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公开(公告)号：CN114612782A
公开(公告)日：2022-06-10
申请号：CN202210252797.9
申请日：2022-03-15
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 本发明公开了一种基于遥感影像的建筑物检测系统，涉及建筑物检测技术领域；它使用UNet编码‑解码结构对建筑物进行语义分割，并以此为基础对语义分割模型的结构和参数进行优化；在解决建筑物变化检测问题时，构建端到端的变化检测网络，增加模型的感受野，提高网络对不同密集程度建筑物的检测精度；以语义分割模型为基础，搭建孪生网络同时输入灾害前后的遥感影像，利用变化检测的方法实现对建筑物损毁程度检测的四分类；本发明能够提高检测的精度，同时能够获取设备不同、季节变化和背景的差异；端到端的建筑物变化检测模型能够直接输出建筑物的变化，减少建筑物变化检测的结果存在误判的情况。
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公开(公告)号：CN107834209A
公开(公告)日：2018-03-23
申请号：CN201711278609.5
申请日：2017-12-06
Applicant: 哈尔滨理工大学
IPC: H01Q17/00
CPC classification number: H01Q17/00
Abstract: 本发明涉及的是一种三频带超材料吸收器，所述的超材料结构自下至上依次为底部全反射金属层、中间损耗介质层以及顶层的金属设计图样，三层结构紧密贴合。设计的金属图样为同一平面相互分立的三部份，包括外部正方形环、中间圆环和中心带短边类十字结构，三部分同正方形结构单元同中心。本发明具有吸收率高、极化无关、宽角度入射等特点，并有多个吸收频点工作在太赫兹波段。
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公开(公告)号：CN108666763A
公开(公告)日：2018-10-16
申请号：CN201810335032.5
申请日：2018-04-15
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 本发明公开了一种基于高掺杂半导体的高效宽带太赫兹吸收器，该半导体宽带太赫兹吸收器共由两层结构组成，顶层由一圆环和一圆柱体构成，衬底是正方体，该宽带太赫兹吸收器所用材料均为同等掺杂浓度的高掺杂半导体，其基于硅材料通过高掺杂在太赫兹波段形成了等离子体材料，实现了入射到结构表面的电磁波几乎完全被吸收的特性，本发明拥有结构简单、无需多层材料堆叠、便于加工、极化不敏感、吸收效率高、吸收频带较宽与宽角度吸收等特点，可基本满足对太赫兹吸收方面的应用的要求。
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公开(公告)号：CN102779855B
公开(公告)日：2015-08-12
申请号：CN201210232866.6
申请日：2012-07-06
Applicant: 哈尔滨理工大学
IPC: H01L29/786 , H01L21/34
Abstract: 双肖特基结氧化锌半导体薄膜晶体管及制作方法。目前国内外研究的ZnO薄膜晶体管主要采用顶栅与底栅场效应结构。一种双肖特基结氧化锌半导体薄膜晶体管，其组成包括：底衬板（1），所述的底衬板上面连接源极Ag薄膜层（2），所述的源极Ag薄膜层上面连接导电沟道ZnO薄膜层（3），所述的导电沟道ZnO薄膜层上面连接栅极半绝缘Al薄膜层（4），所述的栅极半绝缘Al薄膜层上面连接所述的导电沟道ZnO薄膜层，所述的导电沟道ZnO薄膜上层上面连接所述的漏极Ag薄膜层（5）。本发明用于有源矩阵有机发光显示器的驱动单元、高密度集成电路以及其他电子电路等领域中。
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公开(公告)号：CN102779855A
公开(公告)日：2012-11-14
申请号：CN201210232866.6
申请日：2012-07-06
Applicant: 哈尔滨理工大学
IPC: H01L29/786 , H01L21/34
Abstract: 双肖特基结氧化锌半导体薄膜晶体管及制作方法。目前国内外研究的ZnO薄膜晶体管主要采用顶栅与底栅场效应结构。一种双肖特基结氧化锌半导体薄膜晶体管，其组成包括：底衬板（1），所述的底衬板上面连接源极Ag薄膜层（2），所述的源极Ag薄膜层上面连接导电沟道ZnO薄膜层（3），所述的导电沟道ZnO薄膜层上面连接栅极半绝缘Al薄膜层（4），所述的栅极半绝缘Al薄膜层上面连接所述的导电沟道ZnO薄膜层，所述的导电沟道ZnO薄膜上层上面连接所述的漏极Ag薄膜层（5）。本发明用于有源矩阵有机发光显示器的驱动单元、高密度集成电路以及其他电子电路等领域中。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN216770585U
公开(公告)日：2022-06-17
申请号：CN202220238550.7
