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公开(公告)号：CN116528595A
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202310503183.8
申请日：2023-05-06
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了一种基于隔离与互连的共聚物有机半导体器件及制备方法，包括衬底、光刻阻挡层、绝缘隔离层、N个有机场效应晶体管和N‑1根互连线；光刻阻挡层包括隔离层和无机介质层；隔离层沿长度方向开设有N个纵向贯通的隔离槽；无机介质层包括下介质层和上介质层；下介质层位于N个隔离内，上介质层铺设在隔离层和下介质层顶部；每个有机场效应晶体管均包括半导体层、源极、漏极和栅极；半导体层布设在对应下介质层节段底部的隔离槽内，其材料为有机共聚物。本发明有效利用隔离槽以及光刻阻挡层，将不同半导体材料的半导体层进行包裹隔离，从而实现在同一基板上集成不同的有机场效应晶体管，且有机场效应晶体管能实现有效互连。
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公开(公告)号：CN116347898A
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202310369621.6
申请日：2023-04-10
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了一种具有金属场板的共聚物有机半导体功率器件，包括器件本体和金属场板；器件本体包括从下至上依次布设的衬底、有机半导体层、栅极绝缘层和栅极金属电极；有机半导体层中埋置有源极金属电极和漏极金属电极；位于栅极金属电极和漏极金属电极之间的有机半导体层形成为横向漂移区，横向漂移区的长度不超过40um；金属场板沉积在横向漂移区正上方的栅极绝缘层表面，金属场板的厚度等于栅极金属电极的厚度；金属场板为三角场板、条状场板和条状阵列场板中的一种，具体根据横向漂移区的长度进行选择。本发明能实现对漂移区的电场调控，从而能在提高器件耐压性能的同时，提高器件的导通电流。
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公开(公告)号：CN114112077B
公开(公告)日：2023-05-26
申请号：CN202111420630.0
申请日：2021-11-26
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
Abstract: 本发明提供了一种应用于大测温范围的温度传感器的SAR逻辑电路，温度传感器包括感温电路与SAR ADC电路，SAR逻辑电路是SAR ADC电路的组成部分；SAR逻辑电路包括3个TSPC寄存器阵列，寄存器阵列之间通过信号的传输相连接，寄存器阵列都由TSPC寄存器级联组成；TSPC寄存器结构包括TSPCR与电平恢复回路，能够改善信号的竞争问题，从而改善电路工作温度范围。本发明改善了SAR逻辑电路的工作温度范围，使工作温度范围扩大至‑150℃—200℃，应用于温度传感器时，能扩大温度传感器的测温范围。
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公开(公告)号：CN115498998B
公开(公告)日：2023-02-21
申请号：CN202211419950.9
申请日：2022-11-14
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了一种基于相位误差自动校正的高频晶体振荡器，包括高频晶体、负载电容、两个单刀双掷开关、环形振荡器、8分频电路、扭环形计数器、峰值检测器、缓冲器、数字模块、多路选择器和放大器，本发明在电路对高频晶体进行能量注入的同时，检测注入信号与晶体振荡信号之间的相位误差并自动校正，使相位误差始终小于45°。本发明保证了高频晶体内部能量持续高效的线性增长，大大降低晶体达到稳定振荡幅度所需的启动时间，实现快速启动；且基于相位误差自动校正技术，本发明在极大地降低启动时间的同时，大幅降低了产生能量注入信号的信号源频率精度要求，本发明显著地提升了芯片良率。
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公开(公告)号：CN115084276A
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202210672743.8
申请日：2022-06-15
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
IPC: H01L29/786 , H01L29/40 , H01L29/06 , H01L21/34
Abstract: 本申请提供一种非晶氧化物半导体薄膜晶体管及其制备方法，包括衬底层、支撑层、栅电极层、栅绝缘层、IGZO有源层、刻蚀阻挡层、源区电极、漏区电极以及漏极场板；栅电极层在水平方向上与源区电极存在交叠区，与漏区电极之间存在非交叠区域，该非交叠区域形成漏极偏移区，刻蚀阻挡层位于IGZO有源层上方，左侧末端与源区电极层右侧末端相切，右侧末端与漏区电极左侧末端相切，漏极场板设于刻蚀阻挡层上方，与漏区电极层左侧末端相连，在水平方向上延伸至栅电极层上方，漏极场板结构通过覆盖于漏极偏移区上方，实现了对该区域处IGZO有源层中载流子浓度的调控，减小电阻，以及降低该处电场分布，改善器件的耐压特性，提升了IGZO薄膜晶体管的功率密度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114582962A
