公开(公告)号：CN115528007A

公开(公告)日：2022-12-27

申请号：CN202210226115.7

申请日：2022-03-09

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张任远 ,  李建璋 ,  赖佳平 ,  蔡子中

IPC: H01L25/065 ,  H01L25/16 ,  H01L23/31 ,  H01L23/538

Abstract: 一种三维元件结构及其形成方法，三维元件结构包括具有第一半导体基板的第一晶粒、设置在第一晶粒上且包括第二半导体基板的第二晶粒、设置在第一晶粒上且围绕第二晶粒的介电封装层、设置在第二晶粒与介电封装层上的再分布层结构，及嵌入介电封装层中且电连接至至第一晶粒及再分布层结构的集成被动元件。

公开(公告)号：CN115527985A

公开(公告)日：2022-12-27

申请号：CN202210216822.8

申请日：2022-03-07

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张任远 ,  李建璋 ,  赖佳平

IPC: H01L23/528 ,  H01L23/522 ,  H01L23/535 ,  H01L27/06

Abstract: 一种三维装置结构包括第一裸晶、配置在第一裸晶上的第二裸晶与连接电路。第一裸晶包括第一半导体基材、配置在第一半导体基材上的第一内连接结构与围绕此内连接结构的第一封环。第二裸晶包括第二半导体基材、配置在第二半导体基材上的第二内连接结构与围绕此内连接结构的第二封环。第一连接电路电性耦合第一封环至第二封环，以供静电放电路径。

公开(公告)号：CN115524796A

公开(公告)日：2022-12-27

申请号：CN202210074036.9

申请日：2022-01-21

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 许隨赢 ,  李玥瑩 ,  吴建瑩 ,  黄振浩 ,  李建璋 ,  赖佳平

IPC: G02B6/34

Abstract: 一种耦合系统及其使用方法，耦合系统包含用以承载光信号的光纤。耦合系统进一步包含与光纤光通讯的晶片。光纤与晶片的顶表面之间的角度介于约92度至约88度的范围。晶片包含：光栅，用以接收光信号；及波导，其中光栅用以接收光信号且将光信号沿波导重导向。

公开(公告)号：CN115440884A

公开(公告)日：2022-12-06

申请号：CN202210106731.9

申请日：2022-01-28

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张任远 ,  赖佳平 ,  李建璋

IPC: H01L49/02 ,  H01L23/552

Abstract: 一种电容器晶片、半导体结构及其形成方法。在基板中形成侧向围绕装置区域的壕沟沟槽。在壕沟沟槽中形成导电金属基板外壳结构。在基板中形成深沟槽，且在深沟槽中形成沟槽电容结构。可通过移除基板的背侧部分来减薄基板。导电金属基板外壳结构的背面经物理暴露。背侧金属层形成于基板的背面及导电金属基板外壳结构的背面上。可形成金属互连外壳结构及金属盖板，以提供金属屏蔽结构，金属屏蔽结构用以阻止电磁辐射冲击至沟槽电容结构中。

公开(公告)号：CN113917602A

公开(公告)日：2022-01-11

申请号：CN202110210106.4

申请日：2021-02-24

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李玥瑩 ,  吴建瑩 ,  许隨赢 ,  黄振浩 ,  李建璋 ,  赖佳平

IPC: G02B6/12 ,  G02B6/124

Abstract: 一种光学结构、半导体结构以及形成光学结构的方法，光学结构可通过如下步骤来提供：在介电材料层之上形成硅光栅结构；在硅光栅结构之上沉积至少一个介电材料层；以及在至少一个介电材料层之上沉积至少一个介电蚀刻停止层。至少一个介电蚀刻停止层包括选自氮化硅及氮氧化硅的至少一种介电材料。可在至少一个介电蚀刻停止层之上形成钝化介电层，并且可在钝化介电层之上形成图案化的蚀刻遮罩层。可通过执行各向异性蚀刻制程来穿过钝化介电层的未遮罩部分形成开口，各向异性蚀刻制程通过将图案化的蚀刻遮罩层用作遮罩结构来蚀刻对氮化硅或氮氧化硅具有选择性的介电材料。至少一个蚀刻遮罩层最小化过度蚀刻。

公开(公告)号：CN222939929U

公开(公告)日：2025-06-03

申请号：CN202421482075.3

申请日：2024-06-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吴正翔 ,  谢宗扬 ,  李建璋 ,  庄文栋

IPC: H01L23/544 ,  H01L23/31 ,  H01L25/00 ,  H01L21/50 ,  H01L21/56

Abstract: 提供半导体结构、晶粒堆叠结构、以及制造方法。在一个实例中，半导体结构包括晶粒，其具有设置于晶粒的前侧上的测试衬垫。测试衬垫具有在测试衬垫的上部部分中的探针标记。探针标记具有在测试衬垫的顶表面处的开口末端、底壁、连接至底壁的侧壁，以及在开口末端、底壁及侧壁之间的空间。半导体结构进一步包括第一覆盖层及第二覆盖层。第一覆盖层设置于第一测试衬垫的前侧以及探针标记的侧壁及底壁上。第二覆盖层设置于第一覆盖层上。第一覆盖层与第二覆盖层包含不同的材料。