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公开(公告)号：CN108761637A
公开(公告)日：2018-11-06
申请号：CN201810606332.2
申请日：2018-06-12
Applicant: 南京邮电大学
CPC classification number: G02B6/12007 , G02B6/12002 , G02B6/132 , G02B6/138
Abstract: 本发明涉及三维多层波导模式复用和解复用器及制备方法，属于光通信器件技术领域，具体针对模分复用系统。本发明通过三维多层波导集成结构，突破传统二维平面波导结构限制，增加器件集成维度，提高器件集成度和灵活性，从而进一步提高系统通信容量。通过三维波导的上下两层波导任意一侧边界对齐，实现基模与高阶模直接立体耦合，克服传统三维模式复用器无法实现模式直接耦合的缺陷，简化器件结构及复杂度。本发明可基于成熟的CMOS工艺制备，实现高效率、低成本与批量化制造；本发明，可实现模式立体灵活耦合，为片上模式复用技术打下良好基础，可进一步实现应用于模分复用网络的灵活模式路由。
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公开(公告)号：CN108761637B
公开(公告)日：2024-01-23
申请号：CN201810606332.2
申请日：2018-06-12
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明涉及三维多层波导模式复用和解复用器及制备方法，属于光通信器件技术领域，具体针对模分复用系统。本发明通过三维多层波导集成结构，突破传统二维平面波导结构限制，增加器件集成维度，提高器件集成度和灵活性，从而进一步提高系统通信容量。通过三维波导的上下两层波导任意一侧边界对齐，实现基模与高阶模直接立体耦合，克服传统三维模式复用器无法实现模式直接耦合的缺陷，简化器件结构及复杂度。本发明可基于成熟的CMOS工艺制备，实现高效率、低成本与批量化制造；本发明，可实现模式立体灵活耦合，为片上模式复用技术打下良好基础，可进一步实现应用于模分复用网络的灵活模式路由。
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公开(公告)号：CN208459627U
公开(公告)日：2019-02-01
申请号：CN201820912449.9
申请日：2018-06-12
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本实用新型涉及立体硅基模式复用器与解复用器，包括：衬底层，在衬底层上设有下包层，在下包层上设有下层波导，在下层波导上铺设有中间隔离层，在中间隔离层上设有上层波导，在上层波导上覆盖有上覆盖层，下层波导的任意一侧边界和上层波导的任意一侧边界对齐，且下层波导和上层波导的波导宽度中心错位大于0小于5μm。本实用新型通过三维多层波导集成结构，突破传统二维平面波导结构限制，增加器件集成维度，提高器件集成度和灵活性，从而进一步提高系统通信容量。通过三维波导的上下两层波导任意一侧边界对齐，实现基模与高阶模直接立体耦合，克服传统三维模式复用器无法实现模式直接耦合的缺陷，简化器件结构及复杂度。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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