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公开(公告)号：CN102181287A
公开(公告)日：2011-09-14
申请号：CN201110072116.2
申请日：2011-03-24
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C09K11/68
Abstract: 镱铥双掺杂钨酸钙多晶粉蓝光上转换材料及其制备方法，它涉及一种稀土元素掺杂钨酸钙多晶粉蓝光上转换材料及其制备方法。它解决了基质材料中掺杂稀土元素，难以得到单一性很好的发射光，以及掺杂Tm3+产生的上转换蓝光强度微弱的问题。镱铥双掺杂钨酸钙多晶粉蓝光上转换材料的化学式为Ca0.99-xWO4:Ybx/Tm0.01，其中0.01≤x≤0.08。制备方法：1.按化学式的化学计量比称取；2.研磨、压片；3.高温烧结。本发明镱铥双掺杂钨酸钙多晶粉蓝光上转换材料在980nm激光泵浦、激发功率为300mW条件下能发出明亮的上转换蓝光，且发光均匀。
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公开(公告)号：CN104861972A
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：CN201510316528.4
申请日：2015-06-10
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C09K11/69
Abstract: 一种Er3+和Yb3+双掺的VO2上转换发光材料，它涉及一种上转换发光材料。本发明的目的是要解决现有太阳能电池不能利用红外光，导致太阳能电池的转换率低的问题。方法：将Er2O3和Yb2O3加入到质量分数为65％～68％的硝酸中，再加入V2O5和草酸，再进行水热反应，得到干燥后的反应物；再将干燥后的反应物进行煅烧，得到Er3+和Yb3+双掺的VO2上转换发光材料。五、本发明制备的Er3+和Yb3+双掺的VO2上转换发光材料为纳米片，且片的厚度为20nm～50nm，是一种纳米材料。本发明可获得一种Er3+和Yb3+双掺的VO2上转换发光材料。
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公开(公告)号：CN104861965A
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：CN201510316527.X
申请日：2015-06-10
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C09K11/62
Abstract: 一种窄波段镱铥双掺GZO纳米荧光材料的制备方法，它涉及一种GZO纳米荧光材料的制备方法。本发明的目的是要解决现有上转换蓝光基质材料的波段分布较宽，颗粒尺寸较大，不利于其在医学、生物以及雷达等方面应用的问题。制备方法：将NaOH溶液和Zn(NO3)3溶液混合，再滴加Ga(NO3)3溶液，再加入氧化镱硝酸溶液和氧化铥硝酸溶液，再进行水热反应，得到窄波段镱铥双掺GZO纳米荧光材料。本发明制备的窄波段镱铥双掺GZO纳米荧光材料分布波段较窄，得到了窄波段的上转换蓝光；本发明制备的窄波段镱铥双掺GZO纳米荧光材料的尺寸在40nm～50nm，形貌为纳米棒。本发明可获得种窄波段镱铥双掺GZO纳米荧光材料。
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公开(公告)号：CN102162133A
公开(公告)日：2011-08-24
申请号：CN201110074197.X
申请日：2011-03-25
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种锆铒镱三掺铌酸锂晶体及其制备方法，涉及三掺LiNbO3晶体及其制备方法。解决现有铒掺杂的铌酸锂晶体在发光强度和寿命方面不好的问题。锆铒镱三掺铌酸锂晶体由氧化锆、氧化铒、氧化镱、五氧化二铌和碳酸锂五种原料制成。首先称取上述原料，熔化得熔液后，采用提拉法进行晶体生长，退火后，再极化处理即可。本发明的晶体在1550nm波段光发射强度比未掺杂样品提高了约3倍。本发明晶体的Er3+离子的4I13/2能级寿命τ达4.23ms，与铒镱两掺铌酸锂晶体相比延长了8.18％，比单掺Er(1mol％):LiNbO3晶体的寿命2.3ms提高了近两倍。本发明的晶体在光波导激光器与放大器方面具有很好的应用前景。
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公开(公告)号：CN101328612B
公开(公告)日：2011-03-23
申请号：CN200810064777.9
申请日：2008-06-20
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: In、Fe和Cu三掺杂铌酸锂晶体的制备方法，它涉及一种铌酸锂晶体的制备方法。它解决了现有技术制备掺杂的酸锂晶体存在响应时间慢和抗光损伤能力低的问题。本发明In、Fe和Cu三掺杂铌酸锂晶体由Li2CO3、Nb2O5、Fe2O3、CuO和In2O3制成。方法：一、称取所需成分；二、烧结；三、采用提拉法生长晶体；四、极化处理；五、氧化处理或还原处理，即得In、Fe和Cu三掺杂铌酸锂晶体。本发明在铌酸锂晶体中掺杂元素铟(In)、铁(Fe)和铜(Cu)，在保留铌酸锂晶体原有优良性能的基础上，明显提高了铌酸锂晶体的抗光损伤能力和响应时间。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101144187A
