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公开(公告)号：CN118711640A
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202410736522.1
申请日：2024-06-07
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G11C29/12
Abstract: 一种基于读参考电压校准的3‑D闪存低温可靠性和读取性能提升方法及装置，涉及固态存储领域。为解决现有技术中尚未公开一种在低温环境下有效提升闪存的可靠性和读取性能的技术方案的缺陷，本发明提供的技术方案为：闪存低温可靠性提升模型建立方法，所述方法包括：采集闪存在不同温度下的阈值电压偏移数据集，并预处理的步骤；根据预处理后的所述阈值电压偏移数据集的数据，得到不同温度与最优读参考电压偏移之间的初步关系模型的步骤；根据预设的所述闪存的影响因素，对所述初步关系模型进行修正，得到修正模型的步骤；根据所述修正模型和所述影响因素，建立综合补偿模型的步骤。适合应用于NAND Flash的读参考电压校准的工作中。
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公开(公告)号：CN111475926B
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202010194216.1
申请日：2020-03-18
Applicant: 哈尔滨工业大学 , 中国商用飞机有限责任公司 , 中国商用飞机有限责任公司民用飞机试飞中心
Abstract: 本发明是一种基于嵌入式CPU与FPGA的异构计算结构的飞机模拟电负载控制系统。基于嵌入式CPU与可重构的FPGA架构的控制器，根据需求配置了不同I/O功能模块，搭建飞机模拟点负载功率计算与调节系统平台，提升系统性能并简化了嵌入式控制和监测系统的设计。本发明对软、硬件分别实现的功能进行合理划分，充分利用了FPGA可完全重配置与提供硬件定时的快速性与稳定性，实现数据采集与控制逻辑；也充分利用了嵌入式CPU能够完成复杂算法计算优势实现了差值匹配算法与良好的交互界面。
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公开(公告)号：CN116778986A
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202310736512.3
申请日：2023-06-21
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 读参考电压校准模型构建方法及装置、校准方法及装置，涉及固态存储技术领域。为解决现有技术总存在的，在校准读参考电压时，往往需要多次读取数据，以预测当前读参考电压，导致闪存读取延迟过大的问题，本发明提供的技术方案在于：读参考电压校准模型构建方法，所述方法包括：采集闪存样本数据的步骤；获取所述样本数据的读参考电压数据、对应的电压偏移系数和对应的位跳变数据的读取步骤；重复所述读取步骤至预设次数，构建所述位跳变数据与所述电压偏移系数的转化模型的步骤；基于3‑D闪存读参考电压的层和状态差异，将前述转化模型的优化范围从单个闪存页扩展至全闪存块的步骤。本发明提供的读参考电压校准模型构建方法，通用性强，适用于当前所有类型的3‑D NAND Flash。
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公开(公告)号：CN115171760A
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202210552386.1
申请日：2022-05-20
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G11C16/34
Abstract: 本发明提出了一种基于标记层的3DNAND型闪存块粒度阈值电压分布感知方法，首先在数据存储的初期离线获取块中的标记层，并将其记录到存储元数据区域，在数据存储的周期中，可以通过对标记层的感知快速获取块粒度的阈值电压分布，并进而得到优化读参考电压等基于阈值电压分布的可靠性管理参数；本发明通过对闪存阈值电压分布层间差异的深入表征，利用提出的标记层方法，显著减少了获取块粒度阈值电压分布的管理开销，提升了读取性能；实现了块粒度优化读参考电压的快速感知，可适配于现有的诸多基于读参考电压优化的闪存可靠性管理策略。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115083492A
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202210550598.6
申请日：2022-05-20
