一种用于微型LED器件的柔性聚酰亚胺衬底

    公开(公告)号:CN209947856U

    公开(公告)日:2020-01-14

    申请号:CN201920634507.0

    申请日:2019-05-06

    Abstract: 本实用新型公开了一种用于微型LED器件的柔性聚酰亚胺衬底。所述衬底由粗化铜柱以及改性聚酰亚胺组成。本实用新型的制备方法包括如下步骤:铜柱图案的制备,铜柱的成形以及粗化,聚酰亚胺的改性以及固化等。本实用新型的衬底以聚酰亚胺为主体,利用其柔性抵抗外界应力的冲击,可改善芯片及器件的力学性能,避免芯片开裂问题;本实用新型提出的制备方法,用铜柱粗化的方式,增加铜柱表面粗糙度,利用聚酰亚胺固化前流动性强的特点,提高铜电极与衬底主体材料的结合强度,从而避免电极从衬底脱落的问题。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

    一种基于可伸缩的结构光栅的定位系统及定位方法

    公开(公告)号:CN111595236B

    公开(公告)日:2024-11-26

    申请号:CN202010382489.9

    申请日:2020-05-08

    Abstract: 本发明公开了一种基于可伸缩的结构光栅的定位系统及定位方法,其中系统包括光源、可伸缩的结构光栅、图像采集模块和图像处理模块,所述结构光栅设有电路结构,所述电路结构在电能作用下可伸缩,所述光源的光线透过结构光栅后,在被测区域上形成网格光图案;所述图像采集模块用于采集被测区域上的图像信息;所述图像处理模块用于根据图像信息对网格光图案进行标定,以及根据图像信息获取经过被测区域的被测物体的三维特征和位置信息。本发明由光源的光线透过结构光栅形成网格光图案,通过调节结构光栅的伸缩,对网格光图案进行标定,再结合标定后的网格光图案进行定位,实现通过结构光栅进行结构光定位,可广泛应用于光定位、光成像技术领域。

    LCD光固化3D打印机动态背光分布实时计算方法与光源模组

    公开(公告)号:CN114536749A

    公开(公告)日:2022-05-27

    申请号:CN202210105623.X

    申请日:2022-01-28

    Abstract: 本发明涉及3D打印技术领域,为LCD光固化3D打印机动态背光分布实时计算方法与光源模组,包括在LCD入光面上构建一个二维辐照度分布网格,构建LED调光块功率与子辐照度分布网格一一对应的数据库,获取待打印模型的切片图像数据,将切片图像分区,使得每一个切片图像的分区对应LED背光源阵列中的一个LED调光块,根据分区内像素的灰度信息计算LED调光块的初始功率,得到各LED调光块的实际功率,将各子辐照度网格拼接在一起,计算LED背光源阵列的总体辐照度分布情况。本发明通过实时计算LED背光源阵列中LED调光块功率变化时的LCD入光面辐照度,最终得到LED背光源的总体辐照度分布情况,可以降低3D打印机能耗、提升打印精度,实现多灰度和高均匀度打印。

    基于碳量子点的污水检测装置及数据分析方法

    公开(公告)号:CN113189062A

    公开(公告)日:2021-07-30

    申请号:CN202110269100.4

    申请日:2021-03-12

    Abstract: 本发明公开了一种基于碳量子点的污水检测装置及数据分析方法,其中装置包括:箱体;显示器,设置在箱体的外表面上,用于显示检测结果;碳量子点合成模块,设置在箱体内,用于合成碳量子点;污水检测模块,设置在箱体内,用于根据合成的碳量子点对污水中的Fe3+、Hg2+离子进行检测;电控模块,设置在箱体内,用于控制显示器、碳量子点合成模块和污水检测模块的工作状态;通讯装置,设置在箱体内,用于上传检测结果。本发明在短时间内大量合成高量子产率碳量子点,对污水中多种重金属离子进行长时间实时检测,有效解决了传统检测方法时间长、设备复杂的问题,能够应对突发性污染情况的发生,可广泛应用于污水处理领域。

