公开(公告)号：CN111618312B

公开(公告)日：2022-11-08

申请号：CN202010349859.9

申请日：2020-04-28

Applicant: 哈尔滨理工大学

Inventor： 翁凌 ,  姜丽影 ,  王小明 ,  张笑瑞 ,  刘立柱

IPC: B22F9/24 ,  B22F1/16 ,  B22F1/06 ,  B82Y40/00 ,  H01G4/14

Abstract: 本发明公开了棒状Ag粉体的制备方法及棒状Ag@BST核壳粒子的制备方法和应用；属于微电容器的技术领域。本发明要解决棒状纳米银作为单一填料时，当达到渗流阈值时，提高介电常数的同时也会降低击穿强、增大介电损耗，进而降低储能密度的问题，这限制了其在电容器领域的应用。本发明以硝酸银和聚乙烯吡咯烷酮为原料制备棒状纳米Ag，然后通过溶胶凝胶水热法在Ag棒外面包覆一层Ba0.6Sr0.4TiO3，最后洗涤、离心、烘干得到棒状Ag@BST粉体。本发明棒状Ag@BST粉体在可以提高介电常数的同时并且保持一定的击穿场强，这种新型复合材料具有良好的介电性能和储能性能，在静电电容器等储能应用领域具有巨大的潜力。

公开(公告)号：CN111618312A

公开(公告)日：2020-09-04

申请号：CN202010349859.9

申请日：2020-04-28

Applicant: 哈尔滨理工大学

Inventor： 翁凌 ,  姜丽影 ,  王小明 ,  张笑瑞 ,  刘立柱

IPC: B22F9/24 ,  B22F1/02 ,  B82Y40/00 ,  H01G4/14

Abstract: 本发明公开了棒状Ag粉体的制备方法及棒状Ag@BST核壳粒子的制备方法和应用；属于微电容器的技术领域。本发明要解决棒状纳米银作为单一填料时，当达到渗流阈值时，提高介电常数的同时也会降低击穿强、增大介电损耗，进而降低储能密度的问题，这限制了其在电容器领域的应用。本发明以硝酸银和聚乙烯吡咯烷酮为原料制备棒状纳米Ag，然后通过溶胶凝胶水热法在Ag棒外面包覆一层Ba0.6Sr0.4TiO3，最后洗涤、离心、烘干得到棒状Ag@BST粉体。本发明棒状Ag@BST粉体在可以提高介电常数的同时并且保持一定的击穿场强，这种新型复合材料具有良好的介电性能和储能性能，在静电电容器等储能应用领域具有巨大的潜力。