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公开(公告)号：CN102263369B
公开(公告)日：2013-08-07
申请号：CN201110173437.1
申请日：2010-10-09
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明属于半导体发光器件及其制备技术领域，涉及几种p-ZnO和n-GaN组合的ZnO基端发射激光器及其制备方法。其芯片由衬底、在衬底上依次制备的n型GaN外延层、p型ZnO基材料发光层、上电极构成，其特征在于：衬底是导电的GaAs晶体片、导电的InP晶体片、导电的SiC晶体片或导电的GaN晶体片，其导电类型和GaN外延层的导电类型相同，衬底下面制备有下电极，由芯片解理的前、后端面构成前反射镜和后反射镜，器件在前反射镜和后反射镜出光。本发明制备了ZnO基激光器的可控谐振腔，可以降低激光器的阈值电流，提高器件输出功率，使激光的方向变好，进一步拓展了器件的应用范围。
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公开(公告)号：CN102194943A
公开(公告)日：2011-09-21
申请号：CN201010124416.6
申请日：2010-03-16
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明属于半导体发光器件及其制备技术领域，涉及几种p型ZnO和n型GaN组合的ZnO基发光器件及其制备方法。器件由衬底、在衬底上外延生长的GaN外延层、在外延层上制备的相互分立的电流下限制层和下电极、在电流下限制层上制备的ZnO基发光层、在ZnO基发光层上面制备的上电极构成；特别地，GaN外延层为n型GaN薄膜，电流下限制层为n型的AlGaN或Ga2O3薄膜，ZnO基发光层为p型ZnO基薄膜。本发明还涉及一种没有电流下限制层和一种有电流上限制层的ZnO基发光器件。本发明克服了p型GaN外延层载流子浓度偏低，器件串联电阻大，器件工作电压高，器件输出功率低的缺点，进一步拓展了器件的应用范围。
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公开(公告)号：CN106920849A
公开(公告)日：2017-07-04
申请号：CN201710263443.3
申请日：2017-04-21
Applicant: 吉林大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/267 , H01L23/373 , H01L21/02
CPC classification number: H01L29/78 , H01L21/02381 , H01L21/02458 , H01L21/02483 , H01L21/02505 , H01L21/02565 , H01L21/0262 , H01L23/3738 , H01L29/267
Abstract: 本发明公开了一种散热性好的Ga2O3基金属氧化物半导体场效应晶体管及其制备方法，属于功率半导体器件及其制备技术领域，该器件由衬底、Ga2O3缓冲层、Ga2O3沟道层、Ga2O3源、漏区、Al2O3绝缘层、金属电极等部件构成；其特征在于：器件衬底是Si单晶，在衬底和Ga2O3缓冲层中间还制备有氮化物和氧化物混合多层结构；混合多层结构由GaN系多层结构薄膜、Ga2O3氧化薄层、非故意掺杂Ga2O3下缓冲层、镁掺杂Ga2O3半绝缘层构成。本发明解决了Ga2O3材料的异质外延问题，并克服了目前Ga2O3基MOSFET器件所使用的Ga2O3单晶衬底的散热性差，售价高等缺点；该发明还能够利用Si材料的工艺成熟、售价低、易集成、散热性好的优点，使Ga2O3基MOSFET器件接近实用化。
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公开(公告)号：CN102263370B
公开(公告)日：2013-07-10
申请号：CN201110173444.1
申请日：2010-10-09
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明属于半导体发光器件技术领域，涉及几种p-ZnO和n-GaN组合的多层端发射激光器及其制备方法。其芯片依次由衬底、n-GaN外延层、Ga2O3或n型AlGaN电流下限制层、p-ZnO基材料发光层、p型宽带隙ZnO基三元系材料电流上限制层、上电极构成，衬底是导电的GaAs晶体片、导电的InP晶体片、导电的SiC晶体片或导电的GaN晶体片，其导电类型和GaN外延层相同，衬底下面制备有下电极，由芯片解理的前、后端面构成前反射镜和后反射镜，器件在前反射镜和后反射镜出光。本发明制备了ZnO基激光器的可控谐振腔，可以降低激光器的阈值电流，提高器件输出功率，使激光的方向变好，进一步拓展了器件的应用范围。
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公开(公告)号：CN102263369A
公开(公告)日：2011-11-30
申请号：CN201110173437.1
申请日：2010-10-09
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明属于半导体发光器件及其制备技术领域，涉及几种p-ZnO和n-GaN组合的ZnO基端发射激光器及其制备方法。其芯片由衬底、在衬底上依次制备的n型GaN外延层、p型ZnO基材料发光层、上电极构成，其特征在于：衬底是导电的GaAs晶体片、导电的InP晶体片、导电的SiC晶体片或导电的GaN晶体片，其导电类型和GaN外延层的导电类型相同，衬底下面制备有下电极，由芯片解理的前、后端面构成前反射镜和后反射镜，器件在前反射镜和后反射镜出光。本发明制备了ZnO基激光器的可控谐振腔，可以降低激光器的阈值电流，提高器件输出功率，使激光的方向变好，进一步拓展了器件的应用范围。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101740397B
