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公开(公告)号：CN102194943B
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：CN201010124416.6
申请日：2010-03-16
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明属于半导体发光器件及其制备技术领域，涉及几种p型ZnO和n型GaN组合的ZnO基发光器件及其制备方法。器件由衬底、在衬底上外延生长的GaN外延层、在外延层上制备的相互分立的电流下限制层和下电极、在电流下限制层上制备的ZnO基发光层、在ZnO基发光层上面制备的上电极构成；特别地，GaN外延层为n型GaN薄膜，电流下限制层为n型的AlGaN或Ga2O3薄膜，ZnO基发光层为p型ZnO基薄膜。本发明还涉及一种没有电流下限制层和一种有电流上限制层的ZnO基发光器件。本发明克服了p型GaN外延层载流子浓度偏低，器件串联电阻大，器件工作电压高，器件输出功率低的缺点，进一步拓展了器件的应用范围。
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公开(公告)号：CN101976800B
公开(公告)日：2012-02-08
申请号：CN201010500171.2
申请日：2010-10-09
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明属于半导体发光器件及其制备技术领域，涉及几种ZnO和GaN组合的ZnO基端面发射激光器及其制备方法。其芯片由衬底、在衬底上依次制备的p-GaN外延层、Zn1-xMgxO电流下限制层、n-ZnO基材料发光层、上电极构成，其特征在于：衬底是导电的GaAs晶体片、导电的InP晶体片、导电的SiC晶体片或导电的GaN晶体片，其导电类型和GaN外延层的导电类型相同，衬底下面制备有下电极，由芯片解理的前、后端面构成前反射镜和后反射镜，器件在前反射镜和后反射镜出光。本发明制备了ZnO基激光器的可控谐振腔，可以降低激光器的阈值电流，提高器件输出功率，使激光的方向变好，进一步拓展了器件的应用范围。
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公开(公告)号：CN102130107A
公开(公告)日：2011-07-20
申请号：CN201010584401.8
申请日：2010-12-13
Applicant: 吉林大学 , 大连理工大学 , 亚威朗光电(中国)有限公司
IPC: H01L25/075 , H01L33/40 , H01L33/48 , H01L33/62 , H01L33/00
Abstract: 本发明属于半导体发光器件及其制备技术领域，特别是涉及一类GaN基阵列式高压发光管及其制备方法。器件由支撑衬底1、支撑衬底1上的焊片2和焊片2上面的单元管芯3构成，其特征在于：单元管芯3是垂直结构，其上电极31为条形，下电极32覆盖全部单元管芯3的下面；支撑衬底1是一维方向的阶梯形结构，在每个台阶上有金属化薄膜11；支撑衬底1的每个台阶上有一个单元管芯3，通过焊片2将单元管芯3焊接固定在支撑衬底1上，同时将上面的一个单元管芯的下电极32焊接在下面一个单元管芯的上电极31上，多个单元管芯串联焊接组成阶梯阵列式高压发光管。本发明克服正装结构散热不好，侨接电极制备工艺复杂的缺点，进一步拓展高压发光管应用范围。
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公开(公告)号：CN102064251A
公开(公告)日：2011-05-18
申请号：CN201010555083.2
申请日：2010-11-23
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明属于半导体发光器件及其制备技术领域，特别是涉及一类GaN基发光管及其制备方法。器件由衬底、衬底上外延生长的n型GaN缓冲层和下限制层2、GaN材料系多量子阱发光层3、p型GaN上限制层4、p型InGaN盖层5、上电极6、下电极7构成，特征在于：衬底是n型SiC单晶衬底，其80％～95％面积的衬底面即出光面被打毛粗化或图形化，电极7被制备在其余5％～20％面积的衬底1上，上电极6全部覆盖在盖层5上面，并制备成兼有反射镜功能。本发明利用SiC衬底晶格和GaN匹配较好，导电和导热性能都比较好，价格适中的优点，提供一种新型大功率SiC衬底垂直结构发光管及其制备方法。
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公开(公告)号：CN119846690A
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN202411983065.2
申请日：2024-12-31
IPC: G01T3/08
Abstract: 本发明属于半导体器件制备技术领域，公开了一种氮化硼纳米片堆叠中子探测器及其制备方法。一种氮化硼纳米片堆叠中子探测器，包括陶瓷衬底、欧姆接触下电极、石英、刻蚀区、氮化硼纳米片和欧姆接触上电极；陶瓷衬底表面形状为矩形或正方形；所述的欧姆接触下电极位于陶瓷衬底上表面；所述的石英位于欧姆接触下电极上表面；所述的刻蚀区为石英需刻蚀掉的区域；所述的氮化硼纳米片位于刻蚀区内部；所述的欧姆接触上电极位于石英及氮化硼纳米片的上表面。本发明设计了一种氮化硼纳米片堆叠器件结构，并提出了一种有效、简便且低成本的工艺制造技术，解决了氮化硼中子探测器的制备难题，实现了较大面积氮化硼中子探测器件的研制。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106920849A
公开(公告)日：2017-07-04
申请号：CN201710263443.3
