公开(公告)号：CN110783186A

公开(公告)日：2020-02-11

申请号：CN201910696438.0

申请日：2019-07-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吴历杰 ,  陈科维 ,  魏国修 ,  张棠贵 ,  李佳璇 ,  林建锜

IPC: H01L21/306 ,  H01L23/48

Abstract: 提供半导体装置的结构与形成方法。方法包括形成导电结构于半导体基板上，并形成介电层于导电结构上。方法亦包括形成开口于介电层中，以露出导电结构。方法还包括形成导电材料以超填开口。此外，方法包括采用化学机械研磨工艺薄化导电材料。化学机械研磨工艺所用的研磨液包括含铁氧化剂，且含铁氧化剂氧化导电材料的一部分。

公开(公告)号：CN102886733B

公开(公告)日：2018-01-05

申请号：CN201210188917.X

申请日：2012-06-08

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 魏国修 ,  陈科维 ,  王英郎 ,  郭俊廷

IPC: B24B37/20 ,  B24B37/04

CPC classification number: B24B7/228 ,  B24D7/14

Abstract: 本发明涉及用于晶圆研磨的装置。其中，一种研磨砂轮包括：外部基底，具有附接的第一磨粒抛光垫；内部框架，具有附接的第二磨粒抛光垫；以及主轴，通过外部基底和内部框架共享该主轴，其中，外部基底和内部框架中在至少一个可以沿着共享的主轴独立的移动；以及其中，外部基底、内部框架、以及共享主轴均具有相同中心。一种研磨系统包括：上述研磨砂轮；和除了驱动研磨砂轮旋转的电机以外，还包括砂轮头，附接至共享的主轴，能够垂直移动；以及卡盘工作台，用于将晶圆固定在卡盘工作台的顶部；其中，研磨砂轮与卡盘工作台的一部分重叠，研磨砂轮和卡盘工作台均能够以另一个的相反方向旋转。

公开(公告)号：CN103378113A

公开(公告)日：2013-10-30

申请号：CN201210576042.0

申请日：2012-12-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郑穆韩 ,  魏国修 ,  陈科维 ,  王英郎

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14623 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14687

Abstract: 公开了半导体器件和背照式(BSI)传感器的制造方法。在一个实施例中，制造半导体器件的方法包括提供工件以及在工件的正面上形成集成电路。使用镶嵌工艺在工件的背面上形成导电材料的栅格。

公开(公告)号：CN102732157A

公开(公告)日：2012-10-17

申请号：CN201210003774.0

申请日：2012-01-04

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈科维 ,  魏国修 ,  张世杰 ,  王英郎

IPC: C09G1/02 ,  H01L21/321 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/3212 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1463

Abstract: 一种金属抛光液包括化学溶液和磨料，该磨料的特征为颗粒尺寸的双峰式分布或者其他多峰式分布或者普遍存在两种或者更多种颗粒尺寸或者颗粒尺寸的范围。还提供了一种用于在CMP抛光操作中使用抛光液的方法和系统。