公开(公告)日：2008-03-19
申请号：CN200710072440.8
申请日：2007-07-02
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: Y和Zn双掺杂钨酸铅晶体及其制备方法，它涉及一种钨酸铅晶体及其制备方法。它解决了现有钨酸铅晶体存在VPb、Vo及晶体诱导色心Pb3+、O－和F缺陷，光学性能差的问题。Y和Zn双掺杂钨酸铅晶体由氧化钨、氧化铅、氧化钇和氧化锌制成；氧化钨与氧化铅的摩尔比为1∶1，氧化钇的掺杂量为氧化钨和氧化铅总质量的50～200ppm，氧化锌的掺杂量为氧化钨和氧化铅总质量的50～1050ppm。制备方法：一、烧结；二、采用提拉法生长晶体。本发明在钨酸铅晶体中掺杂元素钇和锌，在保留钨酸铅晶体原有优良性能的基础上，大幅度改善其光学性能。本发明Y和Zn双掺杂钨酸铅晶体的制备过程中不需要抽真空或充入惰性保护气体。
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公开(公告)号：CN101086084A
公开(公告)日：2007-12-12
申请号：CN200710072441.2
申请日：2007-07-02
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: Yb和Zn双掺杂钨酸铅晶体及其制备方法，它涉及一种钨酸铅晶体及其制备方法。它解决了现有钨酸铅晶体存在VPb、VO及晶体诱导色心Pb3+、O－和F缺陷，光学性能差的问题。Yb和Zn双掺杂钨酸铅晶体由氧化钨、氧化铅、氧化镱和氧化锌制成；氧化钨与氧化铅的摩尔比为1∶1，氧化镱的掺杂量为氧化钨和氧化铅总质量的50～300ppm，氧化锌的掺杂量为氧化钨和氧化铅总质量的50～1050ppm。制备方法：1.烧结；2.采用提拉法生长晶体。本发明在钨酸铅晶体中掺杂元素镱和锌，在保留钨酸铅晶体原有优良性能的基础上，大幅度改善其光学性能。本发明Yb和Zn双掺杂钨酸铅晶体的制备过程中不需要抽真空或充入惰性保护气体。
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公开(公告)号：CN101017058A
公开(公告)日：2007-08-15
申请号：CN200710071790.2
申请日：2007-02-14
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: F27B14/16
Abstract: 一种微波烧结盛料装置，它涉及一种盛料装置。它解决了目前采用多模腔加热式微波炉进行固体材料加热合成过程中加热不均匀和产生剧烈温变导致坩埚极易破裂的问题。微波烧结盛料装置由带盖的玻璃器皿(1)、耐热材料(2)和刚玉坩埚(3)构成；其中所述玻璃器皿(1)内填满有耐热材料(2)，刚玉坩埚(3)包埋在耐热材料(2)中，刚玉坩埚(3)与玻璃器皿(1)之间耐热材料(2)的厚度不低于2cm。本发明选用玻璃器皿、耐热材料和刚玉坩埚构成盛料装置，不仅保留了微波加热快速和节能的优点，也使加热和刚玉坩埚受热更为均匀，从而延长了刚玉坩埚的使用寿命。
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公开(公告)号：CN104861965B
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201510316527.X
申请日：2015-06-10
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C09K11/62
Abstract: 一种窄波段镱铥双掺GZO纳米荧光材料的制备方法，它涉及一种GZO纳米荧光材料的制备方法。本发明的目的是要解决现有上转换蓝光基质材料的波段分布较宽，颗粒尺寸较大，不利于其在医学、生物以及雷达等方面应用的问题。制备方法：将NaOH溶液和Zn(NO3)3溶液混合，再滴加Ga(NO3)3溶液，再加入氧化镱硝酸溶液和氧化铥硝酸溶液，再进行水热反应，得到窄波段镱铥双掺GZO纳米荧光材料。本发明制备的窄波段镱铥双掺GZO纳米荧光材料分布波段较窄，得到了窄波段的上转换蓝光；本发明制备的窄波段镱铥双掺GZO纳米荧光材料的尺寸在40nm～50nm，形貌为纳米棒。本发明可获得种窄波段镱铥双掺GZO纳米荧光材料。
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公开(公告)号：CN105001863A
公开(公告)日：2015-10-28
申请号：CN201510377176.3
申请日：2015-07-01
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C09K11/69
Abstract: 一种合成具有低相变温度的VO2(M)的方法，它涉及一种合成VO2(M)的方法。本发明的目的是要解决现有VO2(M)的相变温度高和不能实现上转换发光的问题。方法：一、制备混合溶液A；二、制备蓝黑色混合溶液；三、制备干燥后的反应物；四、将干燥后的反应物置于管式炉中，再在氮气气氛和烧结温度为550℃～600℃下烧结1h～2h，得到具有低相变温度的VO2(M)。本发明通过掺杂Er3+和Yb3+，VO2(M)的相变温度降低了35％～45％；本发明得到的降低相变温度后的VO2在980nm激光的激发下，能够将红外光转化为绿光，且强度很强。本发明可获得一种合成具有低相变温度的VO2(M)的方法。
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