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公开(公告)号：CN111554699A
公开(公告)日：2020-08-18
申请号：CN202010401621.6
申请日：2020-05-13
Applicant: 南京大学
IPC: H01L27/146 , H01L29/423
Abstract: 本发明公开一种基于复合介质栅结构的光敏探测单元、探测器及其方法。其光敏探测单元包括具有感光功能的复合介质栅MOS-C部分、具有读取信息功能的复合介质栅MOSFET部分以及具有复位功能的复位管部分，复位管部分包括在P型半导体衬底上方依次叠设的底层介质层、复位浮栅层、顶层介质层和复位栅；在P型半导体衬底中：靠近第一底层介质层的一侧设有N型连接层，N型连接层与N型注入层相连；N型注入层分别与N型源极区、N型漏极区、复合介质栅MOSFET部分下方的衬底、复位栅下方的衬底之间通过设置浅槽隔离区和P+型注入区隔开。本发明的光敏探测器减小了暗信号带来的固定图形噪声，具有良好的暗特性和弱光响应。
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公开(公告)号：CN111541444A
公开(公告)日：2020-08-14
申请号：CN202010384765.5
申请日：2020-05-09
Applicant: 南京大学
IPC: H03K19/0185 , H01L27/146 , H01L29/423
Abstract: 本发明公开了一种基于复合介质栅双晶体管光敏探测器的多电平移位电路。其中，探测器单元包括MOS-C部分和MOSFET部分，单元的N型源极区、N型漏极区、第二控制栅极、P型半导体衬底和N型阱这五个端口分别连接一个多电平移位电路，该移位电路包括预移位电路和移位电路，还可以包括驱动电路和信号补偿电路。本发明的移位电路可在一个电路中实现正压、负压、零电位、浮空四种信号的两两切换，相较于传统的仅支持单一电压信号或双电压信号的电平移位电路，本发明的电路在功耗、性能、兼容性等方面均更有优势。
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公开(公告)号：CN106588568B
公开(公告)日：2019-04-26
申请号：CN201611076798.3
申请日：2016-11-30
Applicant: 常州南京大学高新技术研究院
IPC: C07C29/147 , C07C31/27 , C07C67/343 , C07C69/74
Abstract: 本发明属于药物合成技术领域，涉及一种1,1‑环丙基二甲醇的制备方法。具体而言，本发明的制备方法包括下列步骤：1)在催化剂A、溶剂A和缚酸剂的参与下，利用丙二酸二乙酯和1,2‑二氯乙烷制备1,1‑环丙基二甲酸二乙酯；2)在溶剂B和催化剂B的参与下，利用还原剂还原1,1‑环丙基二甲酸二乙酯，得到目标产物1,1‑环丙基二甲醇。本发明的制备方法所采用的原料廉价、易得、无毒，催化剂活性较高，溶剂可回收，成本显著降低；反应条件温和，产物易于分离，工业三废少，符合绿色化学要求。另外，本发明的制备方法能够显著提高目标产物的收率，2步总收率可高达88％。
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公开(公告)号：CN103040631B
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201310025450.1
申请日：2013-01-23
Applicant: 常州南京大学高新技术研究院
Abstract: 一种抗菌型无机晶须功能复合材料，它是抗菌型无机晶须粒子与丙烯酸类聚合物组成的复合材料。将抗菌型无机晶须功能复合材料与丙烯酸类单体混合物、表面改性二氧化硅、光引发剂和共引发剂混合均匀，得到未固化树脂膏，经可见光或紫外光固化即得抗菌型齿科修复复合树脂。本发明得到的无机晶须功能复合材料，通过表面改性和表面层覆可反应预聚物，有效改善了复合树脂中有机无机界面结合力，提高了复合材料的力学性能，弯曲强度为87.4-135.3MPa，弯曲模量为3.16-5.82GPa，溶解值质量百分数为0.02-0.08%/30天，且其具有优异的抗菌性能，安全，无毒，可有效避免二次龋齿的发生，更好地满足了临床应用的需要。
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公开(公告)号：CN103040631A
公开(公告)日：2013-04-17
申请号：CN201310025450.1
申请日：2013-01-23
Applicant: 常州南京大学高新技术研究院
Abstract: 一种抗菌型无机晶须功能复合材料，它是抗菌型无机晶须粒子与丙烯酸类聚合物组成的复合材料。将抗菌型无机晶须功能复合材料与丙烯酸类单体混合物、表面改性二氧化硅、光引发剂和共引发剂混合均匀，得到未固化树脂膏，经可见光或紫外光固化即得抗菌型齿科修复复合树脂。本发明得到的无机晶须功能复合材料，通过表面改性和表面层覆可反应预聚物，有效改善了复合树脂中有机无机界面结合力，提高了复合材料的力学性能，弯曲强度为87.4-135.3MPa，弯曲模量为3.16-5.82GPa，溶解值质量百分数为0.02-0.08%/30天，且其具有优异的抗菌性能，安全，无毒，可有效避免二次龋齿的发生，更好地满足了临床应用的需要。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114841847B
