-
公开(公告)号：CN116660088A
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202310615211.5
申请日：2023-05-29
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种SiC纯度的测定方法，属于材料测定领域，具体涉及一种SiC纯度的测定方法。本发明是为了解决目前SiC纯度测定时检测精度较低、难以测定粒径较小的SiC粉体的问题。本发明步骤包括：一、可溶杂质测定；二、碳杂质测定；三、其他杂质测定；四、纯度计算。本发明具有检测精度高、样品形貌不限等优点，可以检测样品中可能存在的所有杂质。本发明用于检测SiC纯度。
-
公开(公告)号：CN115057705A
公开(公告)日：2022-09-16
申请号：CN202210606669.X
申请日：2022-05-31
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/524 , C04B35/622 , C04B35/624
Abstract: 一种块状碳/硅氧碳复合气凝胶的制备方法，本发明涉及气凝胶材料制备技术领域，具体涉及一种块状碳/硅氧碳复合气凝胶的制备方法。本发明要解决目前制备碳/硅氧碳复合气凝胶存在的制备过程复杂、成本较高和难以规模化生产的技术问题。本发明的制备过程包括：一、配制溶胶；二、凝胶和固化；三、溶剂置换；四、常压干燥；五、高温热处理。本发明采用一步法常压干燥进行制备，具有操作简单、成本低、周期短和安全可靠等优势，有望实现规模化生产。本发明适用于制备块状碳/硅氧碳复合气凝胶材料。
-
公开(公告)号：CN114644341A
公开(公告)日：2022-06-21
申请号：CN202210276433.4
申请日：2022-03-21
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种SiO2@C纳米复合粉体的制备方法，本发明涉及碳包覆纳米材料合成技术领域，具体涉及一种SiO2@C纳米复合粉体的制备方法。本发明要解决现有制备SiO2@C纳米复合粉体时制备工艺复杂、成本高、污染环境、产物分散性差、碳壳层厚度难以调控的问题。制备步骤：一、配制反应溶液；二、制备SiO2@糖碳壳层纳米复合粉体；三、制备SiO2@C纳米复合粉体。本发明具有制备工艺简单、成本低、绿色环保、产物分散性好等优点，并且纳米复合粉体表面碳壳层的厚度可以根据使用需求进行调控。本发明可用于大规模生产SiO2@C纳米复合粉体。
-
公开(公告)号：CN114632434A
公开(公告)日：2022-06-17
申请号：CN202210277617.2
申请日：2022-03-21
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种纳米SiO2粉体‑糖溶液的制备方法，本发明涉及纳米材料领域，具体涉及一种纳米SiO2粉体‑糖溶液的制备方法。本发明要解决目前较难或无法制备出具有高固相含量、良好分散性和稳定性的纳米SiO2粉体‑糖溶液且制备工艺繁杂的问题。本发明的制备步骤：一、配制糖混合溶液；二、调控溶液的pH值；三、配制纳米SiO2粉体‑糖溶液。本发明可制备出具有高固相含量、良好分散性和稳定性的纳米SiO2粉体‑糖溶液并且具有制备工艺简单的优点。本发明用于制备纳米SiO2粉体‑糖溶液。
-
公开(公告)号：CN105502315B
公开(公告)日：2017-11-03
申请号：CN201610060579.X
申请日：2016-01-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C01B21/068 , B82Y40/00
Abstract: 一种原位‑非原位同时生长超长氮化硅纳米材料的方法，涉及一种氮化硅纳米材料的制备方法。本发明是为了解决目前超长氮化硅纳米材料的制备方法需要催化剂，导致产物纯度不高，影响纳米线的高温性能及后续应用、反应条件较为苛刻，如加压、通入易燃性气体等，导致操作安全性较低，对设备要求较高的技术问题。本发明：一、制备预制粉体；二、煅烧。本发明操作过程较为简单、设备要求低、安全系数高等。本发明应用于制备超长氮化硅纳米材料。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104787765A
公开(公告)日：2015-07-22
申请号：CN201510178022.1
申请日：2015-04-15
