公开(公告)号：CN101443905A

公开(公告)日：2009-05-27

申请号：CN200680054650.8

申请日：2006-12-11

Applicant: 卡西欧计算机株式会社

Inventor： 小泽爱子 ,  冈田修 ,  若林猛

IPC: H01L23/485

CPC classification number: H01L23/525 ,  H01L21/561 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/5329 ,  H01L24/02 ,  H01L24/11 ,  H01L24/12 ,  H01L24/94 ,  H01L2224/0231 ,  H01L2224/0233 ,  H01L2224/02331 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/274 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/18301 ,  H01L2924/30105

Abstract: 一种半导体器件，包括半导体衬底和设置于半导体衬底上除其外围部分之外的区域中的低介电性膜布线线路层压结构部分。每个层压结构部分具有低介电性膜和多个布线线路的层压结构。在层压结构部分的上侧上设置绝缘膜。在绝缘膜上设置用于电极的连接焊盘部分，其待电连接到层压结构部分的最上层布线线路的连接焊盘部分。在用于电极的连接焊盘部分上设置用于外部连接的凸块电极。在绝缘膜上以及半导体衬底的外围部分上设置密封膜。层压结构部分的侧表面被绝缘膜或密封膜覆盖。

公开(公告)号：CN1705124A

公开(公告)日：2005-12-07

申请号：CN200510075516.3

申请日：2005-06-02

Applicant: 卡西欧计算机株式会社

Inventor： 冈田修 ,  定别当裕康

IPC: H01L25/04 ,  H01L23/00

CPC classification number: H01L23/3128 ,  H01L21/561 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/19 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/83 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/20 ,  H01L2224/211 ,  H01L2224/274 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83856 ,  H01L2224/92 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/351 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/82 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种半导体器件，其特征在于：具备底部件(1)；至少一个半导体构成体(2)，设置在所述底部件(1)上，并且具有半导体衬底(4)和设置在该半导体衬底(4)的多个外部连接用电极(5、12)；设置在对应于所述半导体构成体(2)的周围的所述底部件(1)的区域上的绝缘层(15)；和紧贴力提高膜(14a、14b)，设置在所述半导体构成体(2)的周侧面与所述绝缘层(15)之间、对应于所述半导体构成体(2)的周围的所述底部件(1)的区域与所述绝缘层(15)之间的至少之一中。

公开(公告)号：CN1471161A

公开(公告)日：2004-01-28

申请号：CN03143047.3

申请日：2003-06-16

Applicant: 卡西欧计算机株式会社

Inventor： 河野一郎 ,  冈田修

IPC: H01L23/48 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L24/97 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/49894 ,  H01L24/19 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/20 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/8203 ,  H01L2224/82039 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01011 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15174 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/18162 ,  H01L2224/82 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种半导体器件及其制造方法，在由铜形成的第2上层再布线(13)的除连接焊盘部以外的表面上，按照氧化第2铜层(14)、氧化第1铜层(15)顺序设置氧化第2铜层(14)和氧化第1铜层(15)。这样一来，与没有氧化第2铜层(14)和氧化第1铜层(15)的情况相比较，可以提高与铜形成的第2上层再布线(13)和聚酰亚胺和环氧树脂系树脂形成的密封膜(17)的密合性，可以提高耐湿性。