    一种大深宽比结构薄膜的制备装置及其制备方法

    公开(公告)号:CN112987493A

    公开(公告)日:2021-06-18

    申请号:CN202110293579.5

    申请日:2021-03-19

    Abstract: 本发明公开了一种大深宽比结构薄膜的制备装置及其制备方法,制备装置包括:壳体、结构软膜、硬膜以及气压泵,壳体顶端设置有开口的凹槽,结构软膜密封覆盖在所述凹槽上,壳体与结构软膜之间形成空腔,硬膜盖设在结构软膜上,结构软膜和硬膜整体通过夹具固定,结构软膜的力学性能和硬膜的力学性能不同,气压泵安装在壳体上,且气压泵的输出端插入空腔内,此装置利用硬膜和结构软膜不同的力学性质,使得在变形过程中的两层膜产生不同程度的应变,使得薄膜上原本具备的微结构得以拉伸,从而突破原有的微结构加工深度极限,得到更大深宽比的微结构。

    减少半导体照明荧光元件热量聚集的转化器制造方法及系统

    公开(公告)号:CN111881586A

    公开(公告)日:2020-11-03

    申请号:CN202010750048.X

    申请日:2020-07-30

    Abstract: 本发明公开了一种减少半导体照明荧光元件热量聚集的转化器制造方法及系统,该方法步骤包括:统计所用材料的属性参数,计算不同浓度荧光元件的等效导热率并建立荧光元件的热阻模型;计算不同粒径颗粒对不同波长的散射截面、散射系数、吸收截面和吸收系数;计算荧光元件不同深度上的荧光激发的光线能量及转化后的热量;设定初始化荧光粉浓度参数以及需要进行浓度优化的梯度浓度区域;根据荧光粉浓度参数及需要优化的梯度浓度区域,在热阻模型中代入荧光元件产生热量值计算荧光元件梯度浓度区域最高温度值;判断每一个浓度区域最高温度值是否小于设定要求。本发明综合考虑等效导热率以及多荧光颗粒光热转化率,匹配激发光源光型,避免荧光元件高发热的浓度区域发生,同时不改变转化后的光强分布、光谱强度等性能。

    一种基于硅衬底的LED垂直芯片及其制备方法

    公开(公告)号:CN110429165A

    公开(公告)日:2019-11-08

    申请号:CN201910808559.X

    申请日:2019-08-29

    Abstract: 本发明属于半导体发光器件技术领域,涉及一种硅衬底的LED垂直芯片及其制备方法。一种基于硅衬底的LED垂直芯片,包括:依次设置的背面金属层、金属通孔层、硅衬底、外延层、电流扩散层、电流阻挡层、钝化层和正电极,其中:背面金属层和金属通孔层共同组成负电极;金属通孔层包括通孔、金属种子层和通孔填充金属;金属通孔层将背面金属层和外延层相连,形成背面负电极和顶部正电极的LED垂直结构。本发明LED垂直芯片省去了衬底转移工艺,避免了在转移衬底过程中工艺复杂、良率不稳定等问题;相比于现有市场的正装和倒装LED芯片,本发明LED垂直芯片解决了电流横向传输中电流拥挤的问题,保留了垂直结构芯片中电流垂直传输的优势。

    一种无机紫外LED器件及制备方法

    公开(公告)号:CN110233195A

    公开(公告)日:2019-09-13

    申请号:CN201910618692.9

    申请日:2019-07-10

    Abstract: 一种无机紫外LED器件,包括支架、曲面透镜、压环、导线和紫外芯片,所述支架上端开有“T”字形凹槽,所述紫外芯片固定于凹槽内,所述紫外芯片通过导线与支架下端的焊接层连接,所述曲面透镜放置于凹槽的台阶上,所述台阶与曲面透镜的接触面打磨有斜面,所述压环的一端与支架连接,所述压环的另一端压紧曲面透镜。在压头的压力作用下实现压环的变形使器件高强度结合,利用透镜曲面的曲率及支架斜面的接触完成自定位,以此种方式完成透镜的固定,结合强度高,稳定性好;同时避免胶水等有机材料使用,防止紫外光对有机材料的分解作用,提高紫外LED器件的寿命。

Patent Agency Ranking