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公开(公告)号：CN118981889A
公开(公告)日：2024-11-19
申请号：CN202411070552.X
申请日：2024-08-06
Applicant: 南方电网数字电网研究院股份有限公司
IPC: G06F30/20 , G06F17/11 , G06F111/04 , G06F119/14
Abstract: 本发明涉及数据仿真技术领域，公开了一种双断口断路器开关缓冲状态传感仿真方法及系统，本方法通过对双断口断路器进行多体动力学运动仿真建模，并利用液压操动机构的流量连续性方程以及各开关缓冲状态阶段的流量控制方程对液压操动机构的控制系统进行控制仿真建模，通过液压操动机构的控制仿真模型与多体动力学模型进行联合仿真，从而通过引入活塞缓冲运行连续的过程进行仿真建模，提高双断口断路器的仿真结果的可靠性。
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公开(公告)号：CN118655193B
公开(公告)日：2024-11-19
申请号：CN202411141855.6
申请日：2024-08-20
Applicant: 南方电网数字电网研究院股份有限公司
Inventor： 吕前程 , 梁水康 , 陈小瓦 , 覃智贤 , 张鸣 , 韩胜国 , 孙铁鹏 , 王纪东 , 董飞龙 , 赵雅茜 , 何哲 , 云昌盛 , 张伟勋 , 林跃欢 , 刘仲 , 骆柏锋
IPC: G01N27/22
Abstract: 本申请涉及一种电容式湿度传感器及湿度检测方法，涉及湿度传感器技术领域，电容式湿度传感器包括气体压缩腔；至少一个进气口和至少一个出气口，均分别与气体压缩腔连通；压电片位于气体压缩腔内部，且覆盖进气口；用于控制进气口的通气状态；电磁阀位于出气口和气体压缩腔之间；用于控制出气口的通气状态；湿度电容模组位于气体压缩腔内、且背离进气口的一侧；用于检测气体压缩腔内的气体的湿度；其中，气体压缩腔内靠近进气口一侧的内径、大于气体压缩腔内靠近湿度电容模组一侧的内径。通过控制湿度传感器主动吸收待测气体到气体压缩腔，并集中和压缩气体，以提高待测气体分子在湿度电容模组中的吸附率，进而提高湿度传感器的灵敏度和测量精度。
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公开(公告)号：CN118317683B
公开(公告)日：2024-10-25
申请号：CN202410743515.4
申请日：2024-06-11
Applicant: 南方电网数字电网研究院股份有限公司
Inventor： 赵继光 , 魏宇鹏 , 徐振恒 , 吕前程 , 田兵 , 董飞龙 , 赵雅茜 , 林跃欢 , 云昌盛 , 张伟勋 , 刘仲 , 骆柏锋 , 王志明 , 尹旭 , 谭泽杰 , 刘胜荣 , 张佳明
Abstract: 本申请涉及一种庞磁阻传感器及其制备方法、电流传感器。该庞磁阻传感器包括：衬底；形成于衬底之上的蛇形锰氧化物薄膜，锰氧化物薄膜包括具有钙钛矿结构，且具有庞磁阻效应的锰氧化物；形成于衬底之上的两个电极，两个电极分别与蛇形锰氧化物薄膜的两端连接，以将待测导线的电流激发的外加磁场的磁场强度转化为电压信号进行输出。搭载该庞磁阻传感器的电流传感器具有大量程，且对于庞磁阻传感器的放置位置没有精确的要求，提高测量便捷性。
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公开(公告)号：CN118746732A
公开(公告)日：2024-10-08
申请号：CN202410696394.2
申请日：2024-05-31
Applicant: 南方电网数字电网研究院股份有限公司
Inventor： 田兵 , 魏宇鹏 , 吕前程 , 徐振恒 , 董飞龙 , 赵雅茜 , 云昌盛 , 张伟勋 , 林跃欢 , 刘仲 , 骆柏锋 , 王志明 , 尹旭 , 谭泽杰 , 刘胜荣 , 张佳明
Abstract: 本申请涉及一种局部放电检测设备。所述设备包括电感线圈和电感检测装置；电感线圈与电感检测装置并联；电感线圈与待检测绝缘设备的外部绝缘壳所设置的目标金属，对向设置；在待检测绝缘设备的外部绝缘壳损坏的情况下，目标金属所产生涡流，改变电感线圈的电感值；电感检测装置用于周期性检测电感线圈的电感值；其中，电感值表征待检测绝缘设备的局部放电情况。本申请通过互感效应确定局部放电情况，外部干扰不会对互感效应产生影响，因此，可以避免外部干扰，从而提高局部放电情况确定的准确性。
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公开(公告)号：CN118276634A
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202410352640.2
申请日：2024-03-26
Applicant: 南方电网数字电网研究院股份有限公司
Inventor： 田兵 , 磨正坤 , 吕前程 , 徐振恒 , 董飞龙 , 赵雅茜 , 云昌盛 , 韦杰 , 张伟勋 , 林跃欢 , 刘仲 , 骆柏锋 , 王志明 , 尹旭 , 谭泽杰 , 刘胜荣 , 张佳明 , 张翰勋
IPC: G05F1/567
