: H01L21/02197 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02205 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/31691 ,  H01L27/10852

Abstract: 一种液态前体,用于在集成电路中形成铁电金属氧化物薄膜(313),其中包含超过了化学计量平衡量的金属氧化物。当前体包括用于形成锶、铋、钽、铌酸盐的锶、铋、钽和铌时,这个前体包含过量的钽和铌中的至少一种。电容器包含分层超晶格材料的薄膜(313),此超晶格材料由包含了过量的钽和铌的前体制造,因此在75℃下经过10

公开(公告)号：CN1231063A

公开(公告)日：1999-10-06

申请号：CN97197971.5

申请日：1997-08-18

Applicant: 塞姆特里克斯公司 ,  松下电子工业株式会社

Inventor： 加里·F·德本威克 ,  拉里·D·麦克米伦 ,  纳拉严·索拉亚攀 ,  迈克尔·C·斯科特 ,  卡洛特·A·帕兹德阿罗 ,  林慎一郎

IPC: H01L21/316 ,  C23C18/12

CPC classification number: H01L21/31691 ,  C23C18/1216 ,  C23C18/1225

Abstract: 制备一种溶于二甲苯/甲基乙基酮溶剂中的包含几种2－乙基己酸金属,例如2－乙基己酸锶、钽和铋的原液,在一个真空淀积室(2)内放置一个基底(5,858),在原液中添加少量六甲基乙硅氮烷,并予以雾化,以及使云雾流进淀积室内以在基底上淀积一层原液。对该原液进行干燥、焙烤和退火,以在基底上形成一个分层超晶格材料,例如钽酸锶铋的薄膜(506,860)。然后使分层超晶格材料薄膜的至少一部分含在集成电路的一个元件(604,872)中,从而完成一个集成电路(600,850)。

公开(公告)号：CN1217818A

公开(公告)日：1999-05-26

申请号：CN98800229.9

申请日：1998-03-03

Applicant: 塞姆特里克斯公司 ,  松下电子株式会社

Inventor： 林慎一郎 ,  大槻逹男

IPC: H01L21/3205

CPC classification number: H01L27/11502 ,  H01L21/768 ,  H01L28/55 ,  H01L28/60

Abstract: 一种铁电薄膜电容器(400)具有光滑的电极(412、420),随着铁电电容器老化允许相对较强的极化、较少疲劳及较少印记。光滑电极表面(414、428)是用小心地控制的干燥、轻烘烤及退火条件生成的。

公开(公告)号：CN1213457A

公开(公告)日：1999-04-07

申请号：CN97193062.7

申请日：1997-03-14

Applicant: 塞姆特里克斯公司 ,  松下电子株式会社

Inventor： 拉里·D·麦克米伦 ,  迈克尔·C·斯科特 ,  阿劳约·卡洛斯·A·帕兹德 ,  大槻达男 ,  林慎一郎

IPC: H01L21/316

CPC classification number: H01L21/316 ,  B05D1/00 ,  B05D1/60 ,  B05D3/0493 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/4486 ,  C23C16/45561 ,  C23C16/4558 ,  C23C16/46 ,  C23C16/482 ,  C23C16/52 ,  C23C18/1212 ,  C23C18/1287 ,  C23C18/14 ,  C23C26/02 ,  C30B7/00 ,  C30B29/68 ,  H01L21/314 ,  H01L21/31691 ,  H01L27/11502 ,  H01L28/55 ,  H01L28/56 ,  H01L28/60 ,  H01L41/316 ,  H05K3/105

Abstract: 制备一种包括在二甲苯溶剂中的硅的前体液体(64),衬底(5,71)放置到真空沉淀室(2)中,前体液体被雾化,并在将沉淀室维持在室温时将雾气(66)流入沉淀室中,以在衬底上沉淀前体液体层。此液体被干燥、烘干、以及退火,以在衬底上形成二氧化硅或硅玻璃的薄膜(1224,77)。然后,完成集成电路(100),以便至少包括一部分二氧化硅或硅玻璃作为集成电路中电子设备(76)的绝缘体(77)。