公开(公告)日：2011-07-20
申请号：CN200910218082.6
申请日：2009-12-23
Applicant: 吉林大学
IPC: H01L21/336
Abstract: 本发明属于微电子技术领域，具体涉及一种氧化锌(ZnO)基薄膜晶体管(TFT)的金属有机化学气相沉积(MOCVD)制备方法。ZnO基薄膜晶体管由衬底、栅极、绝缘层、ZnO基有源沟道层以及源电极、漏电极构成，绝缘层和ZnO基有源沟道层全部采用MOCVD技术完成材料生长，相对于其它外延技术，其制备的半导体材料质量较高。在MOCVD生长设备中一次完成各层材料生长，可大大简化材料生长工艺，同时能够实现各层半导体材料厚度的精确控制。本发明提出了采用适合工业化生产MOCVD设备生长ZnO基薄膜晶体管的一种工艺方法，解决了其它方法制备ZnO质量不高等关键问题，进而制备出具有较高质量的ZnO基TFT。
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公开(公告)号：CN106920849B
公开(公告)日：2019-07-02
申请号：CN201710263443.3
申请日：2017-04-21
Applicant: 吉林大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/267 , H01L23/373 , H01L21/02
Abstract: 本发明公开了一种散热性好的Ga2O3基金属氧化物半导体场效应晶体管及其制备方法，属于功率半导体器件及其制备技术领域，该器件由衬底、Ga2O3缓冲层、Ga2O3沟道层、Ga2O3源、漏区、Al2O3绝缘层、金属电极等部件构成；其特征在于：器件衬底是Si单晶，在衬底和Ga2O3缓冲层中间还制备有氮化物和氧化物混合多层结构；混合多层结构由GaN系多层结构薄膜、Ga2O3氧化薄层、非故意掺杂Ga2O3下缓冲层、镁掺杂Ga2O3半绝缘层构成。本发明解决了Ga2O3材料的异质外延问题，并克服了目前Ga2O3基MOSFET器件所使用的Ga2O3单晶衬底的散热性差，售价高等缺点；该发明还能够利用Si材料的工艺成熟、售价低、易集成、散热性好的优点，使Ga2O3基MOSFET器件接近实用化。
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公开(公告)号：CN101237016A
公开(公告)日：2008-08-06
申请号：CN200810050429.6
申请日：2008-03-04
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明属于半导体发光器件领域，特别是涉及一种具有掺杂夹层结构的ZnO基发光器件。由衬底、ZnO基材料缓冲层、ZnO基材料下限制层、ZnO基材料有源层、ZnO基材料上限制层、ZnO基材料盖层、掺杂夹层构成；掺杂夹层位于衬底和ZnO基材料缓冲层之间，或位于ZnO基材料盖层上面，掺杂夹层材料为GaAs、InP或Zn3As2，其厚度为5～150纳米，采用溅射法、PLD法、MBE法或蒸发法，在400～1000摄氏度退火1～5小时制备得到。掺杂夹层还可以为双条形、数字、字母、汉字、图画或点阵结构。本发明通过引入夹层结构，可以克服ZnO基材料p型掺杂难的问题。
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公开(公告)号：CN102194943B
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：CN201010124416.6
申请日：2010-03-16
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明属于半导体发光器件及其制备技术领域，涉及几种p型ZnO和n型GaN组合的ZnO基发光器件及其制备方法。器件由衬底、在衬底上外延生长的GaN外延层、在外延层上制备的相互分立的电流下限制层和下电极、在电流下限制层上制备的ZnO基发光层、在ZnO基发光层上面制备的上电极构成；特别地，GaN外延层为n型GaN薄膜，电流下限制层为n型的AlGaN或Ga2O3薄膜，ZnO基发光层为p型ZnO基薄膜。本发明还涉及一种没有电流下限制层和一种有电流上限制层的ZnO基发光器件。本发明克服了p型GaN外延层载流子浓度偏低，器件串联电阻大，器件工作电压高，器件输出功率低的缺点，进一步拓展了器件的应用范围。
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公开(公告)号：CN101976800B
公开(公告)日：2012-02-08
申请号：CN201010500171.2
申请日：2010-10-09
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明属于半导体发光器件及其制备技术领域，涉及几种ZnO和GaN组合的ZnO基端面发射激光器及其制备方法。其芯片由衬底、在衬底上依次制备的p-GaN外延层、Zn1-xMgxO电流下限制层、n-ZnO基材料发光层、上电极构成，其特征在于：衬底是导电的GaAs晶体片、导电的InP晶体片、导电的SiC晶体片或导电的GaN晶体片，其导电类型和GaN外延层的导电类型相同，衬底下面制备有下电极，由芯片解理的前、后端面构成前反射镜和后反射镜，器件在前反射镜和后反射镜出光。本发明制备了ZnO基激光器的可控谐振腔，可以降低激光器的阈值电流，提高器件输出功率，使激光的方向变好，进一步拓展了器件的应用范围。
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