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公开(公告)号：CN114632434A
公开(公告)日：2022-06-17
申请号：CN202210277617.2
申请日：2022-03-21
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种纳米SiO2粉体‑糖溶液的制备方法，本发明涉及纳米材料领域，具体涉及一种纳米SiO2粉体‑糖溶液的制备方法。本发明要解决目前较难或无法制备出具有高固相含量、良好分散性和稳定性的纳米SiO2粉体‑糖溶液且制备工艺繁杂的问题。本发明的制备步骤：一、配制糖混合溶液；二、调控溶液的pH值；三、配制纳米SiO2粉体‑糖溶液。本发明可制备出具有高固相含量、良好分散性和稳定性的纳米SiO2粉体‑糖溶液并且具有制备工艺简单的优点。本发明用于制备纳米SiO2粉体‑糖溶液。
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公开(公告)号：CN105502315B
公开(公告)日：2017-11-03
申请号：CN201610060579.X
申请日：2016-01-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C01B21/068 , B82Y40/00
Abstract: 一种原位‑非原位同时生长超长氮化硅纳米材料的方法，涉及一种氮化硅纳米材料的制备方法。本发明是为了解决目前超长氮化硅纳米材料的制备方法需要催化剂，导致产物纯度不高，影响纳米线的高温性能及后续应用、反应条件较为苛刻，如加压、通入易燃性气体等，导致操作安全性较低，对设备要求较高的技术问题。本发明：一、制备预制粉体；二、煅烧。本发明操作过程较为简单、设备要求低、安全系数高等。本发明应用于制备超长氮化硅纳米材料。
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公开(公告)号：CN104787765A
公开(公告)日：2015-07-22
申请号：CN201510178022.1
申请日：2015-04-15
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种利用无机粉体制备超长SiC纳米线的方法，它涉及一种超长SiC纳米线的制备方法。本发明为了解决现有方法制备的超长SiC纳米线设备要求高、操作过程复杂、安全性低、以及成本高等技术问题。本方法为：(1)按比例称取原料和催化剂；(2)机械混合以上粉体并装入瓷方舟中；(3)将瓷方舟推送至管式炉中央，在氩气保护、常压条件下按照一定程序升降温即得超长SiC纳米线。本发明具有设备要求低、操作过程简单、安全系数高以及生产成本低等优点。该SiC纳米线不仅可用于制备发光二极管、激光二极管等纳米电子元器件，同时还可以作为金属基、陶瓷基和聚合物等复合材料的增强相材料。本发明属于纳米线的制备领域。
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公开(公告)号：CN104773735A
公开(公告)日：2015-07-15
申请号：CN201510193983.X
申请日：2015-04-22
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种超长SiC纳米线的制备方法，它涉及一种以炭黑和硅粉为原料制备超长SiC纳米线的方法。本发明要解决现有制备超长SiC纳米线的成本高、设备要求高、安全性低以及操作过程复杂等问题。本方法如下：①按配比计算和称量原料以及催化剂；②将称取的原料和催化剂进行机械混合，待混合均匀后装入干净的瓷方舟中；③将盛放有原料和催化剂的瓷方舟推送至管式炉中，在一定程序和氩气保护条件下升降温即可获得超长SiC纳米线。本发明中选用炭黑和硅粉为原料来降低生产成本，在氩气保护和常压条件下制备纳米线提升安全系数，该过程工艺简单、易于操作、设备要求低，且反应过程不生成污染物；本发明制备的纳米线直径分布均匀，长度达到毫米数量级。
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公开(公告)号：CN104445200A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201410653437.5
申请日：2014-11-17
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种制备超长碳化硅纳米线的方法，本发明涉及制备碳化硅纳米线的方法。本发明要解决现有方法制备超长SiC纳米线难度大，并且对原料、设备和过程都有严格的要求，不易操作的技术问题。方法：一、称量；二、球磨；三、预处理活性炭；四、混合含催化剂的碳-硅粉体和步骤三得到的预处理活性炭；五、加热制备纳米线。本发明具有成本低、设备要求低、实验过程简单等特点。本发明用于制备超长碳化硅纳米线。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119977592A
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202510242137.6
申请日：2025-03-03
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/58 , C04B35/622 , C04B35/64