申请日：2022-01-28
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 本实用新型公开了一种建筑物检测装置，涉及建筑检测技术领域；靠板体的外上侧安装有连接杆，连接杆与靠板体为垂直设置，连接杆的后端与表盘体连接，表盘体的中心位置通过转轴与摆杆的连接，摆杆的下端穿接在表盘体的活动槽内并延伸出活动槽的外部，摆杆的上端安装有指针，摆杆的下端内部设置有内螺纹孔，安装杆的上端设置有外螺纹，外螺纹上连接有锁紧螺母，安装杆通过外螺纹与摆杆的内螺纹连接，安装杆的下端安装有配重块，配重块的两侧均连接有锤体，靠板体的侧壁上安装有把手；本实用新型能够实现快速检测垂直度以及空鼓现象，使用方便，且便于快速操作，稳定性高；结构简单，能够提高整体的效率，操作简便，且能够节省检测的时间。
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公开(公告)号：CN202259698U
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN201120410530.5
申请日：2011-10-25
Applicant: 哈尔滨理工大学
IPC: H01Q17/00
Abstract: 基于分形结构多带极化不敏感太赫兹超材料吸收器，属于电磁器件领域，本实用新型为解决现有的太赫兹超材料吸收器存在电磁波极化敏感和吸收带宽窄的问题。本实用新型包括衬底、下金属地板层、绝缘介质层和上金属层，衬底上依次设置下金属地板层、绝缘介质层和上金属层，所述上金属层由主谐振结构、次谐振结构和第三谐振结构构成，主谐振结构为十字交叉结构的偶极子，在主谐振结构的偶极子的每个末端均设置有一个次谐振结构，所述次谐振结构为十字交叉结构的偶极子，所述次谐振结构与主谐振结构为一体结构，在次谐振结构的三个外部末端均设置有一个第三谐振结构，所述第三谐振结构为十字交叉结构的偶极子，所述第三谐振结构与次谐振结构为一体结构。
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公开(公告)号：CN202231159U
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201120410538.1
申请日：2011-10-25
Applicant: 哈尔滨理工大学
IPC: H01Q17/00
Abstract: 磁控微机械系统双带可调微波超材料吸收器，属于电磁器件领域，本实用新型为解决现有的可调超材料吸收器存在带宽窄、结构复杂、精度不高、不能集成以及制备成本高的问题。本实用新型包括衬底、下金属地板层、绝缘介质层、电子开口谐振环层和悬臂梁，衬底上依次设置有下金属地板层、绝缘介质层和电子开口谐振环层，电子开口谐振环层上的左端开口连接条、中间开口连接条和右端开口连接条的中部为断开的开口部位；开口部位上分别设置有一个悬臂梁；悬臂梁包括支撑件、下层微梁、上层微梁和敏感材料层，下层微梁的上表面依次设置有上层微梁、敏感材料层，下层微梁和上层微梁表面尺寸相同，敏感材料层表面尺寸为上层微梁表面尺寸的一半。
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公开(公告)号：CN202633321U
公开(公告)日：2012-12-26
申请号：CN201220325576.1
申请日：2012-07-06
Applicant: 哈尔滨理工大学
IPC: H01L29/786
Abstract: 双肖特基结氧化锌半导体薄膜晶体管。目前国内外研究的ZnO薄膜晶体管主要采用顶栅与底栅场效应结构。一种双肖特基结氧化锌半导体薄膜晶体管，其组成包括：底衬板（1），所述的底衬板上面连接源极Ag薄膜层（2），所述的源极Ag薄膜层上面连接导电沟道ZnO薄膜层（3），所述的导电沟道ZnO薄膜层上面连接栅极半绝缘Al薄膜层（4），所述的栅极半绝缘Al薄膜层上面连接所述的导电沟道ZnO薄膜层，所述的导电沟道ZnO薄膜上层上面连接所述的漏极Ag薄膜层（5）。本实用新型用于有源矩阵有机发光显示器的驱动单元、高密度集成电路以及其他电子电路等领域中。
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公开(公告)号：CN208256914U
公开(公告)日：2018-12-18
申请号：CN201721681915.9
申请日：2017-12-06
Applicant: 哈尔滨理工大学
IPC: H01Q17/00
Abstract: 本实用新型涉及的是一种宽角度极化不敏感太赫兹三带吸收器，所述的超材料结构自下至上依次为底部全反射金属层、中间损耗介质层以及顶层的金属设计图样，三层结构紧密贴合。设计的金属图样为同一平面相互分立的三部份，包括外部正方形环、中间圆环和中心带短边类十字结构，三部分同正方形结构单元同中心。本实用新型具有吸收率高、极化无关、宽角度入射等特点，并有多个吸收频点工作在太赫兹波段。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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