公开(公告)号：CN1383185A

公开(公告)日：2002-12-04

申请号：CN02113085.X

申请日：2002-05-31

Applicant: 南京大学

Inventor： 张荣 ,  修向前 ,  徐剑 ,  顾书林 ,  卢佃清 ,  毕朝霞 ,  沈波 ,  刘治国 ,  江若琏 ,  施毅 ,  朱顺明 ,  韩平 ,  胡立群

IPC: H01L21/00

Abstract: 激光剥离制备自支撑氮化镓衬底的方法,采用准分子激光器:激光波长所对应的能量小于蓝宝石带隙能,但是大于GaN的带隙能,激光辐照透过蓝宝石衬底,辐照蓝宝石－氮化镓界面处的GaN,然后加热或弱酸腐蚀,将GaN和蓝宝石分离开来,得到GaN自支撑衬底。尤其是先将氮化镓表面粘在一基片上,再进行激光辐照,将GaN和蓝宝石分离开来后,再以加热方法将基片粘接层分离。

公开(公告)号：CN1381897A

公开(公告)日：2002-11-27

申请号：CN02113005.1

申请日：2002-05-15

Applicant: 南京大学

Inventor： 沈波 ,  郑有炓 ,  李卫平 ,  周玉刚 ,  毕朝霞 ,  张荣 ,  刘治国 ,  江若琏 ,  施毅 ,  顾书林 ,  胡立群 ,  朱顺明 ,  韩平

IPC: H01L27/12 ,  G11C11/22

Abstract: 基于AlxGa1－xN/GaN异质结的铁电体/半导体存贮器结构及其制法,在蓝宝石衬底上首先用MOCVD技术生长AlxGa1－xN/GaN调制掺杂异质结构,然后在AlxGa1－xN上用PLD技术生长PZT铁电薄膜,最后用电子束蒸发技术分别在AlxGa1－xN层上淀积Ti/Al欧姆接触电极和在PZT层上淀积Al电极。这种结构利用了PZT/AlxGa1－xN界面的高温稳定性,避免了普通的铁电体/SiMFS结构的界面互扩散和界面反应问题。同时,这种结构以AlxGa1－xN/GaN异质界面高浓度、高迁移率的二维电子气为沟道载流子,有利于提高存贮器结构的响应速度等性质。

公开(公告)号：CN1268783C

公开(公告)日：2006-08-09

申请号：CN200410014336.X

申请日：2004-03-16

Applicant: 南京大学

Inventor： 张荣 ,  毕朝霞 ,  修向前 ,  谢自力 ,  郑有炓 ,  顾书林 ,  沈波 ,  江若琏 ,  施毅 ,  韩平 ,  朱顺明 ,  胡立群

IPC: C23C16/34 ,  C23C16/02

Abstract: 金属In预沉积生长氮化铟薄膜的方法，用MOCVD生长InN前，先在衬底表面预沉积一层金属In，沉积时温度在300-500℃，然后才同时通入氨气和三甲基铟，继续生长从而得到氮化铟薄膜，生长温度在300-500℃。本发明在衬底表面预沉积适量的金属In，有利于InN的成核和InN成核岛之间的融合。

公开(公告)号：CN1399308A

公开(公告)日：2003-02-26

申请号：CN02113086.8

申请日：2002-05-31

Applicant: 南京大学

Inventor： 张荣 ,  毕朝霞 ,  王栩生 ,  修向前 ,  顾书林 ,  沈波 ,  施毅 ,  刘治国 ,  郑有炓 ,  江若琏 ,  朱顺明 ,  韩平 ,  胡立群

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/365

Abstract: ZnAl2O4/α－Al2O3复合衬底的制备及ZnAl2O4衬底上GaN薄膜生长方法，先将清洗的α－Al2O3衬底送入脉冲激光淀积(PLD)系统制备ZnO薄膜，生长腔内的氧气偏压气氛下生长ZnO薄膜，然后将上步骤中得到的ZnO/α－Al2O3样品放入高温反应炉中，采用氧气作为反应气氛，ZnO和α－Al2O3在高温下反应得到了ZnAl2O4覆盖层，从而得到了ZnAl2O4/α－Al2O3复合衬底；再将ZnAl2O4/α－Al2O3复合衬底送入GaN的MOCVD生长系统，以MOCVD方法生长GaN薄膜。在GaN的生长过程中，不存在氮化物缓冲层的生长，这不仅能提高生长的重复性，而且也提高了GaN生长系统的利用效率。