公开(公告)号：CN109285948A

公开(公告)日：2019-01-29

申请号：CN201811422834.6

申请日：2018-11-27

Applicant: 哈尔滨理工大学

Inventor： 王东兴 ,  张志文

IPC: H01L51/05 ,  H01L51/40

Abstract: 一种具有横向高阶结构的有机晶体管。目前，新概念“高阶结构自发图案化”(SPHOS)的制造技术一直用来研究垂直型器件。本发明采用聚苯乙烯(PS)球体掩蔽法制备一种具有横向高阶结构的有机晶体管，其组成包括：Si/SiO2衬底（1），所述的衬底上面连接所述的源极Au/Cr薄膜层（2），所述的源极上面连接所述的绝缘层Al2O3薄膜层（3），所述的衬底上面连接所述的有源层PbPc薄膜层（4），所述的有源层PbPc薄膜层上面连接所述的漏级Au薄膜层（5），本发明用于液晶面板驱动，有机集成电路芯片以及其他电子电路等领域中。

公开(公告)号：CN108447978A

公开(公告)日：2018-08-24

申请号：CN201810329502.7

申请日：2018-04-13

Applicant: 哈尔滨理工大学

Inventor： 王东兴 ,  苑丹妮 ,  杨美中 ,  张志文

IPC: H01L41/08 ,  H01L41/47 ,  H01L41/18

CPC classification number: H01L41/0805 ,  H01L41/18 ,  H01L41/47

Abstract: 一直以来压电材料都是非常重要的材料，被广泛应用于各个领域。近年来，压电材料的研究已经从含铅的钙钛矿和钛铁矿型压电材料到无机薄膜制造的压电材料，压电传感器的使用已经吸引很多研究者的关注。本发明的目的是提供一种通过测量无机薄膜二极管工作电流电压的变化，实现压力测定的无机薄膜压电二极管传感器。无机薄膜压电二极管，其组成包括：石英玻璃衬底，在玻璃衬底上沉积一层Al薄膜层，所述的Al薄膜层上面的有导电沟道ZnO薄膜层，两者之间形成欧姆接触，所述的ZnO薄膜层上有Ag薄膜层，形成肖特基接触。其中Al薄膜层厚度为20nm，所述的导电沟道ZnO薄膜层厚度为120nm,所述的Ag薄膜层厚度为50nm。所述ZnO薄膜为无机压电敏感膜。