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公开(公告)号：CN109947588A
公开(公告)日：2019-06-28
申请号：CN201910133439.4
申请日：2019-02-22
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明公开了一种基于支持向量回归法的NAND Flash位错误率预测方法，根据NAND Flash芯片中数据驻留时间和P/E周期数对位错误率影响较大的特性，以及支持向量回归小样本、高准确度的特性，对芯片进行人为磨损实验，获得数据，通过已有数据，建立位错误率与数据驻留时间及P/E周期数之间的三维模型，从而对芯片的位错误率进行预测，以此来指导纠错算法的适配，提高数据的存储可靠性，相较于传统的利用神经网络法进行预测，本发明的基于支持向量回归法的位错误率预测方法在精确度相同的情况下，效率提高了五倍多。
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公开(公告)号：CN111341375B
公开(公告)日：2020-12-01
申请号：CN202010103028.3
申请日：2020-02-19
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种面向TLC型NAND Flash的阈值电压获取方法，涉及固态存储领域，为了解决由于NAND Flash的阈值电压只能通过NAND Flash读操作来间接测量而导致其可靠性差的问题。本发明通过首先将指定数据写入闪存；其次对NAND Flash执行READ‑OFFSET操作获得位翻转数据；最后对位翻转数据进行处理和拟合，最终获得阈值电压分布模型。有益效果为利用NAND Flash中开放的READ‑OFFSET功能，通过控制其读参考电压偏移的方法，找到参考电压和阈值电压分布的关系，间接测量出NAND Flash阈值电压分布；通过对不同状态的NAND Flash阈值电压分布测试，还可以找到其读干扰、编程干扰、驻留偏移、P/E磨损规律；可以用来预测NAND Flash使用寿命，也可以为ECC(Error Correction Code)强度匹配提供数据支撑，从而提高SSDs的读写性能。
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公开(公告)号：CN109947588B
公开(公告)日：2021-01-12
申请号：CN201910133439.4
申请日：2019-02-22
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明公开了一种基于支持向量回归法的NAND Flash位错误率预测方法，根据NAND Flash芯片中数据驻留时间和P/E周期数对位错误率影响较大的特性，以及支持向量回归小样本、高准确度的特性，对芯片进行人为磨损实验，获得数据，通过已有数据，建立位错误率与数据驻留时间及P/E周期数之间的三维模型，从而对芯片的位错误率进行预测，以此来指导纠错算法的适配，提高数据的存储可靠性，相较于传统的利用神经网络法进行预测，本发明的基于支持向量回归法的位错误率预测方法在精确度相同的情况下，效率提高了五倍多。
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公开(公告)号：CN111341375A
公开(公告)日：2020-06-26
申请号：CN202010103028.3
申请日：2020-02-19
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种面向TLC型NAND Flash的阈值电压获取方法，涉及固态存储领域，为了解决由于NAND Flash的阈值电压只能通过NAND Flash读操作来间接测量而导致其可靠性差的问题。本发明通过首先将指定数据写入闪存；其次对NAND Flash执行READ-OFFSET操作获得位翻转数据；最后对位翻转数据进行处理和拟合，最终获得阈值电压分布模型。有益效果为利用NAND Flash中开放的READ-OFFSET功能，通过控制其读参考电压偏移的方法，找到参考电压和阈值电压分布的关系，间接测量出NAND Flash阈值电压分布；通过对不同状态的NAND Flash阈值电压分布测试，还可以找到其读干扰、编程干扰、驻留偏移、P/E磨损规律；可以用来预测NAND Flash使用寿命，也可以为ECC(Error Correction Code)强度匹配提供数据支撑，从而提高SSDs的读写性能。
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