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公开(公告)号：CN116878657A
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN202310852196.6
申请日：2023-07-12
Applicant: 北京理工大学 , 北京理工大学重庆微电子研究院
Abstract: 本发明公开的一种基于时间分光的计算式光谱仪及工作方法，属于光谱分析技术领域。本发明包括超透镜、光电探测器、信号处理系统、光收集元件。超透镜能够对入射光聚焦。超透镜光轴上最近焦点与最远焦点之间任意一点的光强由光谱仪工作波段内所有波长信号按预定权重产生。超透镜光轴上最近焦点与最远焦点之间的任意一点上，在该处聚焦的波长信号产生最大权重。光收集元件放置于超透镜中心光轴上，具有固定光通量。光收集元件的入射端口与超透镜之间的距离可调，入射端口位置处于超透镜工作波段内最近焦点与最远焦点之间。通过光电探测器上的单一像元在不同时间依次采集响应信号，计算出原始光谱，解决空间分光方式固有的光谱精度与空间分辨率矛盾。
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公开(公告)号：CN116088165A
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202211456584.4
申请日：2022-11-21
Applicant: 北京理工大学 , 北京理工大学重庆微电子研究院
Abstract: 本发明公开的一种二维静电扫描微镜及其制作方法，属于微光机电技术领域。本发明公开的一种二维静电扫描微镜，包括器件层、绝缘层、衬底层。器件层上包括聚合物填充电隔离沟道和开放电隔离沟道。二维静电扫描微镜基于聚合物填充沟道，实现高深宽比沟道的填充，采用与具有电绝缘和机械连接性的聚合物填充沟道，实现对沟道两侧电极的电绝缘和固化机械稳定连接，进而实现二维静电扫描微镜驱动电极间的高电压驱动；此外，采用聚合物一次填充方式实现沟道的无缝隙填充，提高沟道填充效率和成品率，降低二维静电扫描微镜制作成本。利用聚合物具有超低杨氏模量的特性，有效消除沟道内填充物与沟道结构之间的应力失配，提高二维静电扫描微镜工作稳定性。
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公开(公告)号：CN111580265B
公开(公告)日：2023-02-28
申请号：CN202010349895.5
申请日：2020-04-28
Applicant: 北京理工大学重庆微电子研究院 , 无锡微文半导体科技有限公司
Abstract: 公开了一种微机电系统微镜及其制作方法，该微镜包括：驱动器，驱动器包括驱动部和由驱动部支撑的结构平台，驱动部带动结构平台移动或转动；镜面结构，位于结构平台远离驱动部的一侧，且镜面结构远离结构平台的一侧至少具有一个可反射镜面；定位结构，包括至少一个凸起部和至少一个凹陷部，凸起部和凹陷部中的任意一者位于结构平台上，另一者位于镜面结构上，且凸起部与凹陷部相匹配，其中，结构平台在驱动部的带动下向靠近镜面结构的方向运动，由定位结构将结构平台和镜面结构相互连接匹配，形成微机电系统微镜。通过驱动部来使结构平台朝向镜面结构运动，又有定位部使二者相匹配，提高了微镜的表面质量，且无需人工参与，保护了微镜结构。
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公开(公告)号：CN119892002A
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202411771066.0
申请日：2024-12-04
Applicant: 北京理工大学重庆微电子研究院
Abstract: 本申请涉及滤波技术领域，具体涉及一种基于压电效应的F‑P腔滤波器及其制备方法，滤波器包括支撑框架；上极板；第一反射层和第二反射层，均设于支撑框架内且始终彼此平行，用以共同限定法布里‑珀罗谐振腔；驱动组件连接在上极板与支撑框架之间，驱动组件中设有驱动单元；驱动单元由伸缩层和至少一个非压电层组合形成，伸缩层包括压电层、位于压电层底部的底电极，以及位于压电层顶部的顶电极；至少一个非压电层配置为贴合设置于底电极和/或顶电极上。该压电驱动结构可实现滤波器小型化，结构简化，整体体积和重量降低，器件可靠性高。
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公开(公告)号：CN119764012A
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202411861417.7
申请日：2024-12-17
Applicant: 重庆邮电大学 , 北京理工大学重庆微电子研究院
Abstract: 本发明公开了一种三维立体微型集成硅基磁芯功率电感及其设计制备方法，属于微电子领域，该电感包括顶层和底层，所述顶层其内设有多个用作螺旋线圈的穿透硅通孔结构以及顶层重布线层；其中，穿透硅通孔结构之间填充有磁性材料；所述底层内设有多个用作螺旋线圈的穿透硅通孔结构以及底层重布线层；其中，穿透硅通孔结构之间填充有磁性材料；所述顶层和底层之间填充有磁性材料，所述顶层的穿透硅通孔结构和底层的穿透硅通孔结构之间通过锡银共晶键合。本发明通过将一组线圈分为上下两部分制作之后进行以锡银为焊料的共晶键合的方式，实现体积小、电感密度高、高品质因数、可集成的三维立体微型集成硅基磁芯功率电感制作。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119586955A
