公开(公告)号：CN219435878U

公开(公告)日：2023-07-28

申请号：CN202320601956.1

申请日：2023-03-24

Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司

Inventor： 刘伟 ,  曹衍灿 ,  邬新根 ,  刘英策 ,  王恩泽 ,  何剑

IPC: H01L27/15 ,  H01L33/44 ,  H01L33/36

Abstract: 本实用新型提供了一种高压微型发光器件，包括衬底及设置于所述衬底表面且通过沟道相互隔离的若干个LED单元；其中，相邻两个LED单元通过桥接电极形成电连接，且在所述沟道内设有玻璃化绝缘层，所述桥接电极通过层叠于所述玻璃化绝缘层的方式连接相邻两个LED单元。从而通过玻璃化绝缘层减小桥接电极向两侧LED单元延伸的高度差，同时，由于玻璃化体系具有良好的力学结构和化学稳定性，可很好地改善因桥接金属断开的问题，进而提高高压微型发光器件的可靠性。

公开(公告)号：CN220121867U

公开(公告)日：2023-12-01

申请号：CN202321151166.4

申请日：2023-05-15

Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司

Inventor： 林志伟 ,  陈凯轩 ,  蔡建九 ,  何剑 ,  李敏华

IPC: H01L33/02 ,  H01L33/14 ,  H01L33/12 ,  H01L23/60

Abstract: 本实用新型提供了一种LED外延结构，所述N型半导体层至少包括三个N型半导体子层，且至少两个所述N型半导体子层的N型掺杂浓度不一致。进一步地，在所述N型半导体层中，靠近所述衬底一侧的N型半导体子层为N型半导体底层，靠近所述有源层一侧的N型半导体子层为N型半导体顶层，其余的N型半导体子层为N型半导体中间层；则，至少一N型半导体中间层的N型掺杂浓度低于所述N型半导体底层和/或N型半导体顶层的N型掺杂浓度。使得所述N型半导体层的N型N型掺杂浓度呈高低高的阶梯式分布结构，该结构能够对高压静电起到缓冲的作用，降低了高压静电的破坏力，提升ESD性能，同时避免因有源层的N型掺杂降低而影响ESD性能。

公开(公告)号：CN219917201U

公开(公告)日：2023-10-27

申请号：CN202321107219.2

申请日：2023-05-10

Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司

Inventor： 林志伟 ,  陈凯轩 ,  何剑 ,  蔡建九 ,  尤翠萍

IPC: H01L33/38 ,  H01L33/46 ,  H01L33/62

Abstract: 本实用新型提供一种Mini‑LED芯片，该Mini‑LED芯片包括：透明衬底，透明衬底包括相对设置的第一表面和第二表面，第二表面为出光面；以及反射层，其设置于第二型半导体层背离有源区的一侧表面，并与外延结构的外围侧壁及凹槽的侧壁间隔设置；结合绝缘层，其覆盖外延结构、透明衬底及部分反射层的裸露面，绝缘层包括DBR反射结构层，既可保护芯片不被水汽侵入防止芯片短路，又有反射效果使芯片为单面出光，且只从第二表面出光，解决芯片侧壁漏光的问题，进而提高Mini‑LED芯片的出光效率，避免Mini‑LED芯片用在显示器背光源时出现漏光现象。