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公开(公告)号：CN115877512A
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202211487141.1
申请日：2022-11-25
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种低损耗紧凑型MMI功率耦合器及其制作方法，其中，MMI功率耦合器包括由下至上设置的硅衬底、二氧化硅层和硅波导层，所述硅波导层一侧连接若干条形波导作为输入，另一侧连接一根条形波导作为输出；所述硅波导层划分为若干纳米像素点型结构，每个纳米像素点型结构为二元状态，每个纳米像素点型结构的状态通过二元搜索法和设置的目标函数确定；所述目标函数设定为输入任何相位差的TE模光源时，输出端口的透射率最大。本发明解决现有技术中MMI功率耦合器对同相位耦合损耗高、占地面积较大等问题。
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公开(公告)号：CN115166991A
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202110359487.2
申请日：2021-04-02
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种90°光混频器及制作方法，该90°光混频器包括Si3N4MMI耦合器，该Si3N4MMI耦合器使用氮化硅作为波导的芯层材料，二氧化硅作为波导的包层材料，基于氮化硅材料制成的Si3N4MMI耦合器制作工艺简单，与集成器件、CMOS工艺兼容。该Si3N4MMI耦合器的四个输出波导输出的光功率保持一致，且四个输出波导输出光束的相位误差在‑5°～5°范围内，四个输出波导的总透射率大于0.9时，对应的带宽为68nm，覆盖了波长范围在1530nm‑1565nm之间的C波段，具有较高的实用价值。
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公开(公告)号：CN112817086B
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN202110014134.9
申请日：2021-01-06
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种基于TM0模式光的马赫曾德尔干涉仪及其制备方法，结构包括：输入波导、第一模式转换器、连接臂、第二模式转换器及输出波导，其中，第二模式转化器与第一模式转换器的结构相同，具有双层锥形结构。本发明实现无论输入端输入TM0模式的入射光还是TE1模式的输入光，连接臂包括直波导段，其输出端均可以输出TM0模式和TE1模式的出射光；可以有效解决现有技术存在的马赫曾德尔干涉仪对温度较为敏感、结构复杂、尺寸大等问题：可以实现与CMOS工艺兼容，便于批量化生产。
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公开(公告)号：CN113325514B
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN202110582047.3
申请日：2021-05-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种光功率分束器的锥形波导区设计方法，包括：将锥形波导区的初始二维几何形状数字化为若干个几何参数点；根据光功率分束器不同的光功率分配比，以多个预设波长点的传输效率作为目标优化函数，对所述若干个几何参数点进行多次迭代来优化锥形波导区的初始二维几何形状；根据光功率分束器不同的光功率分配比和多个预设波长点的传输效率，确定所述锥形波导区的最终二维几何形状；本发明还涉及一种光功率分束器；本发明采用伴随形状优化法多次迭代来优化锥形波导区的初始二维几何形状，并通过样条插值法定义锥形波导区的几何形状，避免生成需要小特征尺寸的尖锐角结构。
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公开(公告)号：CN108153001B
公开(公告)日：2021-04-27
申请号：CN201611103311.6
申请日：2016-12-05
Applicant: 上海新微科技服务有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 中科院南通光电工程中心
IPC: G02F1/05
Abstract: 本发明提供一种大带宽硅基光调制器，包括：基底及其上的绝缘层；n型掺杂硅层，位于所述绝缘层之上；p型掺杂硅层，位于所述n型掺杂硅层之上；铁电薄膜，位于所述p型掺杂硅层之上；其中，所述n型掺杂硅层接地，所述p型掺杂硅层接控制信号，所述铁电薄膜接控制信号。本发明有效的将铁电薄膜与普通的硅基光调制器集成在一起，利用铁电薄膜极化时的场强，大幅度提升了光调制器中载流子浓度的变化范围及灵敏度，从而提升了光调制器的调制带宽。本发明可直接用于硅基光调制器，也可以用于马赫‑曾德尔型光调制器的两臂，后者可以进一步增大调制器的调制宽度。本发明结构简单，控制方便，工艺与CMOS兼容，很适合工业推广。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112240748A
