公开(公告)号：CN110212065A

公开(公告)日：2019-09-06

申请号：CN201910501543.4

申请日：2019-06-11

Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司

Inventor： 王爱民 ,  程伟 ,  尧刚 ,  卓祥景

IPC: H01L33/12 ,  H01L33/06 ,  H01L33/14 ,  H01L33/32 ,  H01L33/00 ,  C23C14/06 ,  C23C14/34

Abstract: 本发明提供了一种PVD溅射设备、LED器件及其制作方法，包括：提供图形化衬底；在所述衬底表面形成Al(x)CU(1-x)N缓冲层；在所述Al(x)CU(1-x)N缓冲层表面形成GaN层、N型GaN层、多量子阱层、电子阻挡层、P型GaN层、欧姆接触层、N电极和P电极。与AlN缓冲层相比，Al(x)CU(1-x)N缓冲层能够明显改善衬底和GaN层之间的晶格应力，提升LED器件的性能。并且，由于Al(x)CU(1-x)N缓冲层中包含CuN，因此，使得Al(x)CU(1-x)N缓冲层的稳定性变差，易于化学腐蚀，从而可以将Al(x)CU(1-x)N缓冲层作为衬底剥离时的牺牲层。

公开(公告)号：CN107546302A

公开(公告)日：2018-01-05

申请号：CN201710720209.9

申请日：2017-08-21

Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司

Inventor： 王爱民 ,  程伟 ,  尧刚 ,  崔晓慧 ,  黄金堆

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/12

Abstract: 本申请提供一种LED外延结构及其制作方法，所述LED外延结构制作方法包括：提供图形化衬底，图形化衬底包括平面区域和相对于平面区域凸起的凸起结构；在图形化衬底的平面区域外延形成缓冲层，缓冲层与凸起结构之间具有间隙。仅在图形化衬底的平面区域制作缓冲层，而图形化衬底的凸起结构上不设置缓冲层，从而避免图形化衬底的凸起结构上的缓冲层作为后续LED外延材料的成核中心，只保留沿一个方向生长的组分，避免了其他方向生长的成分，从而避免了后续晶核联接及二维生长时，引入高的应力，使得LED外延结构的晶体质量明显提升，避免了不同晶面晶核联接时产生的应力，进而解决了外延材料因应力增加导致的翘曲异常的问题。