阻抗谱法确定有机半导体厚度依赖的迁移率方法

    公开(公告)号:CN105548267B

    公开(公告)日:2019-08-02

    申请号:CN201610025150.7

    申请日:2016-01-13

    Abstract: 本发明公开了一种基于阻抗谱法确定有机半导体厚度依赖的迁移率方法。在小信号扰动下,基于空间电荷限制电流理论SCLC,建立理论阻抗(导纳)模型。制备不同厚度下的单层载流子器件,测试、拟合阻抗实部和虚部,得到有机半导体材料的迁移率μ,厚度越厚,迁移率越大。最后从λTrap界面陷阱自由能的角度解释迁移率与厚度的关系,即dG=λTrap.dA。发明优点:(1)直接测量实际器件中有机半导体的载流子迁移率,能真实反映有机半导体的输运性能,如色散参数;(2)与传统的TOF技术相比,能够节约成本:TOF要求有机半导体的厚度要达到微米级,对于许多新材料而言,代价十分昂贵;(3)从界面陷阱自由能的角度解释界面厚度比例对迁移率影响,更简洁和具有说服力。

    基于固液相变原理的实验室有机固体纯化装置与方法

    公开(公告)号:CN103041751A

    公开(公告)日:2013-04-17

    申请号:CN201310005358.9

    申请日:2013-01-08

    Abstract: 本发明是一种基于固液相变原理的实验室有机固体纯化装置与方法,整个装置由单片机控制。该装置包括玻璃熔炼炉(1)和加热部分;玻璃熔炼炉(1)的顶部设有变直径的原料进口,在玻璃熔炼炉(1)的旁边与熔炼炉平行地设有控制加热圈(2)移动的加热圈移动轨道(5),加热圈(2)位于玻璃熔炼炉(1)的外侧且固定在加热圈移动轨道(5)上,加热圈(2)与加热圈移动轨道(5)之间设有挡风玻璃(4),挡风玻璃(4)和加热圈移动轨道(5)都固定在基底(3)上。本发明可用于1-10克重量范围的实验室有机固体的纯化,控制系统简便,无废液和废气排放,节约溶剂,且制造成本低廉。该装置和方法可以部分取代目前实验室里广泛使用的柱层析方法。

    芴和芘、苝的共轭聚合物材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN101503507A

    公开(公告)日:2009-08-12

    申请号:CN200910028450.0

    申请日:2009-01-20

    Inventor: 黄维 唐超 徐慧

    Abstract: 芴和芘、苝的共轭聚合物材料及其制各方法,该类材料可以应用于聚合物电致发光材料、聚合物集成电路、聚合物太阳能电池、聚合物薄膜晶体管、聚合物染料激光、聚合物非线性光学材料和荧光探针等塑料电子学领域。该类聚合物将施或花与荷这两个高性能体系通过共聚策略结合起来,具有如下优点:(1)原料廉价,合成方法简便;(2)该类材料除了具有良好的溶解性、热稳定性和流变性能外,还具有显著提高的空穴注入能力,空穴传输能力和电子传输能力,使得在电致发光器件中可以不需要空穴注入层,空穴传输层和电子传输层,简化了器件工艺。利用本发明的材料制备的电致发光器件在亮度,发光效率,耐电压稳定性等方面获得了令人满意的结果。

    有机真空成膜过程中样品的自动交替镀膜控制装置及方法

    公开(公告)号:CN101298658A

    公开(公告)日:2008-11-05

    申请号:CN200810023235.7

    申请日:2008-04-03

    Abstract: 有机真空成膜过程中样品的自动交替镀膜控制装置及方法涉及有机薄膜系统的自动交替控制,该装置包括:单片机与键盘电路(1)、膜厚测量模块(2)、模数转换单元(3)、电磁阀(4)、固体继电器(5)、等效可变电阻电路(6),整个控制系统主要分为四个功能模块:人机交互、膜厚控制、强弱电转换、样品蒸镀处理。本发明的控制系统实现了镀膜的自动交替控制,并且能够避免有机半导体材料在真空腔内的污染,同时控制系统简便,制造成本低廉。

    半导体二极管器件不同薄膜位置处缺陷态密度测试方法

    公开(公告)号:CN116399918A

    公开(公告)日:2023-07-07

    申请号:CN202310510114.X

    申请日:2023-05-08

    Abstract: 本发明涉及聚合物电子学领域,具体地说,是一种半导体二极管器件不同薄膜位置处缺陷态密度测试方法,包括如下步骤:实验制作聚合物二极管器件;用原子力显微镜分析样品;采用Chi660e电化学工作站测量样品的阻抗;通过阻抗数据,绘制C‑F图,并对C‑F图进行二次项拟合,获得拟合系数,将拟合数据代入方程,求得此半导体器件的深能级缺陷态。本发明可以通过此方法在电化学工作站测量一种聚合物半导体器件的深能级缺陷态,对于研究不同材料构成的聚合物二极管器件的缺陷态分析有很大的指导意义,研究对象包括但不限于聚合物半导体。

