公开(公告)号：CN115506009A

公开(公告)日：2022-12-23

申请号：CN202211083022.X

申请日：2022-09-06

Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)

Inventor： 陈祖煌 ,  林柏臣

IPC: C30B23/02 ,  C30B29/16 ,  C30B33/02

Abstract: 本发明提供了一种原位氮掺杂外延氧化物单晶薄膜的制备方法，包括：清洗衬底，将衬底至于脉冲激光沉积设备腔体内，通入氧气和氮气的混合物，待腔内气氛均匀稳定后，以氧化物的纯靶材，在衬底上进行脉冲激光沉积，沉积完成后，在同种气氛环境下进行退火。采用本发明的技术方案，通过调控外延生长时的气氛，实现氮元素的掺杂，无需选择特定的靶材即可实现掺杂氧化物薄膜的制备，方法简便有效；不涉及薄膜的二次处理，不会对已制备的高质量薄膜造成破坏。

公开(公告)号：CN115506009B

公开(公告)日：2024-11-12

申请号：CN202211083022.X

申请日：2022-09-06

Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)

Inventor： 陈祖煌 ,  林柏臣

IPC: C30B23/02 ,  C30B29/16 ,  C30B33/02

Abstract: 本发明提供了一种原位氮掺杂外延氧化物单晶薄膜的制备方法，包括：清洗衬底，将衬底至于脉冲激光沉积设备腔体内，通入氧气和氮气的混合物，待腔内气氛均匀稳定后，以氧化物的纯靶材，在衬底上进行脉冲激光沉积，沉积完成后，在同种气氛环境下进行退火。采用本发明的技术方案，通过调控外延生长时的气氛，实现氮元素的掺杂，无需选择特定的靶材即可实现掺杂氧化物薄膜的制备，方法简便有效；不涉及薄膜的二次处理，不会对已制备的高质量薄膜造成破坏。

公开(公告)号：CN113782755B

公开(公告)日：2023-03-03

申请号：CN202110939462.X

申请日：2021-08-16

Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)

Inventor： 邱华军 ,  金泽宇 ,  林熹 ,  陈祖煌 ,  胡凯龙 ,  谢国强 ,  刘兴军

IPC: H01M4/90

Abstract: 本发明涉及材料制备技术领域，具体公开了一种双功能催化剂及其制备方法、及金属空气电池。所述双功能催化剂的制备方法包括S1：将多种金属材料按比例熔炼以获得合金体，所述多种金属材料包括铝、钴、铁、X1、X2，其中所述X1选自铬、镍、钼中的任意两种或三种，所述X2选自铂、钯、金、银、铜中的一种或多种；S2：将所述合金体快速冷却；S3：将快速冷却的合金体置于碱性溶液中进行去合金化处理以获得所述双功能催化剂。

公开(公告)号：CN113718198A

公开(公告)日：2021-11-30

申请号：CN202110832648.5

申请日：2021-07-22

Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)

Inventor： 陈祖煌 ,  张智强 ,  张金萍

IPC: C23C14/08 ,  C23C14/28 ,  C23C14/58 ,  H01F1/03 ,  H01F41/02

Abstract: 本发明提供了一种铁磁绝缘体材料、制备方法及其应用，所述铁磁绝缘体材料的结构式为(Co0.2Cr0.2Fe0.2Mn0.2Ni0.2)3O4，其制备方法包括如下：通过烧结得到(Co0.2Cr0.2Fe0.2Mn0.2Ni0.2)3O4陶瓷靶材；采用(Co0.2Cr0.2Fe0.2Mn0.2Ni0.2)3O4陶瓷靶材，通过脉冲激光沉积的方法在衬底上进行薄膜沉积，得到铁磁绝缘体材料。采用本发明的技术方案，通过多种元素以等摩尔比掺杂，得到的材料能够以单相稳定存在，能够同时具备较强的磁性、较高的电阻率、高居里温度和良好的外延生长性，可以满足磁性器件开发的需求。

公开(公告)号：CN115623851A

公开(公告)日：2023-01-17

申请号：CN202211336278.7

申请日：2022-10-28

Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)

Inventor： 陈祖煌 ,  邵俊达

IPC: H10N30/081 ,  H10N30/853 ,  C30B23/02 ,  C30B29/22 ,  C30B33/00 ,  C30B33/02

Abstract: 本发明提供了一种柔性可弯曲压电氧化物薄膜及其制备方法和应用，该制备方法包括如下步骤：步骤S1，准备水溶性铝酸锶Sr3Al2O6、铌镁酸铅‑钛酸铅固溶体靶材和SrTiO3衬底；步骤S2，采用激光脉冲沉积的方式，将铝酸锶Sr3Al2O6靶材在衬底上进行第一次沉积处理，然后将铌镁酸铅‑钛酸铅固溶体靶材进行第二次沉积处理，得到生长在牺牲层上的铌镁酸铅‑钛酸铅薄膜；步骤S3，将步骤S2的产物浸入水中，待牺牲层溶解后，将铌镁酸铅‑钛酸铅薄膜转移到柔性衬底上。本发明技术方案得到的薄膜能够在具备良好柔韧性的同时，消除衬底的钳制作用，且具有超高的介电、铁电和压电等电学响应；而且制备方法简单。

公开(公告)号：CN115386849A

公开(公告)日：2022-11-25

申请号：CN202211021393.5

申请日：2022-08-24

Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)

Inventor： 陈祖煌 ,  林柏臣 ,  邱华军 ,  张洪健 ,  朱纪欣 ,  张严翼

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/06 ,  C23C14/16 ,  C23C14/18 ,  C23C14/54 ,  C23F1/02 ,  C23F1/18

Abstract: 本发明提供了一种二维自支撑金属材料及其制备方法、及应变传感器，该二维自支撑金属材料的制备方法包括如下步骤：步骤S1，衬底上依次沉积牺牲层和二维金属膜层；步骤S2，将步骤S1得到的材料置于刻蚀溶液中，所述刻蚀溶液选择性刻蚀牺牲层，并保留最外层的二维金属膜层，所述二维金属膜层在刻蚀溶液的表面张力作用下漂浮于所述刻蚀溶液的表面；步骤S3，将漂浮的二维金属膜层转移到其他衬底上。采用本发明的技术方案，先自下而上生长高质量的牺牲层和二维金属层薄膜，然后通过自上而下方法，选择性刻蚀牺牲层，获得了较完整的自支撑二维金属材料，解决了已有技术超薄金属膜难以合成的问题，以及不能兼具大尺寸和厚度可控合成的问题。