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202210462372.0
申请日：2022-04-29
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
IPC: H01L29/10 , H01L29/778 , H01L21/335
Abstract: 本发明公开了一种可变沟道AlGaN/GaN HEMT结构及制备方法，通过在衬底层上生长缓冲层；在缓冲层之上再生长多沟道层，即两层及以上的AlGaN/GaN异质结叠层；再对多沟道层进行选择性刻蚀，形成阶梯多沟道层；再在器件表面淀积介质钝化层，并进行化学物理抛光，形成阶梯钝化层和顶部钝化层；最后通过微纳加工工艺制备器件的金属电极，获得可变多沟道AlGaN/GaN HEMT结构。
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公开(公告)号：CN114112077A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202111420630.0
申请日：2021-11-26
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
Abstract: 本发明提供了一种应用于大测温范围的温度传感器的SAR逻辑电路，温度传感器包括感温电路与SAR ADC电路，SAR逻辑电路是SAR ADC电路的组成部分；SAR逻辑电路包括3个TSPC寄存器阵列，寄存器阵列之间通过信号的传输相连接，寄存器阵列都由TSPC寄存器级联组成；TSPC寄存器结构包括TSPCR与电平恢复回路，能够改善信号的竞争问题，从而改善电路工作温度范围。本发明改善了SAR逻辑电路的工作温度范围，使工作温度范围扩大至‑150℃—200℃，应用于温度传感器时，能扩大温度传感器的测温范围。
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公开(公告)号：CN113346850A
公开(公告)日：2021-09-03
申请号：CN202110671608.7
申请日：2021-06-17
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了一种多次谐波抑制的高效射频功率放大器，包括输入匹配电路、栅极偏置电路、晶体管、漏极偏置电路、输出匹配电路、多次谐波抑制电路,是在射频功率放大器的输出网络中添加由多个步进阻抗谐振器组成的具有多次谐波抑制的低通滤波电路，一方面可以实现较好的二至五次谐波抑制和提升线性度；另一方面，输出匹配电路的基波频率具有较低的插入损耗，并且添加的多次谐波抑制电路不会影响输出匹配的带宽。
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公开(公告)号：CN112750911A
公开(公告)日：2021-05-04
申请号：CN202110147388.8
申请日：2021-02-03
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/40 , H01L29/423 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开了一种三向电场可控的LDMOS，包括半导体衬底、埋层、有源区，所述有源区包括半导体漏区、条形半导体漂移区和半导体阱区，所述半导体漏区位于条形半导体漂移区一侧台阶处的上方，所述半导体阱区位于条形半导体漂移区的另一侧；三向控制电极，位于条形半导体漂移区的两侧及表面，所述三向控制电极与条形半导体漂移区之间为介质层；三栅电极，位于沟道区的两侧及顶部，形成三栅结构。本发明还公开了一种三向电场可控的LDMOS制备方法。本发明设置三向控制电极，能够获得较高的击穿电压，有效降低LDMOS的导通电阻；设置三栅电极，提供了良好的沟道控制能力，降低器件关闭时的漏电流，并抑制短沟道效应，大大降低阈值电压的迟滞。
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公开(公告)号：CN119126909B
公开(公告)日：2025-04-01
申请号：CN202411623866.8
申请日：2024-11-14
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
IPC: G05F1/567
Abstract: 本发明提供了一种宽输入范围的预稳压电路，带载能力强，随温度变化小，输出电压好调。在能隙基准1.2V电压的基础上，利用三极管和电容的温度系数相反的特性，产生一个随温度变化小的电源电压，在‑50°‑125°温度范围内，电源压降在200mV下，电压大小可按要求调节。以5V电源电压为例，本发明在5.7V‑60V的输入电压范围内可以产生稳定的5V电压，在5.7V以下电压会随输入电压降低。本发明考虑到基准模块等轻载低压模块需要更为稳定的电源电压，设计了两级输出结构，第一级供轻载模块使用，第二级供重载模块使用。本发明带载能力强，经过仿真发现可以带载20mA。在电流负载突变时输出电压也可极快稳定。
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