公开(公告)号：CN113787795B

公开(公告)日：2023-06-20

申请号：CN202110919482.0

申请日：2021-08-11

Applicant: 哈尔滨理工大学

Inventor： 翁凌 ,  邱金月 ,  关丽珠 ,  王小明

IPC: B32B27/30 ,  B32B27/08 ,  B32B27/02 ,  B32B27/28 ,  B32B27/18 ,  B32B37/06 ,  B32B37/10 ,  D01F8/16 ,  D01F8/10

Abstract: 本发明公开了一种三明治结构聚吡咯/聚偏氟乙烯复合薄膜的制备方法；属于高储能密度电介质电容器应用领域。本发明解决了掺杂填料导致击穿强度过低的问题。本发明复合薄膜分为三层，上层和下层为聚偏氟乙烯薄膜，中间层为掺杂态聚吡咯/聚偏氟乙烯复合薄膜。上层和下层采用流延法制得；采用静电纺丝法制备中间层；在通过热压法获得三明治结构复合薄膜。本发明三明治结构的引入大大提高了复合薄膜的击穿强度，且具有较低的损耗。三明治结构聚吡咯/聚偏氟乙烯复合薄膜的储能性能优异，设计方案简单，安全，在储能领域将具有很好的潜力，特别是在电气和电子设备的小型化，轻量化和集成方面有更明显的作用。

公开(公告)号：CN113787795A

公开(公告)日：2021-12-14

申请号：CN202110919482.0

申请日：2021-08-11

Applicant: 哈尔滨理工大学

Inventor： 翁凌 ,  邱金月 ,  关丽珠 ,  王小明

IPC: B32B27/30 ,  B32B27/08 ,  B32B27/02 ,  B32B27/28 ,  B32B27/18 ,  B32B37/06 ,  B32B37/10 ,  D01F8/16 ,  D01F8/10

Abstract: 本发明公开了一种三明治结构聚吡咯/聚偏氟乙烯复合薄膜的制备方法；属于高储能密度电介质电容器应用领域。本发明解决了掺杂填料导致击穿强度过低的问题。本发明复合薄膜分为三层，上层和下层为聚偏氟乙烯薄膜，中间层为掺杂态聚吡咯/聚偏氟乙烯复合薄膜。上层和下层采用流延法制得；采用静电纺丝法制备中间层；在通过热压法获得三明治结构复合薄膜。本发明三明治结构的引入大大提高了复合薄膜的击穿强度，且具有较低的损耗。三明治结构聚吡咯/聚偏氟乙烯复合薄膜的储能性能优异，设计方案简单，安全，在储能领域将具有很好的潜力，特别是在电气和电子设备的小型化，轻量化和集成方面有更明显的作用。