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公开(公告)号：CN112432924B
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202011302618.5
申请日：2020-11-19
Applicant: 哈尔滨理工大学
IPC: G01N21/41 , G01N21/552 , G01N21/01
Abstract: 本发明专利提供了基于SPR的方孔光子晶体光纤折射率传感装置及方法，由宽带光源、偏振器、流通池、D型光子晶体光纤、单模光纤、光谱分析仪和计算机组成；光纤折射率传感器位于流通池内，流通池内有控制液体分析物的入口和出口；D型光子晶体光纤侧面抛光表面涂覆银掺杂氧化锌薄膜，与D型光子晶体光纤熔接的单模光纤、涂覆银掺杂氧化锌薄膜的D型光子晶体光纤一起构成所述基于SPR的方孔光子晶体光纤折射率传感装置的探头。利用SPR传感机制，将液体分析物折射率RI的微小变化转换成可测量的损耗峰的变化，实现折射率传感，具有灵敏度高、设计灵活、结构紧凑、稳定性强等优点，在生化分析物检测、水污染监控中具有广泛的应用价值。
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公开(公告)号：CN113690200A
公开(公告)日：2021-11-23
申请号：CN202111083925.3
申请日：2021-09-15
Applicant: 哈尔滨理工大学
IPC: H01L23/31 , H01L29/861 , H01L21/56 , H01L23/29
Abstract: 本发明为酞菁铜薄膜与聚酰亚胺复合封装的酞菁铜薄膜二极管。其组成包括：玻璃衬底，金属Cu薄膜，酞菁铜有机层，金属Al薄膜和封装层组成。其特征在于，所述的封装层包括酞菁铜薄膜封装层和聚酰亚胺封装层，酞菁铜薄膜与聚酰亚胺形成复合封装。酞菁铜薄膜与聚酰亚胺形成的复合封装层可以有效阻隔水氧，从而大大稳定了酞菁铜薄膜二极管的性能，还大大提高了器件的稳定性，延长器件的使用寿命。
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公开(公告)号：CN110426185A
公开(公告)日：2019-11-08
申请号：CN201910822379.7
申请日：2019-09-02
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 本发明公开了一种基于HVS的防蓝光镜片检测系统，属于光学检测领域，其包括：光源系统、准直系统、滤光系统、扩束系统、分光系统、第一测试光路系统与第二测试光路系统；所述的第一测试光路系统与第二测试光路系统可自由放置测量样品，同时也可不放置样品作为参考光路；该系统能快速、准确且直观地检测出不同波长范围和不同强度的光通过防蓝光镜片的特性参数，也可得到未佩戴防蓝光眼镜盒佩戴防蓝光镜片，及常规镜片和防蓝光镜片的不同特性参数。
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公开(公告)号：CN109285948A
公开(公告)日：2019-01-29
申请号：CN201811422834.6
申请日：2018-11-27
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 一种具有横向高阶结构的有机晶体管。目前，新概念“高阶结构自发图案化”(SPHOS)的制造技术一直用来研究垂直型器件。本发明采用聚苯乙烯(PS)球体掩蔽法制备一种具有横向高阶结构的有机晶体管，其组成包括：Si/SiO2衬底（1），所述的衬底上面连接所述的源极Au/Cr薄膜层（2），所述的源极上面连接所述的绝缘层Al2O3薄膜层（3），所述的衬底上面连接所述的有源层PbPc薄膜层（4），所述的有源层PbPc薄膜层上面连接所述的漏级Au薄膜层（5），本发明用于液晶面板驱动，有机集成电路芯片以及其他电子电路等领域中。
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公开(公告)号：CN108447978A
公开(公告)日：2018-08-24
申请号：CN201810329502.7
申请日：2018-04-13
Applicant: 哈尔滨理工大学
CPC classification number: H01L41/0805 , H01L41/18 , H01L41/47
Abstract: 一直以来压电材料都是非常重要的材料，被广泛应用于各个领域。近年来，压电材料的研究已经从含铅的钙钛矿和钛铁矿型压电材料到无机薄膜制造的压电材料，压电传感器的使用已经吸引很多研究者的关注。本发明的目的是提供一种通过测量无机薄膜二极管工作电流电压的变化，实现压力测定的无机薄膜压电二极管传感器。无机薄膜压电二极管，其组成包括：石英玻璃衬底，在玻璃衬底上沉积一层Al薄膜层，所述的Al薄膜层上面的有导电沟道ZnO薄膜层，两者之间形成欧姆接触，所述的ZnO薄膜层上有Ag薄膜层，形成肖特基接触。其中Al薄膜层厚度为20nm，所述的导电沟道ZnO薄膜层厚度为120nm,所述的Ag薄膜层厚度为50nm。所述ZnO薄膜为无机压电敏感膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101196489A
