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公开(公告)号：CN104576913A
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201410837309.6
申请日：2014-12-29
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 一种半导体温差发电片，属于半导体温差发电器件，解决现有半导体温差发电片功率较低、厚度较大的问题，以便于夹紧和应用至微型电子器件中。本发明由上绝缘导热板、下绝缘导热板及其之间的2N个温差发电单元构成，各温差发电单元包括左、右温差电偶臂，上导流片和左、右导流片，左、右温差电偶臂均为矩形，面积为(0.1mm～10mm)×(0.1mm～10mm)，面长比为0.52mm～8.33mm，均采用多浓度梯度温差耦合材料制作。本发明厚度薄、功率大、能有效减小体积和投资成本，不仅能够在不同温度梯度和荷载条件下稳定运行，也能够提高所匹配负载的额定功率，尤其适用于热源品味小、使用空间狭窄、负载额定功率较大的工况条件。
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公开(公告)号：CN104372403A
公开(公告)日：2015-02-25
申请号：CN201410631857.3
申请日：2014-11-11
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种用于多晶硅铸锭炉的隔热块，设置在多晶硅铸锭炉的坩埚底部外周，用于坩埚加热或冷却多晶硅过程中的隔热保温，该隔热块为中空方形筒体结构，筒体筒壁为中空夹层结构，其中内壁用于包覆设置在坩埚底部的热交换块外周壁面，且该内壁与所述热交换块外周壁面具有间隙，所述外壁用于与设置在坩埚外围的竖直隔热板固定接触，所述坩埚中心线、热交换块中心线以及隔热块中心线重合，且所述隔热块顶部低于热交换块顶部。本发明还公开了具有该隔热块的铸锭炉。本发明不仅可以缩短硅锭铸造过程中化料时间，降低能耗，而且能够有效抑制形核初期坩埚壁附近晶粒优先生长，获得微凸和比较平直的凝固界面，进而提高硅锭质量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN203653745U
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：CN201320881358.0
申请日：2013-12-28
Applicant: 华中科技大学
IPC: C30B15/00
Abstract: 本实用新型公开了一种提拉法晶体生长炉，其特征在于，包括内部中空而形成炉腔（5）的炉体，置于该炉腔（5）中心的坩埚（2），该坩埚（2）与一同轴置于炉腔（5）内的籽晶杆（4）相连，用于在坩埚（3）内生长晶体（3）；其特征在于，位于所述坩埚（2）上部的所述炉腔（2）内壁具有一定锥度，形成圆台筒体结构。本实用新型的生长炉可以有效控制提拉法炉腔中流动传热的三维效应，在晶体周围组织较好的温度环境，同时使得晶体生长过程中固液界面处在较好的温度梯度。这种新型的炉腔结构能够减小晶体生长过程中位错或者破裂的产生，提高晶体质量。
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公开(公告)号：CN205011859U
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：CN201520705873.2
申请日：2015-09-09
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本实用新型公开了一种泡生法蓝宝石晶体生长炉，包括炉体、坩埚、炉盖和籽晶杆，所述炉体为底端封闭的筒体，所述炉体内设有圆筒状的侧隔热屏，炉体内底部设置有底部保温层和支架，所述底部保温层的顶部放置有底部反射屏，所述支架上放置所述坩埚，所述坩埚位于所述底部反射屏上方；所述炉盖底面设置有第一顶部隔热屏；围绕所述坩埚安装有侧加热器；所述炉体内还设置有底部加热器。本实用新型通过对加热器结构设计、隔热屏布置改进及其表面处理不仅能够灵活调控加热器功率为晶体生长提供良好的热场环境，提高晶体质量，而且还能显著地强化隔热系统保温效果，大大延长隔热屏使用寿命，进而降低蓝宝石晶锭总的生产成本。
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公开(公告)号：CN204265888U
公开(公告)日：2015-04-15
申请号：CN201420670376.9
申请日：2014-11-11
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本实用新型公开了一种用于多晶硅铸锭炉的隔热块，设置在多晶硅铸锭炉的坩埚底部外周，用于坩埚加热或冷却多晶硅过程中的隔热保温，该隔热块为中空方形筒体结构，筒体筒壁为中空夹层结构，其中内壁用于包覆设置在坩埚底部的热交换块外周壁面，且该内壁与所述热交换块外周壁面具有间隙，所述外壁用于与设置在坩埚外围的竖直隔热板固定接触，所述坩埚中心线、热交换块中心线以及隔热块中心线重合，且所述隔热块顶部低于热交换块顶部。本实用新型还公开了具有该隔热块的铸锭炉。本实用新型不仅可以缩短硅锭铸造过程中化料时间，降低能耗，而且能够有效抑制形核初期坩埚壁附近晶粒优先生长，获得微凸和比较平直的凝固界面，进而提高硅锭质量。
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公开(公告)号：CN204265887U
公开(公告)日：2015-04-15
申请号：CN201420669666.1
申请日：2014-11-11
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本实用新型公开了一种多晶硅铸锭炉热场结构，由固定隔热笼、底部隔热板和顶部隔热板所形成的中空炉腔；设置在炉腔中央，用于作为晶体生长的容器的坩埚，其底部通过石墨支撑支撑，石墨支撑底部设置有热交换块；以及中空夹层结构的隔热块，其同轴套装在热交换块的外周，其中隔热块的内壁与热交换块外周壁面具有间隙，外壁固定设置在固定隔热笼内壁上，该隔热块顶部低于热交换块顶部所在平面。本实用新型的热场结构优化了石墨支撑侧壁附近流场及温度场分布，不仅可以降低化料过程能耗，而且可以有效抑制形核初期坩埚底部侧壁附近晶粒的快速生长，可以获得微凸和较为平直的凝固界面，能够降低硅锭内部热应力，减少微观破裂的产生，从而提高定向凝固多晶硅锭质量。
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公开(公告)号：CN204342916U
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201420814097.5
申请日：2014-12-18
Applicant: 华中科技大学
IPC: C30B15/20
Abstract: 本实用新型公开了一种热场协调控制的提拉法晶体生长炉，包括绝热外壳及设置在绝热外壳内的生长室，生长室设置有坩埚，绝热外壳的外部设置有用于对坩埚进行加热的主电磁感应线圈，主电磁感应线圈的下方设置有副电磁感应线圈，主电磁感应线圈和副电磁感应线圈之间存在间距，有多根底部进气管和多根中部进气管平行伸入绝热外壳内，绝热外壳的顶部设置有气流出口，气流出口作为籽晶杆移动通道，绝热外壳内设置有用于削弱辐射传热的可伸缩遮热板和用于调整生长室局部温度的顶部辅助电阻加热器，所述可伸缩遮热板能调整伸入生长室的长度。本实用新型能有效的抑制晶体缺陷，提高晶体质量，也能显著的提高晶体成品率，降低生产成本。
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