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公开(公告)号：CN101196489A
公开(公告)日：2008-06-11
申请号：CN200610151098.6
申请日：2006-12-05
Applicant: 哈尔滨理工大学
IPC: G01N27/414 , H01L51/00
Abstract: 有机薄膜三极管传感器、制作方法及用途，近年来，气体和气味分析的有机气体传感器和感应器阵列的使用已经吸引了很多研究者的关注。本发明是通过测量有机三极管传感器工作电流的变化，实现特定气体微量的测定的有机三极管传感器。有机薄膜三极管传感器，其组成包括：铝蒸发膜构成的栅极，所述的铝蒸发膜栅极两侧具有有机半导体的酞菁铜薄膜，两者之间形成肖特基壁垒，源极和漏极采用与酞菁铜蒸发膜成欧姆性接触的金蒸发膜，所述的漏极为多孔的金电极，所述的漏极和酞菁铜之间具有有机气体敏感膜。
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公开(公告)号：CN101197425B
公开(公告)日：2010-11-10
申请号：CN200610151099.0
申请日：2006-12-05
Applicant: 哈尔滨理工大学
CPC classification number: Y02E10/549
Abstract: 有机光电三极管、制作方法及用途，近年来，有机薄膜三极管、有机发光二极管，以及有机二极管的研究，已从有机小分子半导体材料扩展到导电共扼高聚物，并把焦点集中在器件的物理机构和改善器件的性能以达到实用化水平上。本发明的组成包括：铝蒸发膜构成的栅极，所述的铝蒸发膜栅极两侧具有有机半导体的酞菁铜薄膜，两者之间形成肖特基壁垒，源极和漏极采用与酞菁铜蒸发膜成欧姆性接触的金蒸发膜，所述的酞菁铜采用镧系金属配合物的双核酞菁、稀土金属配位的三明治结构酞菁、16氟取代的酞菁锌，位于所述的铝蒸发膜栅极上侧的酞菁铜薄膜膜厚度为60-80nm、位于所述的铝蒸发膜栅极下侧的酞菁铜薄膜膜厚度为120-140nm，铝蒸发膜栅极厚度为17-22nm。本产品用于光电传感器件。
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公开(公告)号：CN101883037A
公开(公告)日：2010-11-10
申请号：CN201010218616.8
申请日：2010-07-06
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 一种RS485总线短路隔离器，它涉及通讯技术领域，它解决了常用的基于RS485总线消防网络支路间的短路隔离的问题。本发明的一种RS485总线短路隔离器包括第一电气接口、无源信号短路自动隔离模块和第二电气接口，所述无源信号短路自动隔离模块包括驱动触发单元、开关驱动单元和RS485总线开关模块；本发明的一种RS485总线短路隔离器还可以是下述结构：它包括第一电气接口、有源前端数据收发模块、有源后端数据收发模块、自动收发控制模块、第二电气接口和稳压电源模块。本发明适用于RS485总线消防网络。
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公开(公告)号：CN101197425A
公开(公告)日：2008-06-11
申请号：CN200610151099.0
申请日：2006-12-05
Applicant: 哈尔滨理工大学
CPC classification number: Y02E10/549
Abstract: 有机光电三极管、制作方法及用途，近年来，有机薄膜三极管、有机发光二极管，以及有机二极管的研究，已从有机小分子半导体材料扩展到导电共扼高聚物，并把焦点集中在器件的物理机构和改善器件的性能以达到实用化水平上。本发明的目的是提供一种具有极高的电流增益，使光电流放大β倍，与有机光电二极管相比，具有极高光电信号转换能力，输出的光电流信号容易处理的光电三极管，其组成包括：铝蒸发膜构成的栅极，所述的铝蒸发膜栅极两侧具有有机半导体的酞菁铜薄膜，两者之间形成肖特基壁垒，源极和漏极采用与酞菁铜蒸发膜成欧姆性接触的金蒸发膜。本产品用于光电传感器件。
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公开(公告)号：CN101196489B
公开(公告)日：2012-06-06
申请号：CN200610151098.6
申请日：2006-12-05
Applicant: 哈尔滨理工大学
IPC: G01N27/414 , H01L51/00
Abstract: 有机薄膜三极管传感器、制作方法及用途，近年来，气体和气味分析的有机气体传感器和感应器阵列的使用已经吸引的很多研究者的关注。本发明是通过测量有机三极管传感器工作电流的变化，实现特定气体微量的测定的有机三极管传感器。有机薄膜三极管传感器，其组成包括：铝蒸发膜构成的栅极，所述的铝蒸发膜栅极两侧具有有机半导体的酞菁铜薄膜，两者之间形成肖特基壁垒，源极和漏极采用与酞菁铜蒸发膜成欧姆性接触的金蒸发膜，所述的漏极为多孔的金电极，所述的漏极和酞菁铜之间具有有机气体敏感膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1897321B
