公开(公告)号：CN113787795A

公开(公告)日：2021-12-14

申请号：CN202110919482.0

申请日：2021-08-11

Applicant: 哈尔滨理工大学

Inventor： 翁凌 ,  邱金月 ,  关丽珠 ,  王小明

IPC: B32B27/30 ,  B32B27/08 ,  B32B27/02 ,  B32B27/28 ,  B32B27/18 ,  B32B37/06 ,  B32B37/10 ,  D01F8/16 ,  D01F8/10

Abstract: 本发明公开了一种三明治结构聚吡咯/聚偏氟乙烯复合薄膜的制备方法；属于高储能密度电介质电容器应用领域。本发明解决了掺杂填料导致击穿强度过低的问题。本发明复合薄膜分为三层，上层和下层为聚偏氟乙烯薄膜，中间层为掺杂态聚吡咯/聚偏氟乙烯复合薄膜。上层和下层采用流延法制得；采用静电纺丝法制备中间层；在通过热压法获得三明治结构复合薄膜。本发明三明治结构的引入大大提高了复合薄膜的击穿强度，且具有较低的损耗。三明治结构聚吡咯/聚偏氟乙烯复合薄膜的储能性能优异，设计方案简单，安全，在储能领域将具有很好的潜力，特别是在电气和电子设备的小型化，轻量化和集成方面有更明显的作用。

公开(公告)号：CN111618312B

公开(公告)日：2022-11-08

申请号：CN202010349859.9

申请日：2020-04-28

Applicant: 哈尔滨理工大学

Inventor： 翁凌 ,  姜丽影 ,  王小明 ,  张笑瑞 ,  刘立柱

IPC: B22F9/24 ,  B22F1/16 ,  B22F1/06 ,  B82Y40/00 ,  H01G4/14

Abstract: 本发明公开了棒状Ag粉体的制备方法及棒状Ag@BST核壳粒子的制备方法和应用；属于微电容器的技术领域。本发明要解决棒状纳米银作为单一填料时，当达到渗流阈值时，提高介电常数的同时也会降低击穿强、增大介电损耗，进而降低储能密度的问题，这限制了其在电容器领域的应用。本发明以硝酸银和聚乙烯吡咯烷酮为原料制备棒状纳米Ag，然后通过溶胶凝胶水热法在Ag棒外面包覆一层Ba0.6Sr0.4TiO3，最后洗涤、离心、烘干得到棒状Ag@BST粉体。本发明棒状Ag@BST粉体在可以提高介电常数的同时并且保持一定的击穿场强，这种新型复合材料具有良好的介电性能和储能性能，在静电电容器等储能应用领域具有巨大的潜力。

公开(公告)号：CN113881079B

公开(公告)日：2024-08-06

申请号：CN202111061524.8

申请日：2021-09-10

Applicant: 哈尔滨理工大学

Inventor： 翁凌 ,  于亚廷 ,  徐航 ,  王小明 ,  关丽珠

IPC: C08J5/18 ,  C08L27/16 ,  C08L79/04 ,  C08K9/10 ,  C08K3/04 ,  H01G4/18 ,  G11C11/34

Abstract: 一种高介电常数和低介电损耗的聚合物复合薄膜及其制备方法和应用，属于嵌入式电容器和半导体存储器件等应用领域。本发明要解决相比无机陶瓷材料的高介电常数，聚偏氟乙烯及其共聚物还难以满足现在嵌入式电容器以及半导体储存器件生产应用的需求。本发明所述CNT@PDA是由多巴胺(DA)在碳纳米管(CNT)表面自聚生成聚多巴胺(PDA)而制备，同时改变基体聚合物的种类和填料的添加量，得到一种高介电常数低介电损耗的聚合无机复合材料。本发明广泛用于现代嵌入式电容器和半导体存储器件等的领域。

公开(公告)号：CN113733697B

公开(公告)日：2023-05-19

申请号：CN202110919946.8

申请日：2021-08-11

Applicant: 哈尔滨理工大学

Inventor： 翁凌 ,  张振楠 ,  关丽珠 ,  王小明 ,  郭科

IPC: B32B27/28 ,  B32B27/40 ,  B32B27/08 ,  B32B33/00 ,  B32B3/08 ,  G01L1/00 ,  B29D7/01

Abstract: 本发明公开了一种高灵敏度宽传感范围的柔性复合薄膜及其应用，属于可穿戴传感器和电子皮肤等的应用领域。本发明要解决柔性基底和活性材料的结合力不强、材料的耐用性不强、传感范围不够大的技术问题。本发明柔性复合薄膜包括MXene/TPU复合薄膜和PDMS薄膜，所述PDMS薄膜设置在MXene/TPU复合薄膜两侧并与其粘结为一体；其中，MXene/TPU复合薄膜是采用涂膜法制备TPU薄膜，再喷涂2D的Ti3C2MXene纳米片配置的胶体水溶液后烘干得到的。本发明适用于健康检测、运动讯号、检测机器人动作、可穿戴电子设备等一系列应用。

公开(公告)号：CN113912966A

公开(公告)日：2022-01-11

申请号：CN202111136204.4

申请日：2021-09-27

Applicant: 哈尔滨理工大学

Inventor： 翁凌 ,  苏宇 ,  关丽珠 ,  王小明

IPC: C08L27/16 ,  C08K9/06 ,  C08K7/10 ,  C08K7/08 ,  C08J5/18 ,  B32B27/30 ,  B32B27/20 ,  B32B27/06 ,  B32B37/10

Abstract: 本发明公开了一种高介电性能三元复合材料及其制备方法，属于嵌入式电容器和半导体存储器件等的应用领域。本发明复合材料由聚偏氟乙烯和填料组成，填料为硅烷偶联剂KH550改性碳化硅纳米线和硅烷偶联剂KH570改性四针状氧化锌晶须；是按下述步骤进行的：将KH550‑SiCNWs和KH570‑T‑ZnOw溶于N,N二甲基甲酰胺中，室温超声震荡至少2h，加入PVDF粉末，在室温下超声溶解反应至少4h，得到掺杂改性填料溶胶；然后进行抽滤和抽气泡，然后铺膜，然后烘干，得到复合薄膜；积叠放后热压，得高介电性能三元复合材料。相较于SiCNWs/PVDF二元复合材料，本发明的三元复合材料具有更加优异的介电性能。