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公开(公告)号：CN102208472B
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：CN201110132005.6
申请日：2011-05-20
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H01L31/052 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明公开一种高聚光倍数太阳能电池的散热器，由铜薄层、银铜钛合金层、金刚石膜、银铜钛合金层和铜底座组成，在聚光太阳能电池底下形成铜薄层，铜薄层下面形成银铜钛合金层，此铜薄层和银铜钛合金层上形成绝缘通道，银铜钛合金层下面形成金刚石膜，金刚石膜下面再形成银铜钛合金层，银铜钛合金层下面形成铜底座，铜底座中形成冷却水通道。本发明还公开了该散热器的制造方法。本发明的散热器能应用在聚光倍数1600倍以上的聚光太阳能电池上，整体热导率高达400W/(m·K)以上，散热效果优于热导率为280W/(m·K)的Al2O3陶瓷散热器，具有更高效的散热作用，使得聚光太阳能电池能在较高的聚光倍数下稳定工作且减少光电转换效率的下降。
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公开(公告)号：CN102593274A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201110132001.8
申请日：2011-05-20
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开一种脉冲气流法生长GaP电流扩展层的方法，在生长GaP电流扩展层时，向金属有机化学气相沉积系统的反应室中，脉冲式交替通入含有镓原子的MO源、磷烷和掺杂源，或者保持磷烷的流量不变，脉冲式通入含镓的MO源和掺杂源。该方法可以增加镓原子和磷原子在外延层表面的迁移时间，使其充分覆盖外延层表面，从而得到高质量的GaP电流扩展层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102427105A
公开(公告)日：2012-04-25
申请号：CN201110352193.3
申请日：2011-11-09
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开一种具有调制掺杂分布布拉格反射层的发光二极管，提供一衬底，在衬底的下表面具有第一电极，在衬底的上表面依次有分布布拉格反射层、第一型外延层、有源层、第二型外延层、电流扩展层，第二电极形成于电流扩展层之上，分布布拉格反射层由两种不同材料组成，在分布布拉格反射层的两种不同材料中掺入掺杂源，并在两种材料的界面处采用Delta掺杂。本发明因为分布布拉格反射层具有调制掺杂结构，可以有效降低发光二极管的正向工作电压，减少光吸收，提高发光二极管的效率。
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公开(公告)号：CN202159691U
公开(公告)日：2012-03-07
申请号：CN201120163361.X
申请日：2011-05-20
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H01L31/052
Abstract: 本实用新型公开一种高聚光倍数太阳能电池的散热器，由铜薄层、银铜钛合金层、金刚石膜、银铜钛合金层和铜底座组成，在聚光太阳能电池底下形成铜薄层，铜薄层下面形成银铜钛合金层，此铜薄层和银铜钛合金层上形成绝缘通道，银铜钛合金层下面形成金刚石膜，金刚石膜下面再形成银铜钛合金层，银铜钛合金层下面形成铜底座，铜底座中形成冷却水通道。本实用新型的散热器能应用在聚光倍数1600倍以上的聚光太阳能电池上，整体热导率高达400W/(m·K)以上，散热效果优于热导率为280W/(m·K)的Al2O3陶瓷散热器，具有更高效的散热作用，使得聚光太阳能电池能在较高的聚光倍数下稳定工作且减少光电转换效率的下降。
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公开(公告)号：CN201340856Y
公开(公告)日：2009-11-04
申请号：CN200820145815.9
申请日：2008-09-28
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H01L33/00
Abstract: 本实用新型公开一种改良电流扩展层结构的高效发光二极管，N－GaAs衬底上外延的材料自下而上依次包括n－GaAs缓冲层、AlAs/AlxGa1－xAs或AlInP/(AlxGa1－x)yIn1－yP布拉格反射层、n－(AlxGa1－x)yIn1－yP下限制层、Undoped－(AlxGa1－x)yIn1－yP有源区、p－(AlxGa1－x)yIn1－yP上限制层、p++AlxGa1－xAs和p－GaP组合电流扩展层，p++AlxGa1－xAs在下面为第一电流扩展层，p－GaP在上面为第二电流扩展层。此结构集GaP和AlxGa1－xAs材料的优点于一体，避免材料的氧化，保证电流扩展和器件的可靠性、稳定性。
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公开(公告)号：CN202282380U
公开(公告)日：2012-06-20
申请号：CN201120350402.6
申请日：2011-09-15
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本实用新型公开一种发光二极管，提供一衬底，在衬底的下表面具有第一电极，在衬底的上表面依次有分布布拉格反射层、第一型外延层、有源层、第二型外延层、电流扩展层，第二电极形成于电流扩展层之上；分布布拉格反射层是由N(1≤N≤100)对高折射率和低折射率的反射层依次周期性叠加而成，每一层高折射率反射层或每一层低折射率反射层的内部包含一个折射率渐变层。本实用新型使得分布布拉格反射层的反射率和反射带宽得到提高，从而提高发光二极管的光提取效率。
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公开(公告)号：CN201311936Y
公开(公告)日：2009-09-16
申请号：CN200820146082.0
申请日：2008-10-27
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H01L31/052 , H01L31/0232
CPC classification number: Y02E10/52
Abstract: 本实用新型公开一种具有反射层的三结太阳电池，在P－Ge衬底上生长形成包含两套布拉格反射层(DBR)的三结太阳电池的半导体材料层；两套布拉格反射层(DBR)是一套用于反射短波光子的铝铟磷AlInP/铝镓铟磷AlGaInP顶电池反射层和一套用于反射中波光子的砷化铝AlAs/铝镓砷AlGaAs中电池反射层。此结构可以减少电池的厚度，减小非平衡载流子的自由程，提高光电转换效率。
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