公开(公告)日：2021-01-19
申请号：CN202011284773.9
申请日：2020-11-17
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种带有非厄米耦合角度检测纠正装置的微位移机构，其中刚性底板的上表面固定有衬底，所述衬底上固设有一层绝缘层，所述绝缘层上设置有两组完全相同的硅导线组，所述硅导线组包括若干根相互平行且形状尺寸相同的硅导线，且相邻的硅导线之间距离相等；所述硅导线垂直于所述刚性底板的前后面；所述刚性上板的下表面设置有散射光源；所述散射光源发出的激光照射硅导线组上时，所述硅导线与衬底之间发生近场耦效应，并使得硅导线组中的一根硅导线完全抑制。本发明能够同步检测与纠正平行四边形柔性铰链构机构刚性上板在F力作用下沿x轴方向产生的位移误差以及刚性上板绕y轴的寄生转角误差。
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公开(公告)号：CN109283616A
公开(公告)日：2019-01-29
申请号：CN201811501015.0
申请日：2018-12-10
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种温度不敏感马赫曾德尔干涉仪，包括：第一模式转换器；第二模式转换器，位于第一模式转换器的一侧，且与第一模式转换器具有间距；连接臂，位于第一模式转换器与第二模式转换器之间，一端与第一模式转换器相连接，另一端与第二模式转换器相连接；连接臂包括直波导连接臂。本发明的温度不敏感马赫曾德尔干涉仪通过设置所述连接臂的宽度及厚度等参数可以实现对温度不敏感。
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公开(公告)号：CN105629522B
公开(公告)日：2018-07-06
申请号：CN201410620813.0
申请日：2014-11-06
Applicant: 中科院南通光电工程中心 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G02F1/025
Abstract: 本发明提供一种硅基光调制器，至少包括：脊型波导，所述脊型波导包括平板部和位于所述平板部中间的凸条，所述凸条高于所述平板部；所述脊型波导中形成有第一轻掺杂区和第二轻掺杂区，所述第一轻掺杂区形成于所述凸条中间，且沿所述凸条的延伸方向延伸；所述第二轻掺杂区形成于所述第一轻掺杂区两侧的凸条中和与所述凸条两侧相连的平板部中；所述第一轻掺杂区和所述第二轻掺杂区的掺杂类型相反。在本发明的技术方案中，在脊型波导的凸条内由第一轻掺杂区和第二轻掺杂区形成两个背对背的PN结，在硅基光调制器工作时可以形成两个耗尽区，弥补解决离子注入对准误差的问题，并且提高了硅基光调制器的调制效率。
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公开(公告)号：CN108152886A
公开(公告)日：2018-06-12
申请号：CN201611100701.8
申请日：2016-12-05
Applicant: 上海新微科技服务有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 中科院南通光电工程中心
Abstract: 本发明提供一种基于硅光子晶体的三光束分光器，包括：二维硅光子晶体波导；偏振选择缺陷，设置于所述二维硅光子晶体波导的输入通道，使三光束分光器具有偏振选择功能；功率控制缺陷，设置于所述二维硅光子晶体波导的十字交叉区域，使得三束输出光具有相等的功率输出。本发明通过在二维硅光子晶体波导的输入通道引入不同的偏振选择缺陷，使得分光器具有偏振选择功能，对于TE分光器而言，TE波能够进入并在分光器中传播，而TM波不能进入，对于TM分光器则恰好相反；并且，同时通过在波导的十字交叉区域引入功率控制缺陷，使得三束输出光具有相等的功率输出。本发明具有传输效率高、适用波长范围大、结构简单、易于级联以及工作带宽较大等重要优势。
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公开(公告)号：CN104730643A
公开(公告)日：2015-06-24
申请号：CN201510173591.7
申请日：2015-04-13
Applicant: 江苏尚飞光电科技有限公司 , 中科院南通光电工程中心 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G02B6/27
CPC classification number: G02B6/278
Abstract: 本发明提供一种具有偏振不敏感特性的90°相移光混合器及其设计方法，其中，所述设计方法至少包括：将所述多模干涉耦合器中的多模区设计为矩形波导，确定所述多模区的尺寸，其方法如下：分析计算所述多模区各阶模的有效折射率，以得到横电波TE模式和横磁波TM模式的拍长差及其与所述多模区的宽度、厚度的对应关系图；预先选定所述多模区所需的厚度，在所述横电波TE模式和横磁波TM模式的拍长差为零的条件下，根据所述对应关系图确定所述多模区所需的宽度和长度，以使所述多模干涉耦合器工作时能够具有偏振不敏感特性。本发明的设计方法，通过最佳化的设计器件各个尺寸，实现偏振不敏感特性的90°相移光混合器。
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