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公开(公告)号：CN110161626A
公开(公告)日：2019-08-23
申请号：CN201910416538.3
申请日：2019-05-17
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明揭示了一种三维硅基模式选择开关，该三维硅基模式选择开关包括：衬底层，在衬底层上设有下包层，在下包层上铺设有第一下层波导和第二下层波导，在第一下层波导和第二下层波导上均铺设有第一中间隔离层，在第一中间隔离层上再铺设有中间波导，在中间波导上铺设第二中间隔离层，在第二中间隔离层上再铺设有第一上层波导和第二上层波导，在第一上层波导和第二上层波导上方覆盖上覆盖层，其中中间波导通过外加电压能够实现第一下层波导和第二上层波导之间任意的高阶模开关转换。本发明结构简单、具有易于实现、工艺成熟、尺寸结构紧密、CMOS工艺兼容性高的优点，为实现光通信、光子系统中高性能光信号处理芯片或器件奠定了基础。
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公开(公告)号：CN114791648B
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202210545423.6
申请日：2022-05-17
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明提供了一种高通低滤型滤模器及其制备方法，该高通低滤型滤模器包括依次层叠的衬底、下包层、芯层及上包层；芯层包括相互连接的波导和功能区，波导包括依次集成的输入矩形直波导、第一锥形波导、第二锥形波导以及输出矩形直波导；功能区位于第一锥形波导和第二锥形波导之间，功能区包括通过结构和滤模结构，滤模结构与第一锥形波导和第二锥形波导连接，通过结构分布在滤模结构两侧并与第一锥形波导和第二锥形波导连接。高阶模式经过通过结构低损耗传输，基模或低于通过模式阶数的模式受第一锥形波导引导至滤模结构变为辐射模式，无法继续传输。本发明实现了高阶模式通过，低阶模式过滤的功能，具有紧凑的尺寸、低损耗和大带宽。
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公开(公告)号：CN108761637B
公开(公告)日：2024-01-23
申请号：CN201810606332.2
申请日：2018-06-12
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明涉及三维多层波导模式复用和解复用器及制备方法，属于光通信器件技术领域，具体针对模分复用系统。本发明通过三维多层波导集成结构，突破传统二维平面波导结构限制，增加器件集成维度，提高器件集成度和灵活性，从而进一步提高系统通信容量。通过三维波导的上下两层波导任意一侧边界对齐，实现基模与高阶模直接立体耦合，克服传统三维模式复用器无法实现模式直接耦合的缺陷，简化器件结构及复杂度。本发明可基于成熟的CMOS工艺制备，实现高效率、低成本与批量化制造；本发明，可实现模式立体灵活耦合，为片上模式复用技术打下良好基础，可进一步实现应用于模分复用网络的灵活模式路由。
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公开(公告)号：CN110515156A
公开(公告)日：2019-11-29
申请号：CN201910795858.4
申请日：2019-08-27
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明提出了一种基于多层相位匹配波导的光纤耦合结构及其制备方法，能实现硅纳米波导和光纤之间的偏振不敏感高效耦合。通过基于多层相位匹配波导的定向耦合器结构实现底层硅纳米波导与上层多层波导之间的横电模和横磁模的高效模式耦合与能量转换。引入模式过渡器实现横磁模无损耗转换，进而实现底层横磁模与横电模独立耦合。通过偏振合束器将耦合至上层多层波导中的横电模与横磁模进行合并，进而与光纤实现偏振不敏感耦合。该发明的制备工艺与互补金属氧化物半导体工艺兼容，为实现光通信、光子系统中高性能光信号处理芯片或器件奠定了基础。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110109268A
公开(公告)日：2019-08-09
申请号：CN201910477482.2
申请日：2019-06-03
