-
公开(公告)号：CN103922275B
公开(公告)日：2015-07-15
申请号：CN201410007808.2
申请日：2014-01-08
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： A·阿夫扎利-阿尔达卡尼 , 栾斌全 , G·A·斯托洛维茨基 , 王超 , 王德强
CPC classification number: H01B13/06 , B82Y40/00 , G01N33/48721 , Y10S977/70
Abstract: 本发明涉及晶片级自形成纳米通道及其制造方法。提供了一种制造纳米器件的纳米通道的机制。在衬底上沉积绝缘膜。在所述膜上构图纳米线。在所述纳米线和膜上沉积绝缘材料。在所述绝缘材料中形成第一圆形孔洞作为入口，所述第一圆形孔洞在所述纳米线的第一末端上方从而暴露所述第一末端。形成第二圆形孔洞作为出口，所述第二圆形孔洞在所述纳米线的与所述第一末端相对的第二末端上方从而暴露所述第二末端。通过所述第一和第二孔洞中的蚀刻剂蚀刻掉所述纳米线，纳米通道连接所述第一和第二孔洞。在所述第一圆形孔洞上附着第一储存器使其在所述第一末端原先的位置处与所述纳米通道连接。在所述第二圆形孔洞上附着第二储存器使其在所述第二末端原先的位置处与所述纳米通道连接。
-
公开(公告)号：CN103946964A
公开(公告)日：2014-07-23
申请号：CN201280057589.8
申请日：2012-11-16
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： A·阿夫扎利-阿尔达卡尼 , C·布佩施 , G·S·图勒夫斯基
IPC: H01L21/336 , H01L29/167
CPC classification number: H01L29/778 , B82Y10/00 , H01L29/1606 , H01L51/002 , H01L51/0048 , H01L51/0558
Abstract: 一种用于掺杂石墨烯或者碳纳米管薄膜场效应晶体管器件以改善电子迁移率的方法和装置。该方法包括选择性施加掺杂剂到石墨烯或者纳米管薄膜场效应晶体管器件的沟道区域以改善场效应晶体管器件的电子迁移率。
-
公开(公告)号：CN103935985A
公开(公告)日：2014-07-23
申请号：CN201410022613.5
申请日：2014-01-17
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： A·阿夫扎利-阿尔达卡尼 , A·A·马鲁夫 , G·J·马蒂纳
CPC classification number: C01B31/0484 , B82Y40/00 , C01B32/194 , C01B2204/20 , Y10S977/70 , Y10S977/734 , Y10S977/767 , Y10S977/887 , Y10S977/888 , Y10T428/24273
Abstract: 石墨烯纳米网包括具有贯穿其形成的许多孔的石墨烯片。各孔具有由石墨烯片的内缘限定的第一直径。许多钝化元素键合于各孔的内缘。所述许多钝化元素限定第二直径，其小于第一直径以降低所述许多孔中的至少一个孔的总直径。
-
公开(公告)号：CN103827026A
公开(公告)日：2014-05-28
申请号：CN201280046391.X
申请日：2012-08-30
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： A·阿夫扎利-阿尔达卡尼 , G·S·图尔维斯基 , 朴弘植
IPC: C01B31/02
CPC classification number: C07D213/79 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , C07D213/76 , H01L29/0676 , H01L51/0003 , H01L51/0048 , H01L51/0049 , H01L51/0558
Abstract: 一种形成具有选择性地放置的碳纳米管的结构的方法，一种制造带电碳纳米管的方法，一种双官能前体以及一种具有成束最少的高密度碳纳米管层的结构。将碳纳米管选择性地放置在具有两个区域的衬底上。所述第一区域的等电点超过所述第二区域的等电点。将所述衬底浸没在具有锚定端和带电端的双官能前体的溶液中。所述锚定端与所述第一区域键合以形成具有带电端的自组装单层。将具有带电单层的衬底浸没在具有相反电荷的碳纳米管的溶液中以在所述自组装单层上形成碳纳米管层。通过官能化或用离子表面活性剂的涂布制造所述带电的碳纳米管。
-
公开(公告)号：CN101124050B
公开(公告)日：2012-09-05
申请号：CN200680003296.6
申请日：2006-01-05
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： A·阿夫扎利-阿尔达卡尼 , J·B·汉农
Abstract: 本发明提供了一种在特定表面上选择性设置碳纳米管的方法。更具体地说，本发明提供了一种方法，其中使用在未构图或构图金属氧化物表面上形成的自组装单层从包括碳纳米管的分散体吸引或排斥碳纳米管。根据本发明，碳纳米管可以被吸引到自组装单层以附着到金属氧化物表面上，或它们可以被自组装单层排斥而接合到与包括自组装单层的金属氧化物表面不同的预定表面。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115956304A
公开(公告)日：2023-04-11
