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公开(公告)号：CN110265864B
公开(公告)日：2020-06-19
申请号：CN201910608744.4
申请日：2019-07-08
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明涉及垂直腔面发射激光器技术领域。本发明公开了一种GaN基垂直腔面发射激光器的制备方法，采用光刻和图形化电镀技术在种子层上形成图形化的金属基底；使用胶键合技术将样品转移到临时基板上；采用自分裂激光剥离技术去除蓝宝石衬底，同时达到分离器件的目的；去除缓冲层、u‑GaN层以及一部分n‑GaN层；制作n金属电极和顶部介质膜DBR；去除临时基板，得到分立的GaN基垂直腔面发射激光器。本发明不仅有效改善了器件的散热性能，而且避免了金属切割带来的金属卷边和器件短路的问题，简化了器件制备的工艺流程，降低了成本。
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公开(公告)号：CN103325894B
公开(公告)日：2016-02-17
申请号：CN201310278517.2
申请日：2013-07-04
Applicant: 厦门大学
Abstract: 一种电注入GaN基谐振腔的制作方法，涉及GaN基谐振腔发光器件。在具有蓝宝石基底的GaN基外延片上生长p型电流扩展层ITO，对p型电流扩展层ITO表面依次进行刻蚀，抛光处理和ICP刻蚀，形成n型台面，再制作电流限制层、n型金属接触层、p型金属接触层和顶部介质膜DBR，再与临时基底键合在一起，然后采用激光剥离技术去除蓝宝石基底；对激光剥离后的GaN表面进行研磨抛光，在抛光后的GaN表面上生长底部的介质膜DBR，再与一个永久基底键合在一起，并去除临时基底，完成电注入高性能GaN基谐振腔的制作。采用两个高质量的介质膜DBR和损耗较小的p型电流扩展层ITO，实现高性能GaN基谐振腔。
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公开(公告)号：CN117498146A
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202311195683.6
申请日：2023-09-15
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明公开了一种氮化镓基垂直腔面发射激光器及其制备方法。其中，所述发射激光器从上至下依序包括曲面介质膜DBR、谐振腔层、平面介质膜DBR，还包括：平面衬底，该平面衬底设置于平面介质膜DBR远离谐振腔层一侧；该平面衬底用于支撑所述氮化镓基垂直腔面发射激光器，且该平面衬底的热导率≥100Wm/K，厚度范围为10‑500μm。在传统的大腔长曲面介质膜DBR结构氮化镓基垂直腔面发射激光器中引入平面衬底，避免传统曲面介质膜DBR垂直腔面发射激光器中较薄的自支撑外延层易碎的工艺难题，进一步改善器件散热。平面衬底为具有高热导率的平面结构，相比曲面结构，与其他光学元件以及系统集成具有更好的机械稳定性，同时高热导率特性有助于改善器件的散热特性。
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公开(公告)号：CN114824013A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210549340.4
申请日：2022-05-20
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明公开了一种柔性氮化镓基LED及其制备方法，属于光电子、发光显示领域；所述柔性氮化镓基LED从上至下依次包括：衬底；依附于衬底的晶圆层；设置于晶圆层下表面的p型电极；设置于晶圆层的LED器件台面；设置于晶圆层上表面的n型电极；所述衬底为柔性材料制成；本发明可以制备具有柔性、透明、双面发光、可寻址的垂直结构氮化镓基LED显示器件；相对于其他多次衬底转移、复杂的拾放技术、引线键合技术等，本发明能够使器件制作工艺简单化，实现柔性衬底、透明、双面发光的垂直结构氮化镓基LED，在此基础上进一步实现了可寻址的显示器件的制备。另外，本发明制备的镂空n型电极增加电极可延展程度，降低了样品弯曲时电极断裂的概率，使样品具备更好的柔性。
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公开(公告)号：CN112510127A
公开(公告)日：2021-03-16
申请号：CN202011515819.3
申请日：2020-12-21
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明涉及一种悬浮LED器件及其制造方法，包括衬底、半导体外延层阵列、反射层及电极；半导体外延层阵列包括多个半导体外延层，衬底上设有凸起的支撑柱阵列，支撑柱阵列包括多个支撑柱；支撑柱及衬底都由导电材料制成；半导体外延层的第一面与支撑柱的上表面连接，支撑柱的上表面面积小于半导体外延层的第一面面积，反射层覆盖于衬底的上表面及支撑柱的侧面上；半导体外延层的第二面与电极连接。这种悬浮LED器件将发光二极管的半导体外延层通过支撑柱支撑起，形成了悬浮的结构，由于半导体外延层与支撑柱的接触面积较小，半导体外延层内应力得以释放，因此有源区内量子斯塔克效应能被有效抑制，器件发光效率能得到显著提高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112133801A
