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公开(公告)号：CN118380595A
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202410465487.4
申请日：2024-04-18
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明公开了一种酞菁铁微米线或纳米线微生物燃料电池阳极材料的制备及其应用。有序堆积的纳米线或微米线可在碳布、碳毡等碳载体表面原位生长，酞菁铁分子堆积间距1.6纳米。本发明可以促进生物‑非生物界面间电子传递，提高产电微生物与酞菁铁微米线或纳米线之间的电子转移速率；本发明可以促进污泥中产电菌Geobacter的有效富集，其在微生物群落中丰度占比87.5％，有效提高产电微生物的比例；本发明做电池阳极具有优良的生物相容性，可以保障生物膜的在微生物燃料电池长期运行过程中的活性，可以富集电活性细菌，提高生物膜长期活性，促进微生物的界面胞外电子传递，有效地解决微生物燃料电池输出功率较低，长期运行稳定性差的问题。
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公开(公告)号：CN119414200B
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202510021122.7
申请日：2025-01-07
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种光电效应测量系统，属于半导体技术领域。本发明针对目前光电效应测量系统采用滤镜轮过滤不同波长的光，测试范围较窄、测试灵活性差的问题。包括全光谱光产生模块，用于采用全光谱LED灯珠发射全光谱光，经准直透镜形成平行光；波长选择模块，采用三棱镜对入射的所述平行光进行折射，获得单一波长光束；所述单一波长光束入射到半导体样品上；所述三棱镜通过角度伺服机构进行旋转角度目标值控制，改变出射光束波长；微弱电压电流检测模块，用于对不同单一波长光束入射时半导体样品的短路电流和开路电压进行检测，并转换为数字信号输出。本发明用于半导体PN结光电效应测量。
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公开(公告)号：CN119167760A
公开(公告)日：2024-12-20
申请号：CN202411197222.7
申请日：2024-08-29
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明提供一种基于新型贝叶斯滤波的弹道导弹自由段跟踪方法，包括解决量测数据随机多步延迟和量测丢失。具体为：首先，建立了一种新的量测模型，能够表征量测数据的随机多步延迟和丢失；其次，在量测数据发生随机多步延迟情况下，对系统状态进行增广并引入延迟变量，设计了一种增广高斯混合滤波器框架；然后，当测量值丢失时，将量测值从先前的时刻传播到当前时刻，并以状态增广的形式导出均值和协方差的表达式；最后，基于设计好的滤波算法对弹道导弹的自由段进行跟踪。本发明的优点是：采用贝叶斯估计理论在出现量测数据随机多步延迟和丢失情况下实现了对弹道导弹目标的准确跟踪，具有非常重要的工程意义。
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公开(公告)号：CN119414200A
公开(公告)日：2025-02-11
申请号：CN202510021122.7
申请日：2025-01-07
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种光电效应测量系统，属于半导体技术领域。本发明针对目前光电效应测量系统采用滤镜轮过滤不同波长的光，测试范围较窄、测试灵活性差的问题。包括全光谱光产生模块，用于采用全光谱LED灯珠发射全光谱光，经准直透镜形成平行光；波长选择模块，采用三棱镜对入射的所述平行光进行折射，获得单一波长光束；所述单一波长光束入射到半导体样品上；所述三棱镜通过角度伺服机构进行旋转角度目标值控制，改变出射光束波长；微弱电压电流检测模块，用于对不同单一波长光束入射时半导体样品的短路电流和开路电压进行检测，并转换为数字信号输出。本发明用于半导体PN结光电效应测量。
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公开(公告)号：CN118399898A
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202410483857.7
申请日：2024-04-22
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 工作在高电源电压下输入轨到轨的斩波运算放大器，解决了在高的电源电压的情况下，常规输入轨到轨电路以及斩波开关被击穿的问题，属于电子电路技术领域。本发明包括多路径运算放大器通路、CMOS电容耦合自举型斩波开关和纹波抑制回路；在多路径运算放大器通路中，通过使用多支路型输入轨到轨电路结构作为运放第一级，从而实现运放在高电源电压下的输入轨到轨功能；CMOS电容耦合自举型斩波开关作为多路径运算放大器通路中低频高增益通路的输入级，实现了宽输入电压时候的斩波功能，从而降低了运放失调电压以及低频噪声；运放通过使用纹波抑制回路，有效地减小了电路的输出纹波幅度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118316445A
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202410505708.6
申请日：2024-04-25
