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公开(公告)号：CN117155067A
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN202311078000.9
申请日：2023-08-25
Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司 , 国网江苏省电力有限公司电力科学研究院
IPC: H02M1/00 , H02M7/00 , H02M7/483 , H02M7/5387 , H02M1/32
Abstract: 本发明公开了一种三电平三极管模块，其中：上桥臂电路和下桥臂电路分别设置在上桥臂覆铜陶瓷衬板和下桥臂覆铜陶瓷衬板上，上桥臂覆铜陶瓷衬板和下桥臂覆铜陶瓷衬板设置于覆铜基板上；上桥臂电路包括串联的三极管芯片组S1和S2，下桥臂电路包括串联的三极管芯片组S3和S4；三极管芯片组包括IGBT芯片和FRD芯片，三极管芯片组中的IGBT芯片的长边和宽边的布置方向相同，三极管芯片组中的FRD芯片的长边和宽边的布置方向相同。采用上述技术方案，通过设置覆铜基板，增加机械强度的基础上，可以更好地释放热量、扩大模块可用于布置半导体器件的尺寸面积，结合三极管模块的结构布置优化，能够利用的半导体器件的数量增多，提升电流规格。
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公开(公告)号：CN116387264A
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202310335805.0
申请日：2023-03-31
Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司 , 国网江苏省电力有限公司电力科学研究院
IPC: H01L23/488 , H01L23/49 , H01L25/18
Abstract: 本发明公开了一种多芯片并联半桥型IGBT模块，本发明增设发射极信号铜层，直接将发射极电压信号从相应键合线蔟引出，减小了信号回路与功率回路的共发射极寄生电感，以及功率回路与信号控制回路间的互感，减小了共发射极寄生电感对信号控制回路的分压，降低了功率回路电流变化对信号控制回路电压变化的影响，使得芯片集电极‑发射极电压在开通过程中下降速度加快，降低了芯片在开通过程中的损耗，有利于提高模块的工作频率。
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公开(公告)号：CN111787695A
公开(公告)日：2020-10-16
申请号：CN202010721380.3
申请日：2020-07-24
Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司
IPC: H05K1/18
Abstract: 本发明公开了一种采用超声焊接端子的半导体功率模块，所述下壳体设置在金属基板上，下壳体内设置有多个间隔，每个间隔内设置有绝缘陶瓷衬板，每块绝缘陶瓷衬板上设置有IGBT芯片和FWD芯片，IGBT芯片和FWD芯片构成一个半桥电路，多个半桥电路构成一个全桥电路；所述下壳体两端分别嵌入有功率端子，功率端子的末端与绝缘陶瓷衬板相连接；所述信号端子嵌入间隔内设置的横梁，信号端子末端分别与绝缘陶瓷衬板相连接。本发明简化了模块的生产过程，提高了模块的生产效率，增强模块工作的可靠性。
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公开(公告)号：CN213998341U
公开(公告)日：2021-08-20
申请号：CN202022348605.3
申请日：2020-10-21
Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司
IPC: B23K37/04 , B23K101/36
Abstract: 本实用新型公开了一种用于IGBT模块的焊接限位工装，属于IGBT模块真空焊接技术领域，包括焊接托盘、粗限位隔板和精确限位框；焊接托盘的顶面上设有容纳基板的凹槽；粗限位隔板可拆卸地安装于所述基板的顶面，粗限位隔板上贯通地开设有定位框，定位框的两个相对侧边面上对称地设有若干凸台，定位框被所述凸台分割成多个用于限位衬板的子定位框；精确限位框可拆卸地安装于所述焊接托盘的顶面，精确限位框上设有若干定位针，定位针的一端穿过相邻所述子定位框所容纳衬板之间的间隙触压在所述基板的顶面；定位针的直径大于所述凸台的宽度。本实用新型能够保证衬板子单元位置相对固定，装配过程简单、易操作，且便于拆卸工装。
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公开(公告)号：CN213998146U
公开(公告)日：2021-08-20
申请号：CN202022365101.2
申请日：2020-10-22
Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司
IPC: B23K3/08
Abstract: 本实用新型公开了一种用于功率模块覆铜陶瓷衬板焊接的限位工装，包括基板、限位框和限位隔片，所述基板上设有若干定位销，所述限位框包括C形的第一限位框和第二限位框，所述第一限位框和第二限位框上设有与定位销相对应的定位孔，所述限位隔片卡合于第一限位框和第二限位框的两个端部之间。本实用新型解决了现有技术中限位金属框与基板不匹配、限位效果差、焊接质量低的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN212851215U