公开(公告)日：2025-03-11
申请号：CN202411986827.4
申请日：2024-12-31
Applicant: 北京理工大学重庆微电子研究院
Abstract: 本发明涉及医疗器械领域，公开了一种双模态内窥镜的光学系统及内窥镜成像探头和内窥镜，光学系统包括：沿主光轴方向依次设置的物镜组、目镜组和光控制器，光控制器用于控制白光和近红外光的传播方向，白光经过光控制器后其传播方向保持不变，近红外光经过光控制器后其传播方向被改变，经过光控制器后的近红外光进入光转换模块内，光转换模块包括：MEMS微镜和准直透镜，其中，近红外光依次经过光控制器和MEMS微镜后其传播方向平行于主光轴，本发明的OCT成像与白光成像共用一套光学系统，不需要改变现有的白光内窥镜插入部分的直径，且可以使得OCT成像实现大视场和大工作距离的优点。
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公开(公告)号：CN119394439A
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202411067061.X
申请日：2024-08-05
Applicant: 北京理工大学重庆微电子研究院 , 北京理工大学 , 无锡微文半导体科技有限公司
Abstract: 本申请公开了一种高光谱成像装置，是基于MEMS微镜的微型傅里叶变换光谱仪为核心的高光谱系统，包含光束处理单元、含MEMS矩阵式微镜的迈克尔逊干涉系统、单颗/阵列式光电探测器。MEMS矩阵式微镜接收二维平面图像的每个子区域的光信号并产生与之对应的干涉信号。单颗/阵列式光电探测器接收干涉信号，并根据干涉信号和二维平面图像处理后得到被测物体的高光谱图像立方体，以实现将被测物体分区块检测的功能。本申请具备以下特点：矩阵式微镜的每颗微镜单独运动，将该子区域的光束调制后，依次传入单颗光电探测器最后按顺序拼接成整张图像，或者传入阵列式光电探测器实现一次成像。
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公开(公告)号：CN119148370A
公开(公告)日：2024-12-17
申请号：CN202411290342.1
申请日：2024-09-14
Applicant: 北京理工大学重庆微电子研究院
Abstract: 本发明公开了一种MEMS微位移平台及其位置检测方法，属于MEMS器件检测领域，主要在MEMS微镜的附近放一块位置感应元器件，将感应元器件集成到MEMS微镜中，当MEMS微镜的镜面偏转靠近感应元器件时，感应元器件会产生相应的电信号，放置感应元器件后，通过TSV或者TGV等工艺将信号传递给驱动控制电路，从而实时获取镜面的位置。本发明将器件检测与TSV或TGV工艺相结合，大大提高现有检测器件的集成度，且可以大批量低成本量产，有较高的市场前景。
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公开(公告)号：CN119118048A
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202411183678.8
申请日：2024-08-27
Applicant: 北京理工大学重庆微电子研究院 , 重庆工商大学
Abstract: 本发明公开了一种集成压电反馈的电热微动平台及其位置检测方法，属于微机电技术领域，该平台包括外围支撑结构、电热驱动结构、微平台，以及用于检测微平台的位置和运动状态的压电位置检测结构。本发明将压电位置检测结构与电热微动平台进行一体式集成，不仅能在不影响微动结构运动的情况下实时、稳定、高精度地获得微动结构偏转角度和偏转方向的姿态信息，还能显著降低器件及其系统的闭环控制姿态反馈电路的复杂程度，优化相关应用产品的结构和尺寸，以及实现器件的小型化和轻量化。
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公开(公告)号：CN118954418A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202411049351.1
申请日：2024-08-01
Applicant: 北京理工大学重庆微电子研究院
Abstract: 本发明公开了一种CMOS‑MEMS集成电热微镜及制备方法，属于微机电系统领域。在硅晶圆上设置读出/控制电路，其介质层上设置光学吸收层或电容位置检测电路下电极，功能层上设置导电支撑结构与顶层金属通过金属钨塞连接，在导电支撑结构上设置电热微镜。电热微镜有同层和双层两种结构。而电热微镜的镜面结构间设置连续的缝隙或不连续的孔。该集成电热微镜通过在硅晶圆上制备读出/控制电路，其上依次沉积功能层、牺牲层、导电支撑结构和光学微镜，最后去除牺牲层得到。本发明通过结构设计和调控驱动结构的应力，可实现电热微镜释放后的初始位置控制；所设计的多种功能可以集成到同一层拓展功能层的层结构中，该拓展功能层可以提高电热微镜的功能集成度。
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