公开(公告)号：CN114242786A

公开(公告)日：2022-03-25

申请号：CN202111325349.9

申请日：2021-11-10

Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司

Inventor： 王鑫 ,  李宇柱 ,  骆健

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/423 ,  H01L21/331

Abstract: 本发明公开了一种屏蔽栅型IGBT器件及其制造方法，包括：形成于第一掺杂类型的半导体衬底中的若干沟槽结构，沟槽结构包括顶部沟槽和深沟槽，顶部沟槽位于深沟槽两侧；顶部沟槽内设有栅介质层并填充多晶硅栅；深沟槽的底部表面和侧面形成有所述源极介质层，在深沟槽中填充下段多晶硅和若干间隔的上段多晶硅，上段多晶硅和下段多晶硅之间设置源极介质层、若干上段多晶硅之间也设置源极介质层；顶部沟槽）内的多晶硅栅通过第一接触孔连接到栅极；深沟槽内的上段多晶硅通过第二接触孔连接到发射极或栅极。优点：通过在深沟槽自由选择将上段多晶硅电性连接至栅极或者发射极，使得该器件的各极间电容调节非常灵活，能够使得器件的EMI有效降低。

公开(公告)号：CN112599598A

公开(公告)日：2021-04-02

申请号：CN202011578704.9

申请日：2020-12-28

Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司

Inventor： 叶枫叶 ,  李宇柱 ,  郑婷婷 ,  李伟邦 ,  骆健 ,  董长城

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/423

Abstract: 本发明公开了半导体器件技术领域的一种IGBT沟槽栅排布结构，旨在解决现有技术中输入电容和米勒电容较小，沟道电流分布不均导致小电流开通过程中发生栅极振荡的技术问题。在衬底的一个表面上依次设置有介质层和发射极金属；在衬底朝向介质层的表面上设置若干个有源沟槽栅和虚拟沟槽栅，且在相邻两个虚拟沟槽栅之间连续设置两个有源沟槽栅；在相邻两个有源沟槽栅之间依次设有P+接触区、P型阱区和N型CS层，P+接触区位于介质层一侧；在有源沟槽栅和虚拟沟槽栅之间依次设有N+发射区、P型阱区和N型CS层，N+发射区位于介质层一侧；每个P+接触区和每个N+发射区分别通过设置在介质层上的与P+接触区和N+发射区一一对应的接触窗口与发射极金属导通。

公开(公告)号：CN214012944U

公开(公告)日：2021-08-20

申请号：CN202023214251.X

申请日：2020-12-28

Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司

Inventor： 叶枫叶 ,  李宇柱 ,  郑婷婷 ,  李伟邦 ,  骆健 ,  董长城

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/423

Abstract: 本实用新型公开了半导体器件技术领域的一种IGBT沟槽栅排布结构，旨在解决现有技术中输入电容和米勒电容较小，沟道电流分布不均导致小电流开通过程中发生栅极振荡的技术问题。在衬底的一个表面上依次设置有介质层和发射极金属；在衬底朝向介质层的表面上设置若干个有源沟槽栅和虚拟沟槽栅，且在相邻两个虚拟沟槽栅之间连续设置两个有源沟槽栅；在相邻两个有源沟槽栅之间依次设有P+接触区、P型阱区和N型CS层，P+接触区位于介质层一侧；在有源沟槽栅和虚拟沟槽栅之间依次设有N+发射区、P型阱区和N型CS层，N+发射区位于介质层一侧；每个P+接触区和每个N+发射区分别通过设置在介质层上的与P+接触区和N+发射区一一对应的接触窗口与发射极金属导通。

公开(公告)号：CN213459734U

公开(公告)日：2021-06-15

申请号：CN202022429352.2

申请日：2020-10-28

Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司

Inventor： 姚二现 ,  谢龙飞 ,  王豹子 ,  李宇柱

IPC: H01L25/18 ,  H01L23/498

Abstract: 本实用新型公开了一种多芯片并联的半桥型IGBT模块，旨在解决现有IGBT模块中芯片间的开通峰值电流差异较大的技术问题。其包括：金属基板和六个绝缘陶瓷衬板，在每个绝缘陶瓷衬板上排布有四个IGBT芯片和两个FRD芯片，所述IGBT芯片的栅极设置在IGBT芯片一侧的中间位置，并全部朝向IGBT模块的中央，IGBT芯片的栅极通过键合线连接绝缘陶瓷衬板上的栅极信号铜箔。本实用新型能够缩小了模块中IGBT芯片间的开通峰值电流差异，提高芯片开通一致性，避免某一芯片过早失效。

公开(公告)号：CN212851215U

公开(公告)日：2021-03-30

申请号：CN202021481608.8

申请日：2020-07-24

Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司

Inventor： 姚二现 ,  王立 ,  李宇柱 ,  黄全全 ,  杨金龙 ,  刘克明

IPC: H05K1/18

Abstract: 本实用新型公开了一种采用超声焊接端子的半导体功率模块，所述下壳体设置在金属基板上，下壳体内设置有多个间隔，每个间隔内设置有绝缘陶瓷衬板，每块绝缘陶瓷衬板上设置有IGBT芯片和FWD芯片，IGBT芯片和FWD芯片构成一个半桥电路，多个半桥电路构成一个全桥电路；所述下壳体两端分别嵌入有功率端子，功率端子的末端与绝缘陶瓷衬板相连接；所述信号端子嵌入间隔内设置的横梁，信号端子末端分别与绝缘陶瓷衬板相连接。本实用新型简化了模块的生产过程，提高了模块的生产效率，增强模块工作的可靠性。