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公开(公告)号：CN101024901A
公开(公告)日：2007-08-29
申请号：CN200710071636.5
申请日：2007-01-15
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: Zr:LiNbO3晶体及其制备方法，它涉及一种晶体及其制备方法。它为了解决铌酸锂晶体抗光损伤能力低，而提供的一种Zr:LiNbO3晶体及其制备方法。Zr:LiNbO3晶体由纯度都为99.99％的ZrO2、Nb2O5和LiCO3制成；其中ZrO2的掺杂量为ZrO2、Nb2O5和LiCO3总物质的量的4％～6％，Li与Nb的摩尔比为0.946。制备方法：(一)称取并混合ZrO2、Nb2O5和LiCO3；(二)提拉法进行晶体生长；(三)极化；(四)晶体切割后表面光学质量级抛光，即得到Zr:LiNbO3晶体。本发明Zr:LiNbO3晶体光泽度高、成分均一、无瑕疵、无生长条纹和无裂纹产生；在保证了铌酸锂晶体原有优良性能的同时抗光损伤能力比5mol％Mg:LiNbO3，6.5％Zn:LiNbO3和4mol％Hf:LiNbO3分别提高了85％、100％和112％以上。本发明Zr:LiNbO3晶体的制备方法简单，便于操作，晶体生长速度快。
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公开(公告)号：CN103289701A
公开(公告)日：2013-09-11
申请号：CN201310272370.6
申请日：2013-07-02
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 异质核壳结构CaF2:20Yb,2Ho@NaXF4纳米晶的制备方法，它涉及上转换荧光纳米材料制备领域，本发明要解决现有生物标识纳米晶体发光强度较弱、穿透性差、寿命短的问题。本发明的方法为：采用了水热法和高温裂解法合成了核结构纳米晶体以及核壳结构纳米晶体，同时采用980nm激光对其进行激发，通过我们包覆之后的纳米晶体发光增强了数倍。本发明的纳米晶大幅度增强上转换发射强度来提高设备灵敏度，具有强的上转换发射后，使发射光的颜色变化更加明显，进而使多色调节更具可操作性。
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公开(公告)号：CN102296366B
公开(公告)日：2013-06-19
申请号：CN201110234534.7
申请日：2011-08-16
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: LiGaS2多晶的合成方法，它涉及多晶的合成方法。本发明解决了现有的LiGaS2多晶原料合成的过程中，由于合成原料在高温下产生的高压及含锂化合物的腐蚀使合成使用的石英管炸裂的技术问题。方法：将长石英管和石墨坩埚放到高温的水平电阻炉中，通入混有丙酮蒸汽的氩气，使其内壁镀一层裂解碳；将镓和锂先经水平单温区管式电阻炉的高温反应，得到LiGa合金；将LiGa合金与硫放到内壁镀裂解碳的石墨坩埚中，再将石墨坩埚放到内壁镀裂解碳的长石英管中，熔封后放入垂直电阻炉中，石墨坩埚一端为高温端，将高温端加热反应，得到LiGaS2多晶。反应过程中长石英管不会炸裂，本发明制备LiGaS2多晶可用于制备单晶。
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公开(公告)号：CN101555626A
公开(公告)日：2009-10-14
申请号：CN200910071890.4
申请日：2009-04-27
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明提供了一种高近红外发光强度的Mg/Er－LiNbO3晶体及其制备方法。Mg/Er－LiNbO3晶体以99.99wt％MgO、99.99wt％Er2O3、99.99wt％Nb2O5、99.99wt％LiCO3为基础原料，MgO掺杂量为0～2mol％，Er2O3掺杂量为0.5～1mol％，Li/Nb摩尔比＝1.381。本发明综合运用抗光损伤元素掺杂与化学计量比生长两种手段，同时实现有源光波导器件基质材料－铌酸锂晶体的Er离子低簇位浓度、强抗光损伤能力，获得明显增强的1.5μm波段光发射性能，推动有源LN光波导器件向实用化阶段迈进。
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公开(公告)号：CN101050854A
公开(公告)日：2007-10-10
申请号：CN200710072221.X
申请日：2007-05-18
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 防止侧墙水冷壁结渣的W型火焰锅炉，它涉及一种W型火焰锅炉。本发明的目的是为解决现有W型火焰锅炉侧墙水冷壁结渣的问题。本发明第一贴壁风风箱(2)、第二贴壁风风箱(16)、第三贴壁风风箱(20)和第四贴壁风风箱(17)分别设置在四个翼墙(9)的外侧，每个翼墙(9)设有通风缝隙(15)。本发明从贴壁风风道和贴壁风风箱进来通过通风缝隙进入炉膛内形成贴壁风，贴壁风在两侧墙水冷壁的附近形成的空气膜的气氛为氧化性气氛，在氧化性气氛下，灰的熔点高，灰不容易熔融，所以不容易形成结渣；同时，贴壁风温度低，降低了水冷壁附近的温度，也有利于防止两侧墙结渣；另外，在两侧墙水冷壁附近形成的空气膜，减少了冲击到两侧墙水冷壁附近的煤粉量，达到了防止结渣的效果。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101037801A