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202210316354.1
申请日：2022-03-29
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种基于复合介质栅结构的感存算一体器件，包括形成在同一P型半导体衬底上方的复合介质栅光敏探测器和复合介质栅晶体管。其中，复合介质栅光敏探测器在衬底上方依次设有第一底层绝缘介质层、第一浮栅、第一顶层绝缘介质层和第一控制栅；复合介质栅晶体管用于完成其存储的权重和感光的光电子的调和平均数的运算，其在衬底上方依次设有第二底层绝缘介质层、第二浮栅、第二顶层绝缘介质层和第二控制栅；复合介质栅光敏探测器和复合介质栅晶体管分别在衬底内设有源极和漏极。本发明的器件能在信号读取的过程中完成调和平均数的运算，可以用来匹配后续图像处理单元的复杂运算，降低后续图像处理的算力需求和功耗。
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公开(公告)号：CN119210453B
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202411736731.2
申请日：2024-11-29
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种用于图像传感器的低功耗、高精度的单斜率模数转换电路，包括斜坡产生电路、比较器电路、上升沿检测电路、下降沿检测电路、时钟产生电路、粗计数电路、细计数电路、相位比较电路和数据处理电路。本发明结合了粗计数时钟与细计数时钟进行计数，减少了所需要的位数，从而减小电路的功耗；通过采用分数分频锁相环结构对粗计数时钟和细计数时钟进行分频，实现了粗计数时钟和细计数时钟状态转换的同步，并且采用双边沿触发技术提高电路的处理效率；并且通过粗计数时钟和细计数时钟相结合的方式对电路的输出结果进行量化，使得最后读出的精度提升了4个数量级，最终实现在较低时钟频率下的低功耗、高精度的高速读出。
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公开(公告)号：CN118629456B
公开(公告)日：2025-01-03
申请号：CN202411088060.3
申请日：2024-08-09
Applicant: 南京大学
IPC: G11C11/409 , H10B43/35 , G11C11/4097 , G11C11/408
Abstract: 本发明公开了一种具有埋栅以及复合介质栅结构的三晶体管存储器及其读出与写入方法、存算阵列，属于半导体技术领域。该三晶体管存储器在现有复合介质栅双晶体管光敏探测器的基础上增设了埋栅结构形成三晶体管结构，通过埋栅结构控制向存储器件擦写权值，并用电荷耦合原理实现电荷信息的存储和读出，继承了复合介质栅双晶体管光敏探测器小尺寸、高动态范围、强权值保持能力的特点，本申请提供的三晶体管存储器在形成阵列时可实现共写入晶体管的互联关系，形成存储阵列的同时进一步缩小了器件面积。
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公开(公告)号：CN119170616A
公开(公告)日：2024-12-20
申请号：CN202411310843.1
申请日：2024-09-20
Applicant: 南京大学
IPC: H01L27/146 , H01L23/552
Abstract: 本发明公开了一种提高抗辐照性能的复合介质栅光敏探测器。该探测器的探测器单元包括形成在同一P型半导体衬底上方的复合介质栅MOS电容和复合介质栅MOSFET部分，探测器单元之间设置有第一浅隔离槽；第一浅隔离槽位于复合介质栅MOS电容的栅极以及复合介质栅MOSFET部分的栅极外围，且与复合介质栅MOS电容的栅极下方衬底内的体耗尽区不接触，与复合介质栅MOSFET部分的栅极下方衬底内的体耗尽区也不接触。本发明所提出的探测器能显著地降低器件暗电流和提升提器件的抗辐照能力。
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公开(公告)号：CN118862189A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202410760456.1
申请日：2024-06-13
Applicant: 南京大学
Abstract: 本申请提供一种密码防护系统，包括第一控制电路、移位寄存器、生成电路和限制电路，移位寄存器生成多个第一随机索引；生成电路用于根据第一随机索引生成第一索引数组，从第一索引数组内输出第二随机索引；限制电路用于根据第二随机索引生成第三随机索引，第三随机索引是通过修改第二随机索引得到的；排列电路用于存储由第一顺序排列的多个元素构成的第一排列，以及根据第三随机索引从第一排列的多个元素中依次输出目标元素；生成电路还用于接收目标元素和第一排列生成由第二顺序排列的多个目标元素构成的第二排列。通过移位寄存器生成随机索引，并通过限制随机索引的范围，降低外部随机数输入的频率，使密码芯片以更灵活的方式运行。
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