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公开(公告)号：CN118198176A
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202410335050.9
申请日：2024-03-22
IPC: H01L31/115 , H01L31/0304 , H01L31/0352 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本专利涉及核探测技术领域，涉及一种六方氮化硼纳米片α粒子探测器，具体涉及一种商用氮化硼微粉经简单处理后定向堆叠制备独立式定向堆叠的六方氮化硼片层作为α粒子探测器的探测层，并在侧端制备不阻挡辐照与探测层相互作用的横向电极以实现α粒子探测的方法。所制备的探测器具有极低的暗电流，器件性能优异。本发明方法可以简化探测器制作工艺，降低制作成本；探测层厚度可控，能够有效提高探测器的效率。对于六方氮化硼基α粒子探测器件具有重要意义。
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公开(公告)号：CN102263369B
公开(公告)日：2013-08-07
申请号：CN201110173437.1
申请日：2010-10-09
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明属于半导体发光器件及其制备技术领域，涉及几种p-ZnO和n-GaN组合的ZnO基端发射激光器及其制备方法。其芯片由衬底、在衬底上依次制备的n型GaN外延层、p型ZnO基材料发光层、上电极构成，其特征在于：衬底是导电的GaAs晶体片、导电的InP晶体片、导电的SiC晶体片或导电的GaN晶体片，其导电类型和GaN外延层的导电类型相同，衬底下面制备有下电极，由芯片解理的前、后端面构成前反射镜和后反射镜，器件在前反射镜和后反射镜出光。本发明制备了ZnO基激光器的可控谐振腔，可以降低激光器的阈值电流，提高器件输出功率，使激光的方向变好，进一步拓展了器件的应用范围。
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公开(公告)号：CN102194943A
公开(公告)日：2011-09-21
申请号：CN201010124416.6
申请日：2010-03-16
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明属于半导体发光器件及其制备技术领域，涉及几种p型ZnO和n型GaN组合的ZnO基发光器件及其制备方法。器件由衬底、在衬底上外延生长的GaN外延层、在外延层上制备的相互分立的电流下限制层和下电极、在电流下限制层上制备的ZnO基发光层、在ZnO基发光层上面制备的上电极构成；特别地，GaN外延层为n型GaN薄膜，电流下限制层为n型的AlGaN或Ga2O3薄膜，ZnO基发光层为p型ZnO基薄膜。本发明还涉及一种没有电流下限制层和一种有电流上限制层的ZnO基发光器件。本发明克服了p型GaN外延层载流子浓度偏低，器件串联电阻大，器件工作电压高，器件输出功率低的缺点，进一步拓展了器件的应用范围。
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公开(公告)号：CN118210012A
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202410335431.7
申请日：2024-03-22
IPC: G01T1/24 , C01B21/064
Abstract: 一种六方氮化硼体单晶沟槽型中子探测器，由大尺寸六方氮化硼体单晶组成，所述六方氮化硼体单晶的横向面积大于1cm×1cm，厚度大于100μm，既是中子转换层也是载流子收集层，无需额外使用转换层，就可以直接俘获中子，并在层中产生载流子，起到直接探测中子的效果；此外，采用侧端沟槽型横向电极，使得产生的载流子能够快速的在六方氮化硼(002)平面内进行传输，可实现载流子的有效收集。本发明所制作的半导体中子探测器体积小、重量轻、能量分辨率高、探测效率高，可应用于核反应过程监测、核能安全勘探、医疗器械、无损检测和探测、深空探测以及先进电子设备的内部结构探测领域。
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公开(公告)号：CN118156371A
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202410335260.8
申请日：2024-03-22
IPC: H01L31/18 , H01L31/0352 , H01L31/0304 , H01L31/102 , B82Y40/00
Abstract: 本专利涉及紫外探测技术领域，涉及一种六方氮化硼纳米片定向堆叠型真空紫外光电探测器及其制备方法，具体涉及一种六方氮化硼纳米片层有序垂直堆叠作为真空紫外光敏层和侧端横向电极的方法，利用氮化硼具有宽带隙，优异的热稳定性等特点制备性能优良的紫外探测器。利用简单有效的方法制备的探测器能够降低暗电流，提高器件的探测率。本发明方法操作简单，通过制备独立式有序堆叠的氮化硼片，可以简化探测器制作工艺，提高探测器的效率，更有利于弱紫外光的探测，对于六方氮化硼基紫外探测器件具有重要意义。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106920849B
公开(公告)日：2019-07-02
申请号：CN201710263443.3
申请日：2017-04-21
