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公开(公告)号：CN221057428U
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN202322432440.1
申请日：2023-09-07
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/02
Abstract: 半导体装置包括第一通道区与第二通道区形成于基板上。第一通道区与第二通道区延伸于第一横向方向中并彼此平行。半导体装置包括介电结构，沿着第二横向方向夹设于第一通道区与第二通道区之间，且第二横向方向垂直于第一横向方向。半导体装置包括第一隔离结构，与第一通道区的下侧部分相邻。半导体装置包括第二隔离结构，与第二通道区的下侧部分相邻。第一隔离结构与第二隔离结构具有高度。介电结构的一部分夹设于第一隔离结构与第二隔离结构之间。第一隔离结构与第二隔离结构各自的上侧部分的最大凹陷距离，与高度的第一比例小于约0.1。
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