公开(公告)号：CN103988304B

公开(公告)日：2017-09-08

申请号：CN201280061177.1

申请日：2012-09-13

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 程慷果 ,  B·B.·多丽丝 ,  A·克哈基弗尔鲁茨 ,  G·沙赫迪

IPC: H01L27/04 ,  H01L29/78 ,  H01L29/93

CPC classification number: H01L27/1203 ,  H01L27/0629 ,  H01L27/105 ,  H01L27/10805 ,  H01L28/40 ,  H01L29/66181 ,  H01L29/94

Abstract: ETSOI晶体管和电容器通过在替代栅极HK/MG流程中蚀刻通过ETSOI和薄BOX层，分别在其晶体管和电容器区域中形成。电容器形成与ETSOI替代栅极CMOS流程兼容。低电阻电容器电极使获得高质量电容器或变容管成为可能。通过光刻结合伴随的适当的蚀刻来实现在伪栅图案化期间没有拓扑结构。

公开(公告)号：CN103988304A

公开(公告)日：2014-08-13

申请号：CN201280061177.1

申请日：2012-09-13

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 程慷果 ,  B·B.·多丽丝 ,  A·克哈基弗尔鲁茨 ,  G·沙赫迪

IPC: H01L27/04 ,  H01L29/78 ,  H01L29/93

CPC classification number: H01L27/1203 ,  H01L27/0629 ,  H01L27/105 ,  H01L27/10805 ,  H01L28/40 ,  H01L29/66181 ,  H01L29/94

Abstract: ETSOI晶体管和电容器通过在替代栅极HK/MG流程中蚀刻通过ETSOI和薄BOX层，分别在其晶体管和电容器区域中形成。电容器形成与ETSOI替代栅极CMOS流程兼容。低电阻电容器电极使获得高质量电容器或变容管成为可能。通过光刻结合伴随的适当的蚀刻来实现在伪栅图案化期间没有拓扑结构。

公开(公告)号：CN105144366A

公开(公告)日：2015-12-09

申请号：CN201480023489.2

申请日：2014-10-14

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 程慷果 ,  B·B.·多丽丝 ,  S·J·福尔摩斯 ,  A·克哈基弗尔鲁茨

IPC: H01L21/8238 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L27/1211 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/845 ,  H01L27/0924

Abstract: 一种形成CMOS场效应晶体管的改进的结构和方法。在实施例中，在半导体结构的PFET侧形成锗硅(SiGe)，而硅置于半导体结构的NFET侧。在PFET和NFET之间形成窄的隔离区。NFET鳍由硅构成而PFET鳍由锗硅构成。