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN202021481608.8
申请日：2020-07-24
Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司
IPC: H05K1/18
Abstract: 本实用新型公开了一种采用超声焊接端子的半导体功率模块，所述下壳体设置在金属基板上，下壳体内设置有多个间隔，每个间隔内设置有绝缘陶瓷衬板，每块绝缘陶瓷衬板上设置有IGBT芯片和FWD芯片，IGBT芯片和FWD芯片构成一个半桥电路，多个半桥电路构成一个全桥电路；所述下壳体两端分别嵌入有功率端子，功率端子的末端与绝缘陶瓷衬板相连接；所述信号端子嵌入间隔内设置的横梁，信号端子末端分别与绝缘陶瓷衬板相连接。本实用新型简化了模块的生产过程，提高了模块的生产效率，增强模块工作的可靠性。
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公开(公告)号：CN219937044U
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN202320685253.1
申请日：2023-03-31
Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司 , 国网江苏省电力有限公司电力科学研究院
IPC: H01L23/488 , H01L23/49 , H01L25/18
Abstract: 本实用新型公开了一种多芯片并联半桥型IGBT模块，本实用新型增设发射极信号铜层，直接将发射极电压信号从相应键合线蔟引出，减小了信号回路与功率回路的共发射极寄生电感，以及功率回路与信号控制回路间的互感，减小了共发射极寄生电感对信号控制回路的分压，降低了功率回路电流变化对信号控制回路电压变化的影响，使得芯片集电极‑发射极电压在开通过程中下降速度加快，降低了芯片在开通过程中的损耗，有利于提高模块的工作频率。
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公开(公告)号：CN215644455U
公开(公告)日：2022-01-25
申请号：CN202120290329.1
申请日：2021-02-01
Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司
Abstract: 本发明涉及一种新型IGBT模块装配结构，包括底板、焊片和陶瓷覆铜板（DBC），所述焊片置于所述底板和所述DBC之间，在所述底板朝向焊片的一侧设置有若干定位柱，在所述DBC上设置有若干定位孔，所述定位柱和定位孔位置相对应，所述定位柱一端延伸至所述定位孔内，所述定位柱的高度与所述定位孔的深度之差小于所述焊片的厚度，所述焊片用于焊接时连接所述底板和所述DBC。该模块通过合理涉及定位柱和定位孔的位置和尺寸，实现快速精确装配。
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公开(公告)号：CN215644409U
公开(公告)日：2022-01-25
申请号：CN202121383844.0
申请日：2021-06-22
Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司
IPC: H01L21/67 , H01L29/739
Abstract: 本实用新型公开了一种用于IGBT器件大翘曲度长基板的焊接工装，旨在解决IGBT器件焊接过程中铜基板预弯翘曲度过大容易出现焊接变形的技术问题。所述焊接工装包括限位框、接触面板和底板，底板固定在限位框内部，底板与限位框形成焊接凹槽，接触面板放置在焊接凹槽内，接触面板的上表面为下凹曲面，且下凹曲面的曲面率与IGBT器件的散热铜基板的曲面率一致，接触面板的下表面与底板贴合，底板的底部镂空。本实用新型能够增大铜基板与焊接热板的接触面积，避免焊接变形，提高焊接的效率和可靠性，进而提高整个IGBT器件的可靠性。
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公开(公告)号：CN215644407U
公开(公告)日：2022-01-25
申请号：CN202121287568.8
申请日：2021-06-09
Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/687 , H01L29/739
Abstract: 本实用新型公开了一种用于压接式IGBT子模组压力灌胶的夹持装置，包括施压机构、用于设于施压机构下方的施压平台和设于施压平台上的压力保持机构，所述施压机构通过导柱与施压平台连接，所述施压机构底部设有光栅传感器，所述施压机构能够向放置于压力保持机构内的压接式IGBT子模组施压。本实用新型结构简单，成本低廉，能够使具有弹性特性的压接式IGBT子模组在灌胶过程中处于保压状态，避免胶水大量浸入压接式IGBT子模组的刚性接触界面并固化，增大接触电阻。
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