公开(公告)日：2007-09-19
申请号：CN200710071699.0
申请日：2007-01-26
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: Hf:Er:LiNbO3晶体及其制备方法，它涉及一种晶体及其制备方法。本发明解决了在保持铌酸锂晶体本身优良性能的前提下掺杂镁或锌元素虽然提高了铌酸锂晶体的抗光损伤能力，但压制了晶体本身具有优良的光学性能。本发明Hf:Er:LiNbO3晶体由纯度都为99.99％的HfO2、Er2O3、Nb2O5和LiCO3制成；其中HfO2的掺杂量为HfO2、Er2O3、Nb2O5和LiCO3总物质的量的2～6mol％，Er2O3的掺杂量为HfO2、Er2O3、Nb2O5和LiCO3总物质的量的0.5～2mol％，Li与Nb的摩尔比为0.946。制备方法：一、称取并混合HfO2、Er2O3、Nb2O5和LiCO3；二、提拉法进行晶体生长；三、极化；四、晶体切割后表面光学质量级抛光，即得到Hf:Er:LiNbO3晶体。本发明Hf:Er:LiNbO3晶体光泽度高、成分均一、无瑕疵、无生长条纹和无裂纹产生。本发明Hf:Er:LiNbO3晶体的制备方法简单，便于操作，晶体生长速度快。
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公开(公告)号：CN102433590A
公开(公告)日：2012-05-02
申请号：CN201110381838.6
申请日：2011-11-25
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 降低磷化锗锌晶体吸收系数的方法，它属于磷化锗锌晶体改性领域。本发明解决了现有生长态磷化锗锌晶体在在1.99～2.09μm处吸收系数还在0.10cm-1以上，而难于实现中远红外高功率激光输出的技术问题。方法如下：一、用混酸对磷化锗锌晶体刻蚀，然后用高纯去离子水冲洗干净，再吹干，然后放入石英管内，再抽真空后进行封装；二、退火；三、进行γ射线或电子辐照；即完成了降低磷化锗锌晶体吸收系数。经本发明方法处理后磷化锗锌晶体在1.99～2.09μm处吸收系数在0.02cm-1以下，满足高功率光参量激光器使用要求。
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公开(公告)号：CN102296366A
公开(公告)日：2011-12-28
申请号：CN201110234534.7
申请日：2011-08-16
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: LiGaS2多晶的合成方法，它涉及多晶的合成方法。本发明解决了现有的LiGaS2多晶原料合成的过程中，由于合成原料在高温下产生的高压及含锂化合物的腐蚀使合成使用的石英管炸裂的技术问题。方法：将长石英管和石墨坩埚放到高温的水平电阻炉中，通入混有丙酮蒸汽的氩气，使其内壁镀一层裂解碳；将镓和锂先经水平单温区管式电阻炉的高温反应，得到LiGa合金；将LiGa合金与硫放到内壁镀裂解碳的石墨坩埚中，再将石墨坩埚放到内壁镀裂解碳的长石英管中，熔封后放入垂直电阻炉中，石墨坩埚一端为高温端，将高温端加热反应，得到LiGaS2多晶。反应过程中长石英管不会炸裂，本发明制备LiGaS2多晶可用于制备单晶。
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公开(公告)号：CN101575734A
公开(公告)日：2009-11-11
申请号：CN200910071891.9
申请日：2009-04-27
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明提供了一种掺铒－铌酸锂晶体及制备方法。它是以99.99wt％MgO、99.99wt％Er2O3、99.99wt％Nb2O5、99.99wt％LiCO3为基础原料，MgO的掺杂量分别为0～8mol％，Er2O3的掺杂量为1～4mol％，Li/Nb＝0.946～0.65。本发明综合运用抗光损伤元素掺杂与化学计量比生长两种手段，同时实现有源光波导器件基质材料－铌酸锂晶体的Er离子低簇位浓度、强抗光损伤能力，获得明显增强的1.5μm波段光发射性能，推动有源LN光波导器件向实用化阶段迈进。
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公开(公告)号：CN101555625A
公开(公告)日：2009-10-14
申请号：CN200910071889.1
申请日：2009-04-27
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明提供了一种重掺抗光损伤元素的Er－LiNbO3晶体。以99.99wt％APE、99.99wt％Er2O3、99.99wt％Nb2O5和99.99wt％LiCO3为基础原料，APE包括ZnO、In2O3和ZrO2，ZnO的掺杂量为6～8mol％，In2O3的掺杂量为1.5～3mol％，ZrO2的掺杂量为4～8mol％，Er2O3的掺杂量为0.5～2mol％，Li/Nb摩尔比＝0.946。本发明同时解决了现有同成分掺铒铌酸锂晶体近红外发光效率低与抗光损伤能力的问题。本发明产品的发光效率最大增加5倍，抗光损伤能力提高三个数量级。本发明将极大推动掺铒铌酸锂晶体发光材料在波导激光器放大器与激光器领域的应用。本发明的方法工艺简单，便于操作。
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