Abstract: 本发明涉及一种碳氮比可控的高硬度高弹性模量的高熵碳氮化物陶瓷及其制备方法，属于高熵陶瓷技术领域。为解决现有制备方法难以兼顾碳氮比调控和高熵碳氮化物陶瓷力学性能的问题，本发明将Ti粉体、ZrH2粉体、Hf粉体、Ta粉体、Cr粉体和碳黑进行球磨和干燥后得到混合粉体；将混合粉体置于氮气气氛下进行热处理，得到陶瓷粉体；对陶瓷粉体进行放电等离子烧结，得到高熵碳氮化物陶瓷。本发明通过调整金属粉体与碳黑的摩尔比来调控高熵体系的碳空位浓度，进而实现氮原子的引入，更易于调控陶瓷粉体的碳氮比，放电等离子烧结能有效避免晶粒长大，在较短的时间内获得致密细晶粒的高熵碳氮化物陶瓷，有利于高熵碳氮化物陶瓷力学性能的提升。
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公开(公告)号：CN117601472A
公开(公告)日：2024-02-27
申请号：CN202410018334.5
申请日：2024-01-05
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种向隔热材料内部集成光纤温度传感组元的方法，本发明涉及复合材料机构技术/智能复合材料领域，具体涉及一种向隔热材料内部集成光纤温度传感组元的方法。本发明为解决现有技术向隔热材料内部集成光纤面临的界面结合强度偏高、显著影响材料隔热性能的技术问题。方法：一、光纤的预埋集成；二、配制低浓度聚合物溶液；三、弱界面的构筑。本发明对材料的破坏程度更小，具有更广的应用范围；实现了“测点精准固定‑高测温精度”协同；热材料内部的孔隙结构，对材料隔热性能的影响不显著，更好地保留了隔热材料内部的孔隙结构。本发明用于制备温度传感组元。
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公开(公告)号：CN114315370B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202210048287.X
申请日：2022-01-17
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/58 , C04B35/626 , C04B35/624
Abstract: 一种(TiZrHfNbTa)CN高熵超高温碳氮化物陶瓷粉体的合成方法，本发明属于高熵超高温陶瓷技术领域，具体涉及一种(TiZrHfNbTa)CN高熵超高温碳氮化物陶瓷粉体的合成方法。本发明是为了解决目前制备(TiZrHfNbTa)CN高熵超高温碳氮化物陶瓷粉体存在的成本高、氧杂质含量较高的问题。本发明中合成方法包括：一、配制葡萄糖混合溶液；二、配制氧化物混合粉体；三、配制混合浆料；四、配制凝胶；五、凝胶热处理。本发明合成的粉体具有成本低、氧杂质含量低、成分分布均匀且适合批量生产等优点。本发明适用于合成(TiZrHfNbTa)CN高熵超高温碳氮化物陶瓷粉体。
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公开(公告)号：CN115849362A
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202211477635.1
申请日：2022-11-23
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C01B32/205 , C01B32/05
Abstract: 基于糖类小分子的块体炭/石墨材料的制备方法，涉及石墨材料制备技术领域。本发明的目的是为了降低碳材料制备领域对石油煤矿等不可再生资源的依赖的问题。本发明首先通过反应釜以溶剂热的方式提升了粉体原料的塑变性能，促进了成型阶段颗粒的挤压与变形，使原料本身在保持稳定的情况下，保留有相当程度的烧结性；其次，在成型过程中引入了温度场，促进原料分子的热运动，有利于塑性变形的发生，实现预烧结的同时缓解内部应力，避免了后续炭化过程的开裂，解决了所得自烧结性碳源粉体烧结过程中的开裂问题，成品率高，且具备大尺寸制品的生产潜力。本发明可获得基于糖类小分子的块体炭/石墨材料的制备方法。
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公开(公告)号：CN104495849B
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：CN201410675593.1
申请日：2014-11-21
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 有机无机杂化制备碳化硅纳米线的方法，它涉及一种以有机酚醛树脂和无机硅粉体为原料制备超长碳化硅纳米线的方法。本发明为了解决现有方法制备超长SiC纳米线设备要求高、成本高、安全性低、操作过程复杂的技术问题。本方法如下：称取原料；将原料机械混合，然后装入瓷方舟中，将瓷方舟推至管式炉中央，在氩气保护、常压条件下保温，降温，即得。本发明主要是有机酚醛树脂粉体和无机硅粉体为原料，采用简单的制备方法在常压条件下就制备出了长达数毫米甚至是厘米的超长碳化硅纳米线。成本低、安全系数高、操作简单。该纳米线可以应用于纳米电子元器件、激光器、场发射和光催化等领域。本发明属于纳米线的制备领域。
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