公开(公告)号：CN102779855B

公开(公告)日：2015-08-12

申请号：CN201210232866.6

申请日：2012-07-06

Applicant: 哈尔滨理工大学

Inventor： 王玥 ,  王东兴 ,  王长昊 ,  梅金硕 ,  田晓华 ,  刘倩 ,  贺训军

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/34

Abstract: 双肖特基结氧化锌半导体薄膜晶体管及制作方法。目前国内外研究的ZnO薄膜晶体管主要采用顶栅与底栅场效应结构。一种双肖特基结氧化锌半导体薄膜晶体管，其组成包括：底衬板（1），所述的底衬板上面连接源极Ag薄膜层（2），所述的源极Ag薄膜层上面连接导电沟道ZnO薄膜层（3），所述的导电沟道ZnO薄膜层上面连接栅极半绝缘Al薄膜层（4），所述的栅极半绝缘Al薄膜层上面连接所述的导电沟道ZnO薄膜层，所述的导电沟道ZnO薄膜上层上面连接所述的漏极Ag薄膜层（5）。本发明用于有源矩阵有机发光显示器的驱动单元、高密度集成电路以及其他电子电路等领域中。

公开(公告)号：CN102779855A

公开(公告)日：2012-11-14

申请号：CN201210232866.6

申请日：2012-07-06

Applicant: 哈尔滨理工大学

Inventor： 王玥 ,  王东兴 ,  王长昊 ,  梅金硕 ,  田晓华 ,  刘倩 ,  贺训军

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/34

Abstract: 双肖特基结氧化锌半导体薄膜晶体管及制作方法。目前国内外研究的ZnO薄膜晶体管主要采用顶栅与底栅场效应结构。一种双肖特基结氧化锌半导体薄膜晶体管，其组成包括：底衬板（1），所述的底衬板上面连接源极Ag薄膜层（2），所述的源极Ag薄膜层上面连接导电沟道ZnO薄膜层（3），所述的导电沟道ZnO薄膜层上面连接栅极半绝缘Al薄膜层（4），所述的栅极半绝缘Al薄膜层上面连接所述的导电沟道ZnO薄膜层，所述的导电沟道ZnO薄膜上层上面连接所述的漏极Ag薄膜层（5）。本发明用于有源矩阵有机发光显示器的驱动单元、高密度集成电路以及其他电子电路等领域中。