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公开(公告)号：CN107154343A
公开(公告)日：2017-09-12
申请号：CN201710343221.2
申请日：2017-05-16
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L21/02
CPC classification number: H01L21/02
Abstract: 本发明属于芯片封装领域，并公开了一种控制芯片位错的方法。该方法包括：(a)将待处理芯片的基圆划分为核心区、过渡区和边缘区，其中，核心区是以待处理芯片的基圆的圆心为中心，直径为d1的圆形区域，过渡区是核心区外的圆环区域，且介于核心区和边缘区之间；(b)将待处理芯片置于惰性保护气体中，并分别加热核心区和边缘区，然后将待处理芯片退火，其中，核心区的加热温度高于边缘区，使得核心区的空位和氧间隙原子扩散，以及位错滑移至边缘区，从而完成待处理芯片的处理。通过本发明，有效控制芯片基圆的位错分布，提高芯片基圆高质量区域面积占比，提高芯片成品率和使用性能，降低生产成本。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106952872A
公开(公告)日：2017-07-14
申请号：CN201710345190.4
申请日：2017-05-16
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于芯片封装领域，并公开了一种芯片封装前的预处理方法。其包括：(a)将待处理芯片划分为多个核心功能区，分别且同时加热各个核心功能区，使得各个核心功能区内部形成均匀的热应力；(b)将核心功能区从待处理芯片上分离得到所需待封装的部分，分离过程使得该部分的热应力得以释放，由此完成该待处理芯片封装前的预处理。通过本发明，有效控制芯片切割工艺产生的微裂纹以及其他影响芯片性能的晶体缺陷，提高芯片功能核心区的质量，显著提高芯片成品率和使用性能，降低生产成本。
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公开(公告)号：CN107154343B
公开(公告)日：2019-06-18
申请号：CN201710343221.2
申请日：2017-05-16
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明属于芯片封装领域，并公开了一种控制芯片位错的方法。该方法包括：(a)将待处理芯片的基圆划分为核心区、过渡区和边缘区，其中，核心区是以待处理芯片的基圆的圆心为中心，直径为d1的圆形区域，过渡区是核心区外的圆环区域，且介于核心区和边缘区之间；(b)将待处理芯片置于惰性保护气体中，并分别加热核心区和边缘区，然后将待处理芯片退火，其中，核心区的加热温度高于边缘区，使得核心区的空位和氧间隙原子扩散，以及位错滑移至边缘区，从而完成待处理芯片的处理。通过本发明，有效控制芯片基圆的位错分布，提高芯片基圆高质量区域面积占比，提高芯片成品率和使用性能，降低生产成本。
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公开(公告)号：CN106952872B
公开(公告)日：2019-12-06
申请号：CN201710345190.4
申请日：2017-05-16
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于芯片封装领域，并公开了一种芯片封装前的预处理方法。其包括：(a)将待处理芯片划分为多个核心功能区，分别且同时加热各个核心功能区，使得各个核心功能区内部形成均匀的热应力；(b)将核心功能区从待处理芯片上分离得到所需待封装的部分，分离过程使得该部分的热应力得以释放，由此完成该待处理芯片封装前的预处理。通过本发明，有效控制芯片切割工艺产生的微裂纹以及其他影响芯片性能的晶体缺陷，提高芯片功能核心区的质量，显著提高芯片成品率和使用性能，降低生产成本。
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公开(公告)号：CN105088333A
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201510569421.0
申请日：2015-09-09
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种泡生法蓝宝石晶体生长炉，包括炉体、坩埚、炉盖和籽晶杆，所述炉体为底端封闭的筒体，所述炉体内设有圆筒状的侧隔热屏，炉体内底部设置有底部保温层和支架，所述底部保温层的顶部放置有底部反射屏，所述支架上放置所述坩埚，所述坩埚位于所述底部反射屏上方；所述炉盖底面设置有第一顶部隔热屏；围绕所述坩埚安装有侧加热器；所述炉体内还设置有底部加热器。本发明通过对加热器结构设计、隔热屏布置改进及其表面处理不仅能够灵活调控加热器功率为晶体生长提供良好的热场环境，提高晶体质量，而且还能显著地强化隔热系统保温效果，大大延长隔热屏使用寿命，进而降低蓝宝石晶锭总的生产成本。
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公开(公告)号：CN205011859U
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：CN201520705873.2
申请日：2015-09-09
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本实用新型公开了一种泡生法蓝宝石晶体生长炉，包括炉体、坩埚、炉盖和籽晶杆，所述炉体为底端封闭的筒体，所述炉体内设有圆筒状的侧隔热屏，炉体内底部设置有底部保温层和支架，所述底部保温层的顶部放置有底部反射屏，所述支架上放置所述坩埚，所述坩埚位于所述底部反射屏上方；所述炉盖底面设置有第一顶部隔热屏；围绕所述坩埚安装有侧加热器；所述炉体内还设置有底部加热器。本实用新型通过对加热器结构设计、隔热屏布置改进及其表面处理不仅能够灵活调控加热器功率为晶体生长提供良好的热场环境，提高晶体质量，而且还能显著地强化隔热系统保温效果，大大延长隔热屏使用寿命，进而降低蓝宝石晶锭总的生产成本。
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