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种利用无机粉体制备超长SiC纳米线的方法，它涉及一种超长SiC纳米线的制备方法。本发明为了解决现有方法制备的超长SiC纳米线设备要求高、操作过程复杂、安全性低、以及成本高等技术问题。本方法为：(1)按比例称取原料和催化剂；(2)机械混合以上粉体并装入瓷方舟中；(3)将瓷方舟推送至管式炉中央，在氩气保护、常压条件下按照一定程序升降温即得超长SiC纳米线。本发明具有设备要求低、操作过程简单、安全系数高以及生产成本低等优点。该SiC纳米线不仅可用于制备发光二极管、激光二极管等纳米电子元器件，同时还可以作为金属基、陶瓷基和聚合物等复合材料的增强相材料。本发明属于纳米线的制备领域。
-
公开(公告)号：CN104773735A
公开(公告)日：2015-07-15
申请号：CN201510193983.X
申请日：2015-04-22
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种超长SiC纳米线的制备方法，它涉及一种以炭黑和硅粉为原料制备超长SiC纳米线的方法。本发明要解决现有制备超长SiC纳米线的成本高、设备要求高、安全性低以及操作过程复杂等问题。本方法如下：①按配比计算和称量原料以及催化剂；②将称取的原料和催化剂进行机械混合，待混合均匀后装入干净的瓷方舟中；③将盛放有原料和催化剂的瓷方舟推送至管式炉中，在一定程序和氩气保护条件下升降温即可获得超长SiC纳米线。本发明中选用炭黑和硅粉为原料来降低生产成本，在氩气保护和常压条件下制备纳米线提升安全系数，该过程工艺简单、易于操作、设备要求低，且反应过程不生成污染物；本发明制备的纳米线直径分布均匀，长度达到毫米数量级。
-
公开(公告)号：CN104445200A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201410653437.5
申请日：2014-11-17
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种制备超长碳化硅纳米线的方法，本发明涉及制备碳化硅纳米线的方法。本发明要解决现有方法制备超长SiC纳米线难度大，并且对原料、设备和过程都有严格的要求，不易操作的技术问题。方法：一、称量；二、球磨；三、预处理活性炭；四、混合含催化剂的碳-硅粉体和步骤三得到的预处理活性炭；五、加热制备纳米线。本发明具有成本低、设备要求低、实验过程简单等特点。本发明用于制备超长碳化硅纳米线。
-
公开(公告)号：CN115849362B
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202211477635.1
申请日：2022-11-23
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C01B32/205 , C01B32/05
Abstract: 基于糖类小分子的块体炭/石墨材料的制备方法，涉及石墨材料制备技术领域。本发明的目的是为了降低碳材料制备领域对石油煤矿等不可再生资源的依赖的问题。本发明首先通过反应釜以溶剂热的方式提升了粉体原料的塑变性能，促进了成型阶段颗粒的挤压与变形，使原料本身在保持稳定的情况下，保留有相当程度的烧结性；其次，在成型过程中引入了温度场，促进原料分子的热运动，有利于塑性变形的发生，实现预烧结的同时缓解内部应力，避免了后续炭化过程的开裂，解决了所得自烧结性碳源粉体烧结过程中的开裂问题，成品率高，且具备大尺寸制品的生产潜力。本发明可获得基于糖类小分子的块体炭/石墨材料的制备方法。
-
公开(公告)号：CN115259160B
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202210861950.8
申请日：2022-07-20
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种SiC纳米粉体的制备方法，本发明属于纳米材料合成技术领域，具体涉及一种SiC纳米粉体的制备方法。本发明是为了解决目前制备SiC纳米粉体过程较为复杂、成本高、产物粉体分散性差以及污染严重等问题。本发明的主要制备过程包括：一、制备SiO2@糖碳壳层纳米复合粉体；二、制备SiC纳米粉体初产物；三、产物除杂。本发明具有制备工艺简单、成本低、产物粉体分散性好、对环境污染小等优点，并且可以制得粒径均匀、形貌近球形的β‑SiC纳米粉体。本发明用于大规模生产SiC纳米粉体。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
32
records
(took 0.024 seconds)