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明提出了一种基于3DNAND型闪存阈值电压分布对称性的优化读参考电压感知方法，首先执行一对相邻状态间VOPT的感知，设扫描范围是[VL，VR]，读取所述一对相邻状态在VOPT附近的OCD曲线，将三个采样点设为一个判别组，对OCD曲线进行滑动检索；对于每个判别组，在获取三个采样点的OCD值后，计算该判别组的判别式γ，其用于衡量左右两个采样点关于中心点成中心对称的程度；采用双级精度的判别组滑动扫描，先进行粗精度扫描确定VOPT所在的offset范围，再进行细精度扫描最终得到VOPT的offset值，本发明可以有效克服小粒度存储样本量阈值电压分布上噪声对优化参考电压感知的影响；采用双级精度的扫描方法，仅需要少数几次的读取采样操作，引入的读取开销较少。
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公开(公告)号：CN113342570B
公开(公告)日：2022-03-08
申请号：CN202110672534.9
申请日：2021-06-17
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明提出了一种适配3D TLC型NAND闪存数据存储的双目标状态消除编解码方法，通过编码器对胞元数据预处理，每个胞元内部均能够存储3比特信息，所述胞元共有8个状态N，将所述8个状态两两配对等分为4组，记为Gi；设其中一组GX为目标消除的双状态，将原始数据流按字线长度进行划分后，取4个胞元作为一个编码的码段，记录该4胞元码段中8种状态各自出现的个数num(N)，根据码段中的状态组合得到重映射编码方法；将重映射编码后的信息存储到闪存的不同块中；解码器根据标志位将4胞元码段重新映射为原始数据；本发明的方法可以作为一种通用方法，提升了3D TLC型NAND闪存的可靠性。
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公开(公告)号：CN113342569B
公开(公告)日：2022-02-11
申请号：CN202110672532.X
申请日：2021-06-17
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明提出了一种用于闪存胞元不可靠状态消除的等长编解码方法，通过编码器对胞元数据预处理，再将多级胞元所有状态等分为4组，然后根据码段中的状态组合得到重映射编码方法；将重映射编码后的信息存储到闪存的不同块中：解码器根据标志位将经过步骤三的3胞元码段反映射为原始数据；本发明基于等长编码的特性保证了所有码字的码长都相等，即原始数据流不会因为存储的调制数据中的比特翻转而发生窜动，实现一种以消除目标状态的数据形式对多级胞元闪存进行数据存储的编解码方法。对于MLC型闪存可消除一种状态，对于TLC型闪存可消除两种状态。
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公开(公告)号：CN111341375A
公开(公告)日：2020-06-26
申请号：CN202010103028.3
申请日：2020-02-19
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种面向TLC型NAND Flash的阈值电压获取方法，涉及固态存储领域，为了解决由于NAND Flash的阈值电压只能通过NAND Flash读操作来间接测量而导致其可靠性差的问题。本发明通过首先将指定数据写入闪存；其次对NAND Flash执行READ-OFFSET操作获得位翻转数据；最后对位翻转数据进行处理和拟合，最终获得阈值电压分布模型。有益效果为利用NAND Flash中开放的READ-OFFSET功能，通过控制其读参考电压偏移的方法，找到参考电压和阈值电压分布的关系，间接测量出NAND Flash阈值电压分布；通过对不同状态的NAND Flash阈值电压分布测试，还可以找到其读干扰、编程干扰、驻留偏移、P/E磨损规律；可以用来预测NAND Flash使用寿命，也可以为ECC(Error Correction Code)强度匹配提供数据支撑，从而提高SSDs的读写性能。
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公开(公告)号：CN111339615A
公开(公告)日：2020-06-26
申请号：CN202010130685.7
申请日：2020-02-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种基于两步插值的飞机油箱重心计算与补偿方法，涉及飞机重心调配技术领域，针对目前的飞机油箱重心多以一个常量来表示，此种方法未考虑不规则飞机油箱的重心会随着油量的变化而变化，导致重心计算结果准确性低的问题，步骤一：获取油箱内部结构图并根据油箱内部结构图得到多组俯仰角下的不同油量所对应的重心；步骤二：输入油量数据，利用插值函数得到该油量下各组俯仰角所对应的重心；步骤三：输入俯仰角插值数据，利用插值函数得出该俯仰角、该油量的重心。飞机油箱重心计算方法加入了对因飞机俯仰角不同使得油箱重心产生误差的补偿功能，提高了重心计算的准确性。
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