公开(公告)号：CN106929917B

公开(公告)日：2019-04-09

申请号：CN201710280810.0

申请日：2017-04-25

Applicant: 南开大学 ,  泰山体育产业集团有限公司

Inventor： 孔勇发 ,  孔腾飞 ,  刘士国 ,  刘宏德 ,  陈绍林 ,  郑大怀 ,  葛新宇 ,  徐培明 ,  卞志勇 ,  许京军

IPC: C30B29/30 ,  C30B15/00 ,  G02F1/355

Abstract: 本发明涉及非线性光学晶体领域，特别是涉及一种室温90°相位匹配的双掺铌酸锂晶体。所述的双掺铌酸锂晶体由Li2CO3、Nb2O5、ZrO2和MgO制成，其中Li2CO3和Nb2O5的摩尔比为0.88～0.94∶1，ZrO2的掺入量按摩尔百分比计为1.1～1.9mol％，MgO的掺入量按摩尔百分比计为3.0～6.0mol％。本发明解决了现有掺镁铌酸锂晶体存在高的90°相位匹配温度(大于100℃)和窄的匹配温度半宽度(小于0.5℃)的问题。本发明提供的双掺铌酸锂晶体的90°相位匹配温度低至25.1℃，匹配温度半宽度达到1.2℃，不需要使用加热炉和精密温度控制部件，在室温条件下即可实现90°相位匹配，同时具有突出的抗光折变能力，比同成分掺镁(5.0mol％)铌酸锂晶体提高了2个数量级，可应用于激光倍频、光参量振荡、调Q开关和光波导等领域。

公开(公告)号：CN106876523B

公开(公告)日：2018-05-11

申请号：CN201710127413.X

申请日：2017-03-01

Applicant: 南开大学

Inventor： 吴强 ,  曾强 ,  张春玲 ,  姚江宏 ,  刘丹 ,  齐继伟 ,  许京军

IPC: H01L31/18

Abstract: 本发明提出一种对表面过饱和掺杂光电探测器进行表面钝化的方法，该方法在表面过饱和掺杂光电探测器的表面覆盖两层氢含量不同的非晶硅薄膜。非晶硅薄膜通过等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)形成。本发明的双层含氢非晶硅薄膜结构一方面能够与器件感光面的表面悬挂键结合，减少器件表面的电子与空穴的复合，降低暗电流，另一方面隔绝了空气的污染，具有结构简单，钝化效果显著的优点。

公开(公告)号：CN107884961A

公开(公告)日：2018-04-06

申请号：CN201711364094.0

申请日：2017-12-18

Applicant: 南开大学

Inventor： 高峰 ,  李晓婷 ,  韩小芳 ,  黄礼刚 ,  许京军

IPC: G02F1/125

CPC classification number: G02F1/125

Abstract: 本发明公开了一种基于声光作用的全光纤反射式光学移频器及移频方法。本发明采用在单模光纤的包层上通过制备一段直径变小的声光作用区，在声光作用区的两端包层的直径逐渐变化的区域分别为缓冲区，超声角锥的锥顶粘接在缓冲区；当入射光满足相位匹配条件时，伴随着单模光纤中模式的转变，同时产生移频光，通过反射装置的反射将两次经过声光作用区，从而频移的频率为所加超声波频率的两倍；本发明解决了现有上下话路耦合器作为移频器时，耦合区域连接不稳定、不易封装以及兼容的问题；使用单个超声角锥成功的降低了成本，只有一段声光作用区，结构紧凑，便于封装，有利于应用；本发明具有频移量可调、信噪比可调、可以直接应用于光纤通路的优点。

公开(公告)号：CN105624790A

公开(公告)日：2016-06-01

申请号：CN201610114580.6

申请日：2016-03-01

Applicant: 南开大学 ,  泰山体育产业集团有限公司

Inventor： 孔勇发 ,  郑大怀 ,  刘士国 ,  许京军 ,  徐培明 ,  卞志勇 ,  陈绍林 ,  张玲 ,  刘宏德

IPC: C30B29/30 ,  C30B15/00 ,  G02F1/03 ,  G02F2/02

CPC classification number: C30B29/30 ,  C01G33/00 ,  C01G33/006 ,  C01P2002/52 ,  C01P2006/80 ,  C04B35/495 ,  C04B35/6261 ,  C04B35/62675 ,  C04B2235/3203 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3255 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/604 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/9646 ,  C30B15/10 ,  C30B15/14 ,  C30B15/30 ,  G02F1/0018 ,  G02F1/3551 ,  G02F2202/20 ,  C30B15/00 ,  G02F1/03 ,  G02F2/02