Applicant: 吉林大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/267 , H01L23/373 , H01L21/02
Abstract: 本发明公开了一种散热性好的Ga2O3基金属氧化物半导体场效应晶体管及其制备方法，属于功率半导体器件及其制备技术领域，该器件由衬底、Ga2O3缓冲层、Ga2O3沟道层、Ga2O3源、漏区、Al2O3绝缘层、金属电极等部件构成；其特征在于：器件衬底是Si单晶，在衬底和Ga2O3缓冲层中间还制备有氮化物和氧化物混合多层结构；混合多层结构由GaN系多层结构薄膜、Ga2O3氧化薄层、非故意掺杂Ga2O3下缓冲层、镁掺杂Ga2O3半绝缘层构成。本发明解决了Ga2O3材料的异质外延问题，并克服了目前Ga2O3基MOSFET器件所使用的Ga2O3单晶衬底的散热性差，售价高等缺点；该发明还能够利用Si材料的工艺成熟、售价低、易集成、散热性好的优点，使Ga2O3基MOSFET器件接近实用化。
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公开(公告)号：CN102130107B
公开(公告)日：2013-01-09
申请号：CN201010584401.8
申请日：2010-12-13
Applicant: 吉林大学 , 大连理工大学 , 亚威朗光电(中国)有限公司
IPC: H01L25/075 , H01L33/40 , H01L33/48 , H01L33/62 , H01L33/00
Abstract: 本发明属于半导体发光器件及其制备技术领域，特别是涉及一类GaN基阵列式高压发光管及其制备方法。器件由支撑衬底1、支撑衬底1上的焊片2和焊片2上面的单元管芯3构成，其特征在于：单元管芯3是垂直结构，其上电极31为条形，下电极32覆盖全部单元管芯3的下面；支撑衬底1是一维方向的阶梯形结构，在每个台阶上有金属化薄膜11；支撑衬底1的每个台阶上有一个单元管芯3，通过焊片2将单元管芯3焊接固定在支撑衬底1上，同时将上面的一个单元管芯的下电极32焊接在下面一个单元管芯的上电极31上，多个单元管芯串联焊接组成阶梯阵列式高压发光管。本发明克服正装结构散热不好，侨接电极制备工艺复杂的缺点，进一步拓展高压发光管应用范围。
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公开(公告)号：CN102064251B
公开(公告)日：2012-12-05
申请号：CN201010555083.2
申请日：2010-11-23
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明属于半导体发光器件及其制备技术领域，特别是涉及一类GaN基发光管及其制备方法。器件由衬底、衬底上外延生长的n型GaN缓冲层和下限制层2、GaN材料系多量子阱发光层3、p型GaN上限制层4、p型InGaN盖层5、上电极6、下电极7构成，特征在于：衬底是n型SiC单晶衬底，其80％～95％面积的衬底面即出光面被打毛粗化或图形化，电极7被制备在其余5％～20％面积的衬底1上，上电极6全部覆盖在盖层5上面，并制备成兼有反射镜功能。本发明利用SiC衬底晶格和GaN匹配较好，导电和导热性能都比较好，价格适中的优点，提供一种新型大功率SiC衬底垂直结构发光管及其制备方法。
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公开(公告)号：CN102064250A
公开(公告)日：2011-05-18
申请号：CN201010554940.7
申请日：2010-11-23
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明属于半导体发光器件及其制备技术领域，涉及几种GaN基发光管及其制备方法。器件由衬底、衬底上外延生长的n型GaN缓冲层和下限制层2、GaN材料系多量子阱发光层3、p型GaN上限制层4、p型InxGa1-xN盖层5、上电极6，下电极7构成，特征在于：上电极6制备成兼有反射镜功能，在盖层5和上电极6之间生长一层p型InyGa1-yN位相匹配层8，衬底1是n型SiC单晶衬底，在衬底1下面制备一层ZnO薄膜9或再制备一层ZnO纳米线11，电极7只是覆盖5％～20％面积制备在衬底1下面。本发明利用SiC衬底晶格和GaN匹配较好，导电和导热性能都比较好，价格适中的优点，提供一种新型大功率SiC衬底垂直结构发光管及其制备方法。
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公开(公告)号：CN102263370A
公开(公告)日：2011-11-30
申请号：CN201110173444.1
申请日：2010-10-09
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明属于半导体发光器件技术领域，涉及几种p-ZnO和n-GaN组合的多层端发射激光器及其制备方法。其芯片依次由衬底、n-GaN外延层、Ga2O3或n型AlGaN电流下限制层、p-ZnO基材料发光层、p型宽带隙ZnO基三元系材料电流上限制层、上电极构成，衬底是导电的GaAs晶体片、导电的InP晶体片、导电的SiC晶体片或导电的GaN晶体片，其导电类型和GaN外延层相同，衬底下面制备有下电极，由芯片解理的前、后端面构成前反射镜和后反射镜，器件在前反射镜和后反射镜出光。本发明制备了ZnO基激光器的可控谐振腔，可以降低激光器的阈值电流，提高器件输出功率，使激光的方向变好，进一步拓展了器件的应用范围。
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