一种热活化延迟荧光聚合物及其应用

    公开(公告)号:CN114031754B

    公开(公告)日:2024-08-16

    申请号:CN202110542776.6

    申请日:2021-05-18

    Abstract: 本发明揭示了一种热活化延迟荧光聚合物及其应用,热活化延迟荧光聚合物的通式中,X表示苯环A和苯环B之间的连接方式,可以是苯环A与苯环B没有经过X的连接,可以是单键相连、经过‑NR1‑、‑O‑和‑S‑中的任意一种m+n=0.5,且0.5>m>0;AR1为取代的苯、萘、芴、咔唑、螺芴、蒽、氧杂蒽,AR1上的取代为C1~C20直链取代基、C1~C20的支链取代基、C1~C20直链烷氧基或C1~C20支链烷氧基中的一种。本技术方案通过简单的合成手段获得高荧光量子效率、发射波长较长、光动力活性高等优点,作为生物医学应用的纳米试剂的活性组分使用。

    一种基于稠环石墨烯纳米带及制备方法

    公开(公告)号:CN110204691A

    公开(公告)日:2019-09-06

    申请号:CN201910525833.2

    申请日:2019-06-18

    Abstract: 本发明公开了一种基于稠环石墨烯纳米带及制备方法,所述制备方法为:等摩尔量化合物A与化合物B发生Suzuki反应,得聚合物C;聚合物C加入无水三氯化铁的硝基甲烷溶液,发生关环反应,制得石墨烯纳米带;化合物A为双溴代、双碘代或双三氟甲磺酸酯的并五苯衍生物,化合物B为双硼酸和双硼酸酯萘、芘或苝中的一种。本发明采用先合成具有特定关环位点的可溶性共轭聚合物,再氧化脱氢反应关环,制得可溶规整石墨烯纳米带,引入了适当增加溶解性的柔性烷基链,改善了材料的稳定性、溶解性和加工性能。其制备方法简单易行、产率高、结构可控且可设计、易于分离纯化,在有机半导体器件、生物传感等多领域具有广泛的应用前景。

    一种基于稠环石墨烯纳米带及制备方法

    公开(公告)号:CN110204691B

    公开(公告)日:2021-11-12

    申请号:CN201910525833.2

    申请日:2019-06-18

    Abstract: 本发明公开了一种基于稠环石墨烯纳米带及制备方法,所述制备方法为:等摩尔量化合物A与化合物B发生Suzuki反应,得聚合物C;聚合物C加入无水三氯化铁的硝基甲烷溶液,发生关环反应,制得石墨烯纳米带;化合物A为双溴代、双碘代或双三氟甲磺酸酯的并五苯衍生物,化合物B为双硼酸和双硼酸酯萘、芘或苝中的一种。本发明采用先合成具有特定关环位点的可溶性共轭聚合物,再氧化脱氢反应关环,制得可溶规整石墨烯纳米带,引入了适当增加溶解性的柔性烷基链,改善了材料的稳定性、溶解性和加工性能。其制备方法简单易行、产率高、结构可控且可设计、易于分离纯化,在有机半导体器件、生物传感等多领域具有广泛的应用前景。

    一种基于多环芳烃的共轭聚合物的应用

    公开(公告)号:CN108484885B

    公开(公告)日:2021-02-19

    申请号:CN201810299092.6

    申请日:2018-04-04

    Abstract: 本发明涉及一种基于多环芳烃的共轭聚合物的应用,共轭聚合物用于有机场效应晶体管光可编程线性存储器中,有机场效应晶体管光可编程线性存储器包括衬底,在所述衬底的上表面设置有栅电极,在所述栅电极的上表面设置有栅绝缘层,在所述栅绝缘层的上表面设置有共轭聚合物薄膜层,所述共轭聚合物薄膜层的上表面中部具有沟道区域,在所述共轭聚合物薄膜层的上表面位于沟道区域两侧设置有源漏电极。本发明的优点是通过简单的工艺手段使器件既有半导体性能又有存储性能,获得存储容量、开关速度和光响应能力、线性存储能力优异的有机场效应晶体管存储器。

    一种空穴传输层材料及其制备方法、钙钛矿太阳电池及其制备方法

    公开(公告)号:CN111689867A

    公开(公告)日:2020-09-22

    申请号:CN202010504469.4

    申请日:2020-06-05

    Abstract: 本发明公开了一种空穴传输层材料在钙钛矿太阳电池中的应用。这种空穴传输层材料均以螺芴为核,N-芳基萘胺为四个端基。钙钛矿太阳电池包括衬底、电极、空穴传输层、活性层、电子传输层和电极,其中活性层为传统的甲胺碘化铅(MAPbI)型钙钛矿,空穴传输层为本发明公开的一种基于N-芳基萘胺的空穴传输层材料。本发明所制备的钙钛矿电池均具有较高的开路电压,较高的短路电流,较高的填充因子,相应的钙钛矿电池能量转换效率最高可达17.33%,此外,在无掺杂情况下,相应的钙钛矿器件依然具有较高的光电转换效率。本发明的空穴传输材料在钙钛矿制备过程中可溶解于溶剂中最终留在钙钛矿层中形成异质结结构,从而提高空穴的抽取效率且降低空穴-电子复合的几率,N-芳基萘胺的引入提升了器件稳定性。

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