Abstract: 本发明属于非线性光学晶体技术领域，涉及一种铋镁双掺铌酸锂晶体，其特征在于铌酸锂晶体中同时掺入Bi2O3和MgO，其中[Li]和[Nb]的摩尔比为0.90～1.00。Bi2O3掺入量为0.25～1.00mol％，MgO的掺杂量为3.00～9.00mol％。本发明提供的铋镁双掺铌酸锂晶体的光折变效应增强、灵敏度提高；同时抗光损伤能力也显著提高，并且易于生长；所述晶体可应用于激光频率转换、参量振荡、调Q开关、电光调制、全息存储及全息显示等领域。

公开(公告)号：CN103033496B

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201210543908.8

申请日：2012-12-17

Applicant: 南开大学

Inventor： 吴强 ,  杨明 ,  齐继伟 ,  马寅星 ,  陈战东 ,  张心正 ,  孙骞 ,  许京军

IPC: G01N21/65

Abstract: 本发明公开了一种表面拉曼散射增强基底的制备方法。首先飞秒激光辐照硬质固体材料表面，制作大面积硬质微结构母版；其次利用纳米压印技术，向硬质微结构母版上浇注聚二甲基硅氧烷(PDMS)，复制硬质微结构母版上的结构，制备出PDMS模板；最后在PDMS模板上镀一层金膜，制备出PDMS表面增强拉曼散射基底。实验表明，本发明具有增强因子高，基底上不同位置的增强因子均匀性好，可制备大面积的表面拉曼散射增强基底，母版可重复压印，降低了生产成本，另外，采用金作拉曼增强金属，克服了银极易氧化的缺点。

公开(公告)号：CN103715292A

公开(公告)日：2014-04-09

申请号：CN201410012447.0

申请日：2014-01-02

Applicant: 南开大学

Inventor： 吴强 ,  赵丽 ,  马寅星 ,  杨明 ,  陈战东 ,  潘玉松 ,  栗瑜梅 ,  姚江宏 ,  张心正 ,  许京军

IPC: H01L31/102 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521 ,  H01L31/1804

Abstract: 本发明涉及一种具有高增益的可见和近红外硅基光电探测器制备方法，其是在n型衬底与n+型黑硅层之间形成n-n+结，该n-n+结经过快速热退火处理激活黑硅硫掺杂层中的硫杂质元素；该硫掺杂黑硅层增加了材料对可见和红外光的吸收；该硅基光电探测器器件工作在反偏电压下，硅基光电探测器器件吸收光子产生的光生电子-空穴对在电场的作用下分离，并向两边的电极运动，被电极收集后形成光电流，从而实现了光探测。本发明具有结构简单、工艺简单、易加工和易保存等优点，最突出的，该光电探测器在400nm-2500nm波长范围内，-5V偏压下的响应度均大于为1A／W，在低偏压下实现了高增益。

公开(公告)号：CN102689928B

公开(公告)日：2013-12-11

申请号：CN201210203315.7

申请日：2012-06-19

Applicant: 南开大学

Inventor： 孙军 ,  许京军 ,  李威 ,  杨金凤 ,  张玲 ,  孔勇发 ,  张华

IPC: C30B29/30

Abstract: 一种近化学计量比钽酸锂晶体的制备方法，包括：将碳酸锂质量含量为15.8%~20.1%的碳酸锂和五氧化二钽混合物经升温、熔化、降温结晶、粉碎，得到富锂多晶粉末A，将A装入耐高温的坩埚下部；把待扩散的缺锂钽酸锂晶体放置在A上，晶体周围裸露的A用铂金片覆盖；再用碳酸锂质量含量为10.0%~13.5%的碳酸锂和五氧化二钽混合物经升温、熔化、降温结晶、粉碎，得到贫锂多晶粉末B，将B装入坩埚上部；然后将坩埚在高温炉中进行扩散处理，扩散温度为1300~1500℃，扩散时间根据扩散温度和晶体的厚度确定，扩散温度越高、晶体厚度越小扩散时间越短，反之越长。经过扩散处理后，可以获得高质量的近化学计量比钽酸锂晶体。