公开(公告)日：2020-12-25
申请号：CN202011022463.X
申请日：2020-09-25
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明涉及半导体照明、光电子技术领域。本发明公开了一种氮化镓基谐振腔发光二极管及其制备方法，其中，氮化镓基谐振腔发光二极管从底部到顶部依次包括衬底、下反射镜、透明导电层、P型层、有源区、N型层、N电极和上反射镜，下反射镜由介质膜DBR阵列和金属反射镜构成，介质膜DBR阵列由介质膜DBR单元彼此间隔排布构成，金属反射镜设置在介质膜DBR单元之间的间隙中，介质膜DBR单元和金属反射镜的上表面均与透明导电层的下表面接触。本发明能够同时兼顾谐振腔发光二极管晶体质量、下反射镜在全波段的高反射率、良好的电流注入以及良好的器件散热，且制备工艺简单，所有制备工艺与标准半导体制备工艺兼容，满足大规模光电集成的需要。
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公开(公告)号：CN105047783B
公开(公告)日：2018-04-13
申请号：CN201510290286.6
申请日：2015-05-31
Applicant: 厦门大学
Abstract: 一种氮化物半导体发光器件及其制备方法，涉及GaN基发光器件。所述氮化物半导体发光器件，从下往上依次设有衬底、缓冲层、未掺杂GaN层、n型GaN层、InGaN多量子阱有源层、p型层，p型层上设有闭合环形回路光刻胶图形，在闭合环形回路光刻胶图形上溅射双金属电极层。通过在传统结构的LED外延层p型GaN薄膜上方采用光刻技术进行涂胶、曝光、显影，在其表面形成具有闭合回路形状的光刻图形；然后采用磁控溅射法在图形上沉积金属层，紧接着将样品表面光刻胶剥离干净，形成环形电极；最后将长完电极的样品放入扩散炉中进行退火合金化，从而得到一种氮化物半导体发光器件。工艺简单、成本低，实现器件中高分辨率发光图像控制。
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公开(公告)号：CN107404066A
公开(公告)日：2017-11-28
申请号：CN201710609195.3
申请日：2017-07-25
Applicant: 厦门大学
CPC classification number: H01S5/183 , H01S5/02438
Abstract: 全介质膜DBR结构氮化镓面发射激光器的制备方法，涉及激光器。在蓝宝石衬底上外延具有p-down结构的激光器外延层；在外延片上制作图形化的介质膜DBR，然后磁控溅射n型电极；电镀铜作为替代支撑衬底并激光剥离去除蓝宝石衬底；生长SiO2电流限制层及ITO电流扩展层；溅射p型电极、制作图形化的介质膜上DBR并分离器件完成器件的制备。实现了具有铜衬底、SiO2电流限制层位于器件上表面的全介质膜GaN基面发射激光器。SiO2电流限制层位于有源区上侧避免了位于有源区下侧与衬底之间所造成的有源区热量拥堵，散热差的问题，可以改善器件的散热性能并提高光功率。
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公开(公告)号：CN107123928A
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：CN201710326448.6
申请日：2017-05-10
Applicant: 厦门大学
IPC: H01S5/343
Abstract: 一种基于氮化镓材料的双波长同时发射激光器，涉及发射激光器。采用垂直内腔接触结构，结构从下到上包括了衬底、金属层、下分布布拉格反射镜、电流限制层、GaN基外延层、上电极、上分布布拉格反射镜，所述电流限制层中包含用于电流扩展的ITO透明导电孔，所述GaN基外延层包含n型层和p型层以及有源区，其中有源区为量子阱内嵌量子点结构。利用垂直谐振腔及量子阱内嵌量子点的有源结构，获得了双波长同时发射的半导体激光器。本发明具有结构简单、集成度高、光束方向集中、发射波长易于控制等特点，在实现多色半导体激光器光源和双波长合成干涉测量等领域中有着广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN105047783A
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：CN201510290286.6
申请日：2015-05-31
Applicant: 厦门大学
CPC classification number: H01L33/38 , H01L33/007 , H01L33/40
Abstract: 一种氮化物半导体发光器件及其制备方法，涉及GaN基发光器件。所述氮化物半导体发光器件，从下往上依次设有衬底、缓冲层、未掺杂GaN层、n型GaN层、InGaN多量子阱有源层、p型层，p型层上设有闭合环形回路光刻胶图形，在闭合环形回路光刻胶图形上溅射双金属电极层。通过在传统结构的LED外延层p型GaN薄膜上方采用光刻技术进行涂胶、曝光、显影，在其表面形成具有闭合回路形状的光刻图形；然后采用磁控溅射法在图形上沉积金属层，紧接着将样品表面光刻胶剥离干净，形成环形电极；最后将长完电极的样品放入扩散炉中进行退火合金化，从而得到一种氮化物半导体发光器件。工艺简单、成本低，实现器件中高分辨率发光图像控制。
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