申请号：CN202180050375.7
申请日：2021-07-28
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： T·K·托多洛夫 , J·柯林斯 , A·阿夫扎利-阿尔达卡尼 , J·德索萨 , D·萨达纳
IPC: H01M4/1395
Abstract: 硅基电极与层对形成界面，所述层对为：1.由锂(Li)化合物，例如氟化锂LiF，制成的薄的半介电层，其设置在硅基电极的电极表面上并与其粘附，和2.含锂盐的熔融离子导电层(锂盐层)，其设置在半介电层上。一个或多个器件层可以设置在层对上以制造诸如能量存储装置的装置，如电池。该界面具有低电阻率，其减少了能量损失和器件产生的热量。
-
公开(公告)号：CN103946964B
公开(公告)日：2017-04-05
申请号：CN201280057589.8
申请日：2012-11-16
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： A·阿夫扎利-阿尔达卡尼 , C·布佩施 , G·S·图勒夫斯基
IPC: H01L21/336 , H01L29/167
CPC classification number: H01L29/778 , B82Y10/00 , H01L29/1606 , H01L51/002 , H01L51/0048 , H01L51/0558
Abstract: 一种用于掺杂石墨烯或者碳纳米管薄膜场效应晶体管器件以改善电子迁移率的方法和装置。该方法包括选择性施加掺杂剂到石墨烯或者纳米管薄膜场效应晶体管器件的沟道区域以改善场效应晶体管器件的电子迁移率。
-
公开(公告)号：CN103796947B
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201280043948.4
申请日：2012-09-06
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： 彭红波 , 栾斌全 , A·阿夫扎利-阿尔达卡尼
CPC classification number: B82Y30/00 , B82Y40/00 , C12Q1/6869 , C25D3/665 , C25D5/028 , C25D13/04 , G01N33/48721
Abstract: 提供一种用于将纳米管嵌入纳米孔中的技术。膜将容器分隔为第一容器部和第二容器部，以及所述纳米孔穿过所述膜形成以连接所述第一和第二容器部。离子流体填充所述纳米孔、所述第一容器部和所述第二容器部。第一电极被浸入所述第一容器部，以及第二电极被浸入所述第二容器部。将所述纳米管驱入所述纳米孔使得所述纳米孔的内表面通过有机涂层形成与所述纳米管的外表面的共价接合，以便所述纳米管的内表面将是具有超平滑表面的新纳米孔，以用于在生物分子穿过所述纳米管移动时研究生物分子。
-
公开(公告)号：CN103935985B
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201410022613.5
申请日：2014-01-17
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： A·阿夫扎利-阿尔达卡尼 , A·A·马鲁夫 , G·J·马蒂纳
CPC classification number: C01B31/0484 , B82Y40/00 , C01B32/194 , C01B2204/20 , Y10S977/70 , Y10S977/734 , Y10S977/767 , Y10S977/887 , Y10S977/888 , Y10T428/24273
Abstract: 石墨烯纳米网包括具有贯穿其形成的许多孔的石墨烯片。各孔具有由石墨烯片的内缘限定的第一直径。许多钝化元素键合于各孔的内缘。所述许多钝化元素限定第二直径，其小于第一直径以降低所述许多孔中的至少一个孔的总直径。
-
公开(公告)号：CN103822947B
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201310571375.9
申请日：2013-11-13
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： A·阿夫扎利-阿尔达卡尼 , C·P·帝米克 , A·雅戈迪亚尼 , S·扎法尔
IPC: G01N27/22
CPC classification number: G01N27/221 , G01D5/24 , G01N27/227 , G01N27/3276 , G01N27/4167 , G01R1/00 , G01R27/26 , G06F3/044
Abstract: 本发明涉及一种使用容性传感器确定生物分子的等电点的方法和系统。提供一种用于确定分子的等电点的机制。测量电容器的第一组电容-电压曲线。所述电容器包括衬底、介电层和导电溶液。在所述分子未与所述电容器的所述介电层上的功能化材料结合的情况下，针对所述溶液的pH值测量所述第一组曲线。当所述分子存在于所述溶液中时，测量所述电容器的第二组电容-电压曲线，其中所述分子与所述电容器的所述介电层的所述功能化材料结合。在每个pH值处，确定所述第二组曲线从所述第一组曲线的移位。当将所述移位与所述pH值相比较时，通过外推与移位电压为零对应的pH值而确定所述分子的所述等电点。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
24
records
(took 0.021 seconds)