公开(公告)号：CN102689927A

公开(公告)日：2012-09-26

申请号：CN201210203084.X

申请日：2012-06-19

Applicant: 南开大学

Inventor： 孙军 ,  许京军 ,  李威 ,  张华 ,  张玲 ,  孔勇发 ,  杨金凤

IPC: C01G33/00 ,  C30B1/10 ,  C30B29/30

Abstract: 一种近化学计量比铌酸锂晶体的制备方法,包括：将碳酸锂质量含量为23%~45%的碳酸锂和五氧化二铌混合物经升温、熔化、降温结晶、粉碎，得到富锂多晶粉末A，将A装入耐高温的坩埚下部；把待扩散的缺锂铌酸锂晶体放置在A上，晶体周围裸露的A用铂金片覆盖；再用碳酸锂质量含量为10%~18%的碳酸锂和五氧化二铌混合物经升温、熔化、降温结晶、粉碎，得到贫锂多晶粉末B，将B装入坩埚上部；然后将坩埚在高温炉中加热进行扩散处理，扩散温度为1000~1150℃，扩散时间根据扩散温度和晶体的厚度确定，扩散温度越高、晶体厚度越小需要的扩散时间越短，反之时间越长。经过扩散处理后，可以获得高质量的近化学计量比铌酸锂晶体。

公开(公告)号：CN100497758C

公开(公告)日：2009-06-10

申请号：CN200610129356.0

申请日：2006-11-11

Applicant: 南开大学

Inventor： 刘士国 ,  孔勇发 ,  赵艳军 ,  许京军 ,  陈绍林 ,  黄自恒 ,  张玲

IPC: C30B29/30 ,  C30B15/04

Abstract: 掺锆铌酸锂晶体。本发明属非线性光学晶体领域。它的特征是在铌酸锂晶体中掺入锆离子，锆离子Zr4+的掺入量大于0.01mol%。本发明提供了一种新的抗光折变掺杂离子Zr4+，它的掺杂阈值低，易于生长出高品质的晶体，且抗光折变能力强，超过阈值以后晶体的抗光折变能力比同成份铌酸锂晶体提高6个量级，比同成分掺镁(4.6mol%)铌酸锂晶体提高了3个量级。本发明之掺锆铌酸锂晶体，完全可以取代高掺镁铌酸锂晶体的应用，具有巨大的市场前景。

公开(公告)号：CN1283853C

公开(公告)日：2006-11-08

申请号：CN200410019732.1

申请日：2004-06-23

Applicant: 南开大学

Inventor： 孙军 ,  张玲 ,  孔勇发 ,  李兵 ,  刘士国 ,  黄自恒 ,  陈绍林 ,  许京军

IPC: C30B29/30 ,  C30B15/00

Abstract: 本发明涉及一种近化学比铌酸锂晶体的制备，特别是成分均匀的铌酸锂晶体的制备工艺，属于光电材料制备技术领域。由于铌酸锂晶体不是同成分共熔，结晶出来的固体成分与熔体成分不一致，熔体的成分不断发生变化，结晶的固体成分也不断发生变化。因此难以得到成分均匀的铌酸锂晶体。为此本发明公开了一种近化学比铌酸锂晶体制备工艺，其技术方案是：在双坩埚直拉法生长铌酸锂晶体的工艺中，随着晶体的生长，往熔体中加入Nb∶Li＝64∶36的熔融原料颗粒，使熔体的成分维持不变。本发明的有益效果：加入熔体有利于扩散，使晶体生长速度加快，提高生产效率；原料是含量36mol%的Li，是Li含量小于50mol%的Li2O·Nb2O5体系中熔点最低的共晶点原料，有利于熔体的加入。