公开(公告)日：2011-01-12
申请号：CN200610067520.X
申请日：2006-02-27
Applicant: 哈尔滨理工大学
IPC: H01L51/05
Abstract: 亚微米厚度有机半导体薄膜三极管，涉及一种有机半导体材料为主体制作的亚微米厚度有机半导体薄膜三极管。目前欧美等发达国家研究的有机薄膜三极管主要是采用OTFT结构。本发明的亚微米厚度有机半导体薄膜三极管，其组成包括：玻璃基板(1)，玻璃基板上具有金(2)、酞菁铜(3)、铝(4)、酞菁铜(5)、金(6)的层状结构复合层，铝膜的厚度为20±10nm，酞菁铜的厚度上层为70±5nm，下层为130±5nm。本产品用作有机的甚至是软体衬底的显示器，随着高性能新型有机半导体材料的开发，本产品可用作高速、高电流密度特性的三极管，可以用于有机显示器、液晶面板的驱动单元，电子标签，有机集成电路芯片等更广泛的领域。
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公开(公告)号：CN101883037B
公开(公告)日：2012-06-13
申请号：CN201010218616.8
申请日：2010-07-06
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 一种RS485总线短路隔离器，它涉及通讯技术领域，它解决了常用的基于RS485总线消防网络支路间的短路隔离的问题。本发明的一种RS485总线短路隔离器包括第一电气接口、无源信号短路自动隔离模块和第二电气接口，所述无源信号短路自动隔离模块包括驱动触发单元、开关驱动单元和RS485总线开关模块；本发明的一种RS485总线短路隔离器还可以是下述结构：它包括第一电气接口、有源前端数据收发模块、有源后端数据收发模块、自动收发控制模块、第二电气接口和稳压电源模块。本发明适用于RS485总线消防网络。
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公开(公告)号：CN102214084A
公开(公告)日：2011-10-12
申请号：CN201110163307.X
申请日：2011-06-17
Applicant: 哈尔滨理工大学
IPC: G06F9/22
Abstract: 八位高速微控制器IP软核，属于集成电路设计技术领域。它解决了传统的基于硬核的微控制器的通用性差的问题。它由有限状态机控制器、数据通道、数据存储器和程序存储器组成，数据通道的数据信号输入输出端连接数据存储器的数据信号输出输入端，数据存储器的控制信号输入端连接有限状态机控制器控制数据存储器读写使能的控制信号输出端，有限状态机控制器的数据通道控制信号输出端连接数据通道的控制信号输入端，数据通道的状态信号输出端连接有限状态机控制器的状态信号输入端，有限状态机控制器的地址信号输出端连接程序存储器的地址信号输入端，程序存储器的指令信号输出端连接有限状态机控制器的指令信号输入端。本发明作为一种微控制器。
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公开(公告)号：CN201733133U
公开(公告)日：2011-02-02
申请号：CN201020509496.2
申请日：2010-08-30
Applicant: 哈尔滨理工大学
IPC: H02J9/06
Abstract: 双电源智能管理系统，涉及双电源切换系统，解决了现有的双电源切换装置灵敏度差、可靠性低的问题，它包括处理器、主电源、备用电源、第一检测模块、第二检测模块、充电模块、切换电路、过流保护电路和输出电路，主电源与备用电源通过处理器完成充放电，主电源与备用电源充分实现智能化切换。当主电源有电时，备用电源处于待测状态，当主电源供电时，如果备用电源欠压，主电源会由处理器控制，通过充电模块把备用电源冲到饱和状态，一旦主电源掉电，备用电源立即投入工作。适用于对电源稳定性要求较高的双电源切换系统。
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公开(公告)号：CN200989893Y
公开(公告)日：2007-12-12
申请号：CN200620022191.2
申请日：2006-12-12
Applicant: 哈尔滨理工大学
IPC: G01N27/414 , H01L51/00
Abstract: 有机薄膜三极管传感器，近年来，气体和气味分析的有机气体传感器和感应器阵列的使用已经吸引的很多研究者的关注。本实用新型是通过测量有机三极管传感器工作电流的变化，实现特定气体微量的测定的有机三极管传感器。有机薄膜三极管传感器，其组成包括：有机薄膜三极管传感器，其组成包括：铝蒸发膜构成的栅极(基极)1，所述的铝蒸发膜栅极两侧具有有机半导体的酞菁铜薄膜2，两者之间形成肖特基壁垒，源极(集电极)3和漏极(发射极)4采用与酞菁铜蒸发膜成欧姆性接触的金蒸发膜，所述的漏极为多孔的金电极，所述的漏极和酞菁铜之间具有有机气体敏感膜。整体附着在玻璃5基板上。本产品用作接收光线的传感器。
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