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种基于水平三波导耦合器的硅基模式选择开关，包括衬底层，下包层和上覆盖层；在下包层上铺有左侧掺杂平板波导层和右侧掺杂平板波导层，左侧掺杂平板波导层上设有左侧电极和输入波导；右侧掺杂平板波导层上设有右侧电极和主干波导；采用基于ENZ-ITO的水平MOS电容器，通过调整外加电压，调节ITO层的双载流子积聚层的浓度，达到快速相变来实现模式复用的状态转换，实现了高速开关转换，提高了光与物质互作用，为片上模式复用技术打下良好基础，进一步实现应用于模分复用网络的灵活模式路由，为实现光通信、光子系统中高性能光信号处理芯片或器件奠定了基础。
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公开(公告)号：CN209707731U
公开(公告)日：2019-11-29
申请号：CN201920715971.2
申请日：2019-05-17
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本实用新型揭示了一种立体硅基模式控制器件，该一种立体硅基模式控制器件包括：衬底层，在衬底层上设有下包层，在下包层上铺设有第一下层波导和第二下层波导，在第一下层波导和第二下层波导上均铺设有第一中间隔离层，在第一中间隔离层上再铺设有中间波导，在中间波导上铺设第二中间隔离层，在第二中间隔离层上再铺设有第一上层波导和第二上层波导，在第一上层波导和第二上层波导上方覆盖上覆盖层，其中中间波导通过外加电压能够实现第一下层波导和第二上层波导之间任意的高阶模开关转换。本实用新型结构简单、具有易于实现、工艺成熟、尺寸结构紧密、CMOS工艺兼容性高的优点，为实现光通信、光子系统中高性能光信号处理芯片或器件奠定了基础。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN210572857U
公开(公告)日：2020-05-19
申请号：CN201921401442.1
申请日：2019-08-27
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本实用新型公开了一种偏振不敏感型模斑转换器，能实现硅纳米波导和光纤之间的偏振不敏感高效耦合。通过基于多层相位匹配波导的定向耦合器结构实现底层硅纳米波导与上层多层波导之间的横电模和横磁模的高效模式耦合与能量转换。引入模式过渡器实现横磁模无损耗转换，进而实现底层横磁模与横电模独立耦合。通过偏振合束器将耦合至上层多层波导中的横电模与横磁模进行合并，进而与光纤实现偏振不敏感耦合。本实用新型具有耦合性强、工艺成熟、CMOS工艺兼容性高的进步，可实现批量化制造，其生产效率较高，具有显著的竞争优势。
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公开(公告)号：CN209979957U
公开(公告)日：2020-01-21
申请号：CN201920825243.7
申请日：2019-06-03
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本实用新型公开了一种高集成度模式通道切换控制器，包括衬底层，下包层和上覆盖层；在下包层上铺有左侧掺杂平板波导层和右侧掺杂平板波导层，左侧掺杂平板波导层上设有左侧电极和输入波导；右侧掺杂平板波导层上设有右侧电极和主干波导；采用基于ENZ-ITO的水平MOS电容器，通过调整外加电压，调节ITO层的双载流子积聚层的浓度，达到快速相变来实现模式复用的状态转换，实现了高速开关转换，提高了光与物质互作用，为片上模式复用技术打下良好基础，进一步实现应用于模分复用网络的灵活模式路由，为实现光通信、光子系统中高性能光信号处理芯片或器件奠定了基础。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN208459627U
公开(公告)日：2019-02-01
申请号：CN201820912449.9
申请日：2018-06-12
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本实用新型涉及立体硅基模式复用器与解复用器，包括：衬底层，在衬底层上设有下包层，在下包层上设有下层波导，在下层波导上铺设有中间隔离层，在中间隔离层上设有上层波导，在上层波导上覆盖有上覆盖层，下层波导的任意一侧边界和上层波导的任意一侧边界对齐，且下层波导和上层波导的波导宽度中心错位大于0小于5μm。本实用新型通过三维多层波导集成结构，突破传统二维平面波导结构限制，增加器件集成维度，提高器件集成度和灵活性，从而进一步提高系统通信容量。通过三维波导的上下两层波导任意一侧边界对齐，实现基模与高阶模直接立体耦合，克服传统三维模式复用器无法实现模式直接耦合的缺陷，简化器件结构及复杂度。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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