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 集成式电压频率转换器，解决了电压频率转换器因为使用片外低温漂电阻导致集成度低及电路功耗高的问题，属于电子电路技术领域。本发明包括松弛型电流转频率模块N1、电压转电流模块和温度负反馈模块T1；电压转电流模块包括运放A1、电阻R1、MOS管M1、MOS管M2、MOS管M3和MOS管M8，本发明实现了低温漂、高线性度的片上电阻提高了电压频率转换器的集成度。电阻由线性区的MOS管以及片上高温漂电阻等效而来，通过负反馈使用线性区MOS管的阻值补偿了片上电阻的温漂阻值。通过MOS管漏极电压跟随，也解决了线性区MOS管等效阻值的非线性问题。
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公开(公告)号：CN118282329A
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202410483855.8
申请日：2024-04-22
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明提供一种全集成的电荷放大器，解决了应用在惯性导航装置中电荷放大器的集成度问题，属于电子电路技术领域。本发明包括电荷放大器主体部分、全集成的等效大电阻结构和两个反馈电容，能够将近G欧姆大小的电阻进行集成，同时实现较低的噪声。在该电荷放大器中，通过使用工作在亚阈值区的MOS管来等效近G欧姆大小的电阻；通过温度反馈电路来优化等效电阻的温度特性，避免了不同温度时，等效电阻的阻值变化过大而导致电路非正常工作；通过使用BiCMOS结构，相比于常规CMOS电路结构，降低了电荷放大器的噪声。
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公开(公告)号：CN117543588A
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202311555822.1
申请日：2023-11-21
Applicant: 国网黑龙江省电力有限公司电力科学研究院 , 哈尔滨工业大学 , 哈尔滨理工大学
Inventor： 孔繁荣 , 申昱博 , 刘洪臣 , 李超超 , 吕艳玲 , 邱月 , 孙巍 , 李萌 , 周萌 , 于博文 , 刘博 , 张航 , 周洪毅 , 刘妍均 , 王晓丹 , 王海姣 , 陈妍 , 刘丽娜 , 夏雪晶 , 周莉莉 , 王一 , 张文睿 , 张文博 , 朱博 , 高伟楠 , 于浩 , 卫兵 , 徐广野 , 王艳薇 , 陈培奇 , 郑树磊 , 王敏 , 钱亮 , 赵吉超 , 刘洋 , 王暖 , 李惠 , 刘凯 , 刘丽秋 , 关雨 , 谷海燕 , 孟璐 , 赵丽丽 , 杨芳 , 王芳 , 李芳
Abstract: 本发明资源聚合商模式下的配电网分布式储能调压控制方法，解决了配电网电压越限的问题，属于用户侧分布式储能领域。本发明方法包括：基于配电网系统的基础数据，在资源聚合商模式下对用户侧储能进行等效聚合，聚合成供资源聚合商调度的等效柔性分布式储能，并对配电网进行集群划分；根据不同集群，设置电压调节比例为初始值；选取电压越限最严重集群中的最严重节点作为优先调节对象，计算调节比例对应的电压调节上下限，利用所处集群内部储能充放电进行电压调节，循环检测并调节各越限集群节点电压，直至全网电压恢复至合理范围内；接着不断更新电压调节比例，输出不同调节比例下的有功网损；最后，确定最小有功网损所对应的储能时序出力。
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公开(公告)号：CN116858037A
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN202310598858.1
申请日：2023-05-25
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 基于摄动制导的大气层外拦截中制导弹道修正方法，解决了现有中制导技术无法拦截机动进攻弹的问题，属于精确制导与控制领域。本发明包括：搜索预测命中点发射拦截弹；如果进攻弹机动导致拦截弹零控脱靶量大于阈值，则更新预测命中点；基于摄动制导理论将拦截弹t2时刻的空间位置在t1时刻的弹道参数附近进行泰勒级数展开，转化成只需要迭代发射系三轴速度增量的摄动表达式，根据预测命中点确定用于弹道修正的速度增量Δvxk,Δvyk,Δvzk，在t1时刻对拦截弹施加Δvxk,Δvyk,Δvzk使得拦截弹t2时刻的空间位置和预测命中点的偏差在设定范围内。在t1时刻对拦截弹第k次迭代的初始速度上施加Δvxk,Δvyk,Δvzk，使拦截弹持续飞向进攻弹完成弹道修正。
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公开(公告)号：CN104788675A
公开(公告)日：2015-07-22
申请号：CN201510194023.5
申请日：2015-04-22
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C08G73/10
CPC classification number: Y02P20/582
Abstract: 一种光学透明的浅色耐高温形状记忆聚合物及其制备方法，它涉及一种光学透明的浅色聚合物及其制备方法。本发明的目的是要解决现有光学透明形状记忆聚合物相转变温度较低和现有透明聚酰亚胺厚度较低难以产生形状记忆效应，不能满足高温环境中光电子器件使用要求的问题。一种光学透明的浅色耐高温形状记忆聚合物由1,3-双(3-氨基苯氧基)苯和双酚A型二醚二酐作为反应单体制备而成；结构式为：制备方法：一、溶解1,3-双(3-氨基苯氧基)苯；二、制备溶胶凝胶状聚酰胺酸；三、去除残留气泡；四、热酰亚胺化；五、脱膜，得到光学透明的浅色耐高温形状记忆聚合物。本发明可获得一种光学透明的浅色耐高温形状记忆聚合物。
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