公开(公告)日：2008-06-11
申请号：CN200610151098.6
申请日：2006-12-05
Applicant: 哈尔滨理工大学
IPC: G01N27/414 , H01L51/00
Abstract: 有机薄膜三极管传感器、制作方法及用途，近年来，气体和气味分析的有机气体传感器和感应器阵列的使用已经吸引了很多研究者的关注。本发明是通过测量有机三极管传感器工作电流的变化，实现特定气体微量的测定的有机三极管传感器。有机薄膜三极管传感器，其组成包括：铝蒸发膜构成的栅极，所述的铝蒸发膜栅极两侧具有有机半导体的酞菁铜薄膜，两者之间形成肖特基壁垒，源极和漏极采用与酞菁铜蒸发膜成欧姆性接触的金蒸发膜，所述的漏极为多孔的金电极，所述的漏极和酞菁铜之间具有有机气体敏感膜。
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公开(公告)号：CN107681051A
公开(公告)日：2018-02-09
申请号：CN201710830340.0
申请日：2017-09-15
Applicant: 哈尔滨理工大学
CPC classification number: H01L51/0579 , H01L51/107
Abstract: 本发明为PI封装的垂直结构酞菁钴薄膜二极管。其组成包括：玻璃衬底，在玻璃衬底上沉积一层Cu薄膜，Cu薄膜与接下来的CoPc薄膜形成欧姆接触，CoPc薄膜与接下来的Al薄膜形成具有整流效应的肖特基接触，形成垂直结构的有机薄膜二极管，最后将聚酰亚胺薄膜用环氧树脂以紫外线固化对有机薄膜二极管进行封装。其中Cu薄膜层的厚度为80nm，所述的CoPc薄膜层的厚度为220nm，所述的金属Al薄膜层的厚度20nm，所述的PI封装薄膜层厚度为28um。得到的采用聚酰亚胺致密薄膜封装后的器件有效的阻隔了外界环境对器件的损坏，维持器件的稳定性，减缓垂直结构酞菁钴薄膜二极管的性能和寿命的衰减速度。
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公开(公告)号：CN102779855B
公开(公告)日：2015-08-12
申请号：CN201210232866.6
申请日：2012-07-06
Applicant: 哈尔滨理工大学
IPC: H01L29/786 , H01L21/34
Abstract: 双肖特基结氧化锌半导体薄膜晶体管及制作方法。目前国内外研究的ZnO薄膜晶体管主要采用顶栅与底栅场效应结构。一种双肖特基结氧化锌半导体薄膜晶体管，其组成包括：底衬板（1），所述的底衬板上面连接源极Ag薄膜层（2），所述的源极Ag薄膜层上面连接导电沟道ZnO薄膜层（3），所述的导电沟道ZnO薄膜层上面连接栅极半绝缘Al薄膜层（4），所述的栅极半绝缘Al薄膜层上面连接所述的导电沟道ZnO薄膜层，所述的导电沟道ZnO薄膜上层上面连接所述的漏极Ag薄膜层（5）。本发明用于有源矩阵有机发光显示器的驱动单元、高密度集成电路以及其他电子电路等领域中。
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公开(公告)号：CN102779855A
公开(公告)日：2012-11-14
申请号：CN201210232866.6
申请日：2012-07-06
Applicant: 哈尔滨理工大学
IPC: H01L29/786 , H01L21/34
Abstract: 双肖特基结氧化锌半导体薄膜晶体管及制作方法。目前国内外研究的ZnO薄膜晶体管主要采用顶栅与底栅场效应结构。一种双肖特基结氧化锌半导体薄膜晶体管，其组成包括：底衬板（1），所述的底衬板上面连接源极Ag薄膜层（2），所述的源极Ag薄膜层上面连接导电沟道ZnO薄膜层（3），所述的导电沟道ZnO薄膜层上面连接栅极半绝缘Al薄膜层（4），所述的栅极半绝缘Al薄膜层上面连接所述的导电沟道ZnO薄膜层，所述的导电沟道ZnO薄膜上层上面连接所述的漏极Ag薄膜层（5）。本发明用于有源矩阵有机发光显示器的驱动单元、高密度集成电路以及其他电子电路等领域中。
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公开(公告)号：CN112432923B
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202011298539.1
申请日：2020-11-19
Applicant: 哈尔滨理工大学
IPC: G01N21/41 , G01N21/552 , G01N21/01
Abstract: 本发明专利提供了三角形气孔的D型光子晶体光纤折射率传感器装置及方法，由宽带光源、偏振器、流通池、D型光子晶体光纤、单模光纤、光谱分析仪和计算机组成；光纤折射率传感器位于流通池内，流通池内有控制液体分析物的入口和出口；D型光子晶体光纤侧面抛光表面涂覆银掺杂氧化锌薄膜，与D型光子晶体光纤熔接的单模光纤、涂覆银掺杂氧化锌薄膜的D型光子晶体光纤一起构成所述三角形气孔的D型光子晶体光纤折射率传感装置的探头。利用SPR传感机制，将液体分析物折射率RI的微小变化转换成可测量的损耗峰的变化，实现折射率传感，具有灵敏度高、设计灵活、结构紧凑、稳定性强等优点，在生化分析物检测、水污染监控中具有广泛的应用价值。
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