公开(公告)号：CN116347898A

公开(公告)日：2023-06-27

申请号：CN202310369621.6

申请日：2023-04-10

Applicant: 南京邮电大学 ,  南京邮电大学南通研究院有限公司

Inventor： 沈希舟 ,  梁宇翔 ,  胡晨晨 ,  潘柯宇 ,  崔竞榆 ,  朱越 ,  张珺 ,  姚佳飞 ,  陈静 ,  郭宇锋

IPC: H10K10/80 ,  H10K10/46

Abstract: 本发明公开了一种具有金属场板的共聚物有机半导体功率器件，包括器件本体和金属场板；器件本体包括从下至上依次布设的衬底、有机半导体层、栅极绝缘层和栅极金属电极；有机半导体层中埋置有源极金属电极和漏极金属电极；位于栅极金属电极和漏极金属电极之间的有机半导体层形成为横向漂移区，横向漂移区的长度不超过40um；金属场板沉积在横向漂移区正上方的栅极绝缘层表面，金属场板的厚度等于栅极金属电极的厚度；金属场板为三角场板、条状场板和条状阵列场板中的一种，具体根据横向漂移区的长度进行选择。本发明能实现对漂移区的电场调控，从而能在提高器件耐压性能的同时，提高器件的导通电流。

公开(公告)号：CN116595286A

公开(公告)日：2023-08-15

申请号：CN202310561666.3

申请日：2023-05-18

Applicant: 南京邮电大学 ,  南京邮电大学南通研究院有限公司

Inventor： 张珺 ,  汪磊 ,  郭宇锋 ,  王赋斌 ,  张浩 ,  吴鑫 ,  梁宇翔 ,  胡晨晨 ,  牟亚彬 ,  常恒典 ,  姚佳飞 ,  陈静

IPC: G06F17/10 ,  G01R31/26 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明公开了一种共聚物有机半导体器件载流子浓度的提取方法，包括步骤1、计算共聚物有机半导体器件中反向偏置肖特基结的界面最大电场；步骤2、计算反向偏置肖特基结降低的势垒高度；步骤3、构建饱和泄漏电流的函数模型；步骤4、构建载流子浓度计算模型；步骤5、通过测试共聚物有机半导体器件中反向偏置肖特基结在不同温度和不同外置电压下的饱和泄漏电流，并绘制反向偏置肖特基结在不同温度下的电流‑电压曲线，从而得到不同温度下的斜率；步骤6、将温度和对应斜率代入构建的载流子浓度计算模型中，求解得到共聚物有机半导体器件载流子浓度。本发明能对共聚物有机半导体的载流子浓度进行定量分析，且不会改变载流子浓度和空间分布。

公开(公告)号：CN116595286B

公开(公告)日：2024-06-18

申请号：CN202310561666.3

申请日：2023-05-18

Applicant: 南京邮电大学 ,  南京邮电大学南通研究院有限公司

Inventor： 张珺 ,  汪磊 ,  郭宇锋 ,  王赋斌 ,  张浩 ,  吴鑫 ,  梁宇翔 ,  胡晨晨 ,  牟亚彬 ,  常恒典 ,  姚佳飞 ,  陈静

IPC: G06F17/10 ,  G01R31/26 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明公开了一种共聚物有机半导体器件载流子浓度的提取方法，包括步骤1、计算共聚物有机半导体器件中反向偏置肖特基结的界面最大电场；步骤2、计算反向偏置肖特基结降低的势垒高度；步骤3、构建饱和泄漏电流的函数模型；步骤4、构建载流子浓度计算模型；步骤5、通过测试共聚物有机半导体器件中反向偏置肖特基结在不同温度和不同外置电压下的饱和泄漏电流，并绘制反向偏置肖特基结在不同温度下的电流‑电压曲线，从而得到不同温度下的斜率；步骤6、将温度和对应斜率代入构建的载流子浓度计算模型中，求解得到共聚物有机半导体器件载流子浓度。本发明能对共聚物有机半导体的载流子浓度进行定量分析，且不会改变载流子浓度和空间分布。