申请日：2017-04-21
Applicant: 吉林大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/267 , H01L23/373 , H01L21/02
CPC classification number: H01L29/78 , H01L21/02381 , H01L21/02458 , H01L21/02483 , H01L21/02505 , H01L21/02565 , H01L21/0262 , H01L23/3738 , H01L29/267
Abstract: 本发明公开了一种散热性好的Ga2O3基金属氧化物半导体场效应晶体管及其制备方法，属于功率半导体器件及其制备技术领域，该器件由衬底、Ga2O3缓冲层、Ga2O3沟道层、Ga2O3源、漏区、Al2O3绝缘层、金属电极等部件构成；其特征在于：器件衬底是Si单晶，在衬底和Ga2O3缓冲层中间还制备有氮化物和氧化物混合多层结构；混合多层结构由GaN系多层结构薄膜、Ga2O3氧化薄层、非故意掺杂Ga2O3下缓冲层、镁掺杂Ga2O3半绝缘层构成。本发明解决了Ga2O3材料的异质外延问题，并克服了目前Ga2O3基MOSFET器件所使用的Ga2O3单晶衬底的散热性差，售价高等缺点；该发明还能够利用Si材料的工艺成熟、售价低、易集成、散热性好的优点，使Ga2O3基MOSFET器件接近实用化。
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公开(公告)号：CN102263370B
公开(公告)日：2013-07-10
申请号：CN201110173444.1
申请日：2010-10-09
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明属于半导体发光器件技术领域，涉及几种p-ZnO和n-GaN组合的多层端发射激光器及其制备方法。其芯片依次由衬底、n-GaN外延层、Ga2O3或n型AlGaN电流下限制层、p-ZnO基材料发光层、p型宽带隙ZnO基三元系材料电流上限制层、上电极构成，衬底是导电的GaAs晶体片、导电的InP晶体片、导电的SiC晶体片或导电的GaN晶体片，其导电类型和GaN外延层相同，衬底下面制备有下电极，由芯片解理的前、后端面构成前反射镜和后反射镜，器件在前反射镜和后反射镜出光。本发明制备了ZnO基激光器的可控谐振腔，可以降低激光器的阈值电流，提高器件输出功率，使激光的方向变好，进一步拓展了器件的应用范围。
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公开(公告)号：CN102064250B
公开(公告)日：2012-07-25
申请号：CN201010554940.7
申请日：2010-11-23
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明属于半导体发光器件及其制备技术领域，涉及几种GaN基发光管及其制备方法。器件由衬底、衬底上外延生长的n型GaN缓冲层和下限制层2、GaN材料系多量子阱发光层3、p型GaN上限制层4、p型InxGa1-xN盖层5、上电极6，下电极7构成，特征在于：上电极6制备成兼有反射镜功能，在盖层5和上电极6之间生长一层p型InyGa1-yN位相匹配层8，衬底1是n型SiC单晶衬底，在衬底1下面制备一层ZnO薄膜9或再制备一层ZnO纳米线11，电极7只是覆盖5％～20％面积制备在衬底1下面。本发明利用SiC衬底晶格和GaN匹配较好，导电和导热性能都比较好，价格适中的优点，提供一种新型大功率SiC衬底垂直结构发光管及其制备方法。
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公开(公告)号：CN102263369A
公开(公告)日：2011-11-30
申请号：CN201110173437.1
申请日：2010-10-09
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明属于半导体发光器件及其制备技术领域，涉及几种p-ZnO和n-GaN组合的ZnO基端发射激光器及其制备方法。其芯片由衬底、在衬底上依次制备的n型GaN外延层、p型ZnO基材料发光层、上电极构成，其特征在于：衬底是导电的GaAs晶体片、导电的InP晶体片、导电的SiC晶体片或导电的GaN晶体片，其导电类型和GaN外延层的导电类型相同，衬底下面制备有下电极，由芯片解理的前、后端面构成前反射镜和后反射镜，器件在前反射镜和后反射镜出光。本发明制备了ZnO基激光器的可控谐振腔，可以降低激光器的阈值电流，提高器件输出功率，使激光的方向变好，进一步拓展了器件的应用范围。
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公开(公告)号：CN118259332A
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202410335645.4
申请日：2024-03-22
IPC: G01T1/161
Abstract: 本发明提供了一种富含硼10同位素的六方氮化硼单晶中子探测器。其特征在于，使用的单晶尺寸大于0.5cm×0.5cm，厚度在140μm以上，中子捕获以及电荷收集均在一层，无需转换层。由该同位素富集的六方氮化硼单晶制成的中子探测器效率高。将得到的同位素富集的六方氮化硼单晶固定在绝缘衬底上，单晶作为中子探测层，沿单晶的侧端上制备一对Ti/Au电极，简易的中子探测器制备完成。本发明方法制备方法简单，对设备要求低，易于实现工业化。制备的同位素富集的六方氮化硼单晶中子探测器器件，探测效率高，响应快，制造和维护成本低，为实现中子探测器工业化生产提供了技术方案。
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