公开(公告)号：CN104246994A

公开(公告)日：2014-12-24

申请号：CN201380020206.4

申请日：2013-04-17

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： T·N·亚当 ,  程慷果 ,  A·克哈基弗尔鲁茨 ,  A·雷茨尼采克

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/78 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/20 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785

Abstract: 一种半导体器件包含衬底表面上的至少两个鳍结构和存在于所述至少两个鳍结构上的功能栅极结构。功能栅极结构包含至少与两个鳍结构的侧壁直接接触的至少一个栅极电介质和所述至少一个栅极电介质上的至少一个栅极导体。栅极结构的侧壁与衬底表面的上表面基本上垂直，其中，由栅极结构的侧壁限定的平面和由衬底表面的上表面限定的平面以90°±5°的角度相交。外延半导体材料与所述至少两个鳍结构直接接触。

公开(公告)号：CN103871896A

公开(公告)日：2014-06-18

申请号：CN201310628671.8

申请日：2013-11-29

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： T·N·亚当 ,  程慷果 ,  A·克哈基弗尔鲁茨 ,  A·雷茨尼采克

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/08 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7848 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/165 ,  H01L29/4983 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66772 ,  H01L29/7841 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78654

Abstract: 本发明涉及半导体结构和制造方法。一种FET结构，包括外延的源极区和漏极区，其包括大的接触面积并表现出低电阻率和低栅极至源极/漏极寄生电容。横向刻蚀所述源极区和漏极区而不包括所述源极区/漏极区之间以及其相关联的接触的所述接触面积，以提供用于容纳低k电介质材料的凹陷。在所述抬升的源极区/漏极区和栅极导体之间，同时在所述栅极导体和诸如ETSOI或PDSOI衬底的衬底之间提供高k电介质层。所述结构可以用在诸如MOSFET装置的微电子装置中。

公开(公告)号：CN104246994B

公开(公告)日：2017-09-08

申请号：CN201380020206.4

申请日：2013-04-17

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： T·N·亚当 ,  程慷果 ,  A·克哈基弗尔鲁茨 ,  A·雷茨尼采克

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/78 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/20 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785

Abstract: 一种半导体器件包含衬底表面上的至少两个鳍结构和存在于所述至少两个鳍结构上的功能栅极结构。功能栅极结构包含至少与两个鳍结构的侧壁直接接触的至少一个栅极电介质和所述至少一个栅极电介质上的至少一个栅极导体。栅极结构的侧壁与衬底表面的上表面基本上垂直，其中，由栅极结构的侧壁限定的平面和由衬底表面的上表面限定的平面以90°+/‑5°的角度相交。外延半导体材料与所述至少两个鳍结构直接接触。

公开(公告)号：CN104112776B

公开(公告)日：2017-04-12

申请号：CN201410161352.5

申请日：2014-04-22

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 托马斯·N·亚当 ,  程慷果 ,  A·克哈基弗尔鲁茨 ,  亚历山大·雷茨尼采克 ,  R·斯瑞尼瓦萨恩

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66795

Abstract: 公开了鳍式场效应晶体管（FinFET）结构以及其形成方法。鳍片形成在块体衬底上。晶体绝缘体层形成在块体衬底上，其中鳍片伸出外延氧化物层。围绕鳍片形成从晶体绝缘体层突出的栅。通过在晶体绝缘体层上合并鳍片而在源漏区域形成外延生长半导体区域以形成鳍片合并区域。

公开(公告)号：CN104658912A

公开(公告)日：2015-05-27

申请号：CN201410655550.7

申请日：2014-11-18

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 程慷果 ,  E·C·哈利 ,  柯玥 ,  A·克哈基弗尔鲁茨 ,  A·雷茨尼采克

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/41

CPC classification number: H01L29/7842 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/785 ,  H01L29/7851

Abstract: 本公开涉及半导体结构及其形成方法。半导体结构可包含半导体鳍、半导体鳍之上的栅极、栅极的侧壁上的间隔件、间隔件之下的半导体鳍的端部中的带角度的凹陷区域、以及填充带角度的凹陷的第一半导体区域。带角度的凹陷可以是v形的或Σ形的。该结构还可包含接触第一半导体区域和衬底的第二半导体区域。可通过在衬底上的半导体鳍的一部分之上形成栅极、在栅极的侧壁上形成间隔件、去除半导体鳍的不被间隔件和栅极覆盖的部分以露出鳍的侧壁、蚀刻鳍的侧壁以在间隔件之下形成带角度的凹陷区域、以及用第一外延半导体区域填充带角度的凹陷区域，来形成所述结构。

公开(公告)号：CN104025298A

公开(公告)日：2014-09-03

申请号：CN201280061138.1

申请日：2012-08-07

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 程慷果 ,  T·N·亚当 ,  A·克哈基弗尔鲁茨 ,  A·雷茨尼采克

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L27/12

Abstract: 通过在替换栅极HK/MG(80,85)流程中经由ETSOI(20)层和BOX(15)层进行蚀刻来在晶体管和电容器区域中分别形成ETSOI晶体管以及电容器、结合二极管、背端接触部和电阻器的组合。电容器和其它器件的形成与ETSOI替换栅极CMOS流程兼容。低电阻的电容器电极使得可以获得高质量的电容器和器件。通过光刻与伴随有的适当蚀刻相结合来实现在伪栅极(27)图案化期间不存在形貌。

公开(公告)号：CN103988304A

公开(公告)日：2014-08-13

申请号：CN201280061177.1

申请日：2012-09-13

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 程慷果 ,  B·B.·多丽丝 ,  A·克哈基弗尔鲁茨 ,  G·沙赫迪

IPC: H01L27/04 ,  H01L29/78 ,  H01L29/93

CPC classification number: H01L27/1203 ,  H01L27/0629 ,  H01L27/105 ,  H01L27/10805 ,  H01L28/40 ,  H01L29/66181 ,  H01L29/94

Abstract: ETSOI晶体管和电容器通过在替代栅极HK/MG流程中蚀刻通过ETSOI和薄BOX层，分别在其晶体管和电容器区域中形成。电容器形成与ETSOI替代栅极CMOS流程兼容。低电阻电容器电极使获得高质量电容器或变容管成为可能。通过光刻结合伴随的适当的蚀刻来实现在伪栅图案化期间没有拓扑结构。