Abstract: 本申请涉及一种温度补偿系统、方法、计算机设备、存储介质和程序产品，通过多温度传感器协同进行温度检测，可以更精确地采集电流传感器的环境温度数据，为温度补偿提供更准确的数据支持，通过对数字信号进行增益调节，能够补偿电流传感器灵敏度的温度漂移，通过二阶拟合对电流信号进行校正，能够降低电压信号随温度变化产生的误差，从而提高电流传感器稳定性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118040922A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202311853793.7
申请日：2023-12-29
Applicant: 南方电网数字电网研究院股份有限公司
Abstract: 本申请涉及一种电磁波能量管理方法、装置和电磁波能量管理系统。所述方法包括通过获取多个能量采集通道上设置的储能单元的剩余能量和平均储能功率，根据平均储能功率，确定平均储能功率对应的储能单元的放电优先级，并根据放电阈值以及各储能单元的放电优先级和剩余能量，驱动目标储能单元放电，使得储能单元中剩余能量大于放电阈值，且放电优先级最高的储能单元优先放电，避免不同能量采集通道中的储能单元发生能量倒灌，以提高电磁波的接收功率。
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公开(公告)号：CN119050036B
公开(公告)日：2025-03-04
申请号：CN202411519013.X
申请日：2024-10-29
Applicant: 南方电网数字电网研究院股份有限公司
IPC: H01L21/68 , H01L21/67 , H01L21/683
Abstract: 本申请涉及一种硅片定位机构及硅片加工设备，包括基座和盖体，基座具有承载面，承载面设有用于堆叠至少两个硅片的堆叠位，承载面开设有组配槽；盖体可拆卸地设于基座并设有组配部和抵压部，组配部能够与组配槽组配以形成负压空间，基座还设有气孔，气孔用于连通负压空间与负压装置，盖体开设有操作窗口，操作窗口与堆叠位对应设置，抵压部用于抵压位于堆叠位内最上层的硅片。与传统技术相比，上述的硅片定位机构通过负压空间内的负压环境对盖体产生吸力，以使盖体上的抵压部能够均匀压紧堆叠位的硅片，不会对硅片造成过度挤压而损坏硅片，进而提高半导体芯片的制造良品率。
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公开(公告)号：CN119044258B
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202411550383.X
申请日：2024-11-01
Applicant: 南方电网数字电网研究院股份有限公司
Abstract: 本申请涉及一种悬臂梁氢气传感器及其校准方法、氢气检测系统。该悬臂梁氢气传感器中：衬底形成有一凹槽；两个对称设置的悬臂梁结构设于衬底上，且位于凹槽上方；第一气敏薄膜和第一加热电极设置于其中一个悬臂梁结构背离凹槽的一侧，且第一气敏薄膜包括钯合金材料；第二气敏薄膜和第二加热电极设置于另一个悬臂梁结构背离凹槽的一侧，且第二气敏薄膜包括贵金属修饰金属氧化物薄膜；其中，第一加热电极接入第一气敏薄膜的最佳加热温度对应的第一电压，第二加热电极接入第二气敏薄膜的最佳加热温度对应的第二电压，以经第一气敏薄膜和第二气敏薄膜输出表征环境氢气浓度的信号，灵敏度和精度高。
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公开(公告)号：CN119044258A
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN202411550383.X
申请日：2024-11-01
Applicant: 南方电网数字电网研究院股份有限公司
Abstract: 本申请涉及一种悬臂梁氢气传感器及其校准方法、氢气检测系统。该悬臂梁氢气传感器中：衬底形成有一凹槽；两个对称设置的悬臂梁结构设于衬底上，且位于凹槽上方；第一气敏薄膜和第一加热电极设置于其中一个悬臂梁结构背离凹槽的一侧，且第一气敏薄膜包括钯合金材料；第二气敏薄膜和第二加热电极设置于另一个悬臂梁结构背离凹槽的一侧，且第二气敏薄膜包括贵金属修饰金属氧化物薄膜；其中，第一加热电极接入第一气敏薄膜的最佳加热温度对应的第一电压，第二加热电极接入第二气敏薄膜的最佳加热温度对应的第二电压，以经第一气敏薄膜和第二气敏薄膜输出表征环境氢气浓度的信号，灵敏度和精度高。
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公开(公告)号：CN114509591B
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN202210070374.5
申请日：2022-01-21
Applicant: 南方电网数字电网研究院股份有限公司
Abstract: 本申请涉及一种磁传感器阵列结构、电流检测系统和方法。所述磁传感器阵列结构包括：第一磁传感器，用于测量所处环境的磁感应强度；第二磁传感器，用于测量所处环境的磁感应强度；第三磁传感器，用于测量所处环境的磁感应强度；其中，第一磁传感器、第二磁传感器和第三磁传感器分别位于同一等边三角形的三个顶点处，且第一磁传感器、第二磁传感器和第三磁传感器设于待测导体外围，以使待测导体穿过等边三角形，第一磁传感器、第二磁传感器和第三磁传感器的一磁敏感方向垂直于对应磁传感器所在点与等边三角形的重心的连线方向。该磁传感器阵列结构不需要磁芯，不存在饱和问题，同时采用非接触式测量方式，无需破坏被测导体的线路结构。
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