    一种有机半导体材料相对介电常数的测量方法

    公开(公告)号:CN115825580A

    公开(公告)日:2023-03-21

    申请号:CN202211685086.7

    申请日:2022-12-27

    Abstract: 本发明公开了一种有机半导体材料相对介电常数的测量方法。基于制备具有阴极/有机层/阳极的单层器件,依据电流密度方程和泊松方程建立该器件的阻抗模型和阻抗相位模型;利用正弦小信号作为上述器件的激励信号,用阻抗谱仪测量该器件在直流偏压下的阻抗谱数据。用测量的阻抗谱数据拟合出阻抗相位模型中的未知参数——载流子迁移时间,然后将载流子迁移时间代入到阻抗模型,再用最小二乘法计算出有机材料的相对介电常数。该方法测量的介电常数误差较小,且该方法需要被测样品的厚度仅为600纳米,这对于许多昂贵的新材料而言,非常节省成本。

    基于互补结构感知的内外循环驱动图像盲去模糊方法和装置

    公开(公告)号:CN112801899A

    公开(公告)日:2021-05-14

    申请号:CN202110073332.2

    申请日:2021-01-20

    Inventor: 邵文泽 徐慧 许娟

    Abstract: 本发明公开了基于互补结构感知的内外循环驱动图像盲去模糊方法和装置,图像处理技术领域,方法包括:输入模糊图像并利用图像先验知识获得模糊图像的初始模糊核;基于L0+RDP正则化模型和初始化模糊核对模糊图像进行非盲去模糊的迭代处理;判断所述迭代处理是否达到预设最大迭代次数,若达到预设最大迭代次数时,停止迭代处理,获得最终的中间模糊核,利用最终的中间模糊核对输入的模糊图像进行非盲去模糊处理,获得去模糊的最终清晰图像。本发明的方法和装置在图像梯度L0稀疏先验的基础上引入了一个RDP函数作为正则项,能够在区分图像边缘陡度的情况下较好地保留图像边缘信息,提高去模糊结果的精度,进而能够更好地估计出模糊核和清晰图像。

    一种基于生成对抗网络的有限角CT重建去伪影的方法

    公开(公告)号:CN110648376A

    公开(公告)日:2020-01-03

    申请号:CN201910767838.6

    申请日:2019-08-20

    Inventor: 徐慧 谢世明

    Abstract: 本发明公开了一种基于生成对抗网络的有限角CT重建去伪影的方法,其特征是,包括以下步骤:将完全角度CT图像在[45.5°,135.5°]角度范围内进行降采样、滤波反投影处理,得到有限角CT图像,将完全角度CT图像与所述有限角CT图像拼接,将若干拼接图像作为数据样本,分为训练集和测试集;基于WGAN-GP网络模型,该模型包括生成器和判别器,分别构建所述生成器和所述判别器的深度神经网络结构;将训练集送入WGAN-GP网络模型中训练,将测试集数据送入训练好的模型中进行测试;将待处理图像送入训练好的模型中以输出清晰的有限角CT重建图像。本发明提供的去除块状伪影的方法相比现有技术去除效果更好,同时能较好的保留细节以及边缘信息。

    一种判断共轭芳香烃分子中存在π‑π超共轭效应的方法

    公开(公告)号:CN106769968A

    公开(公告)日:2017-05-31

    申请号:CN201710010093.X

    申请日:2017-01-06

    Abstract: 一种判断共轭芳香烃分子中存在π‑π超共轭效应的方法,涉及有机光电子领域。包括以下步骤:选择对照材料;测试目标材料及对照材料的UV光谱图;对实验所得UV光谱图进行分析,如果主共轭体系所对应的吸收峰峰形发生了变化,并且吸收峰的个数多于其分子中共轭体系的个数,则说明该目标材料具有π‑π超共轭效应,反之,则无。在共轭芳香烃分子中,将由两个单键将两个π体系连接起来而形成的一种相互作用,称为π‑π超共轭效应。π‑π超共轭效应对材料的载流子传输能力以及分子间的相互作用有重要影响,甚至使材料产生特殊光电特性,所以本发明对研究分析有机光电材料的光电子性能和新型有机发光材料分子结构